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[实用新型]等离子体增强化学气相沉积电极板装置及沉积装置-CN201220629223.0有效
发明人：张治超;孙亮;赵海廷;郭总杰;刘正 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置及沉积装置。该等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，其中等离子体增强化学气相沉积电极板上设置有用于将基板顶离或放在等离子体增强化学气相沉积电极板上的移动定位单元，等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括：控制移动定位单元的表面电压的移动定位单元电压控制单元，用于使移动定位单元在基板上产生与基板平行的电场。从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。
等离子体增强化学沉积极板装置

[发明专利]等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置-CN201210483923.8有效
发明人：张治超;孙亮;赵海廷;郭总杰;刘正 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。本发明的等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，以及能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。该装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。
等离子体增强化学沉积极板装置方法

[实用新型]扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备的热量回收系统-CN202122693085.4有效
发明人：王广义;王瑞召;毕卫超 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备的热量回收系统，其包括扩散炉、等离子体增强化学气相沉积设备和冷却塔，扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备与冷却塔之间设置有排风装置，且扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备通过排风装置与冷却塔或者大气相连通本申请具有以下效果：冬季时，阀门机构控制扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备通过排风装置与冷却塔相连通，扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备将硅片制程过程中产生的热量通向冷却塔，冷却塔利用该热量进行升温换热
扩散等离子体增强化学沉积设备热量回收系统

[发明专利]一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法-CN201010137246.5无效
发明人：于威;路万兵;傅广生;王春生;崔双魁 -专利权人：河北大学
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法，首先将清洗好的衬底放置到螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的基片台上，然后对螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的反应室抽真空，并用氢等离子体清洗螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的基片台和反应室器壁，再加热基片台，向反应室通入反应气体并调节气压，向螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的等离子体产生室施加磁场并开启射频电源，开始碳化硅薄膜的沉积，至得到碳化硅薄膜样品，最后在氢气保护下降温至室温，取出样品，完成氢化纳米晶态碳化硅薄膜的沉积。
一种低温制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜方法

[发明专利]平滑的含硅膜-CN201180044067.X有效
发明人：基思·福克斯;牛冬;乔·沃马克;曼迪亚姆·西里拉姆;乔治·安德鲁·安东内利;巴特·范施拉芬迪克;珍妮弗·奥洛克林 -专利权人：诺发系统公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：描述了一种用于沉积超平滑的含硅膜和膜堆叠的方法和硬件。在一种实施方式中，公开了在等离子体增强化学气相沉积装置中在衬底上形成含硅膜的方法的一种实施方式，该方法包括：供给含硅反应物至该等离子体增强化学气相沉积装置；供给共反应物至该等离子体增强化学气相沉积装置；供给电容耦合等离子体至该等离子体增强化学气相沉积装置的处理站，该等离子体包括从该含硅反应产生的硅自由基和从该共反应物产生的共反应物自由基；以及在该衬底上沉积该含硅膜，该含硅膜具有介于1.4和2.1之间的折射率
平滑含硅膜

[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法-CN201910620314.4有效
发明人：黄邦斗;刘泽慧;章程;邵涛 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了材料领域的一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法。该制备方法包括，金属前驱体、等离子体的启动气体和非金属前驱体，先将所述等离子体的启动气体电离形成等离子体，然后向所述等离子体中通入金属前驱体和非金属前驱体，发生化学气相沉积反应；或，先将所述等离子体的启动气体和所述非金属前驱体电离，然后向电离后的气体中通入金属前驱体，发生化学气相沉积反应。本发明提供的等离子体增强化学气相沉积金属薄膜制备方法，其所通过金属前驱体不参与电离，避免金属对等离子体的抑制作用，从而可以长时间、稳定地反应生成金属氮化物。
一种等离子体增强化学沉积金属薄膜制备方法

[发明专利]包含预热喷头的低温等离子体增强化学气相沉积处理-CN202080066531.4在审
发明人：郝博易;约瑟夫·卫;齐成诸;普拉加蒂·库玛;萨达尔·萨达里 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体增强化学气相沉积处理方法被提供并且其包含：在衬底的等离子体增强化学气相沉积处理之前以及对所述处理的准备中，将喷头预热至预热状态；在预热所述喷头的同时，确定所述喷头的至少一个温度；基于所述至少一个温度，确定是否继续预热所述喷头；响应于所述至少一个温度满足温度标准，停止预热所述喷头；以及当所述喷头处于所述预热状态时，启动所述等离子体增强化学气相沉积处理以将配置在所述衬底上的先前制造的集成电路封装，其中所述等离子体增强化学气相沉积处理包含
包含预热喷头低温等离子体增强化学沉积处理

[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积法制备多孔碳膜的方法-CN201510888521.X有效
发明人：黄昊;吴爱民;冯晨辰;丁昂 -专利权人：大连理工常州研究院有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：一种等离子体增强化学气相沉积法制备多孔碳膜的方法，属于电化学和新能源材料领域，该方法步骤包括：将清洗后的泡沫镍材料放入等离子体增强化学气相沉积设备的基片台上；抽真空，并加热设备中基片台；开启等离子体增强化学气相沉积设备；向等离子体增强化学气相沉积设备中通入工作气体，其工作气体包括放电气体、碳源气体；开始放电，电离工作气体，产生等离子体，分解碳源气体，在泡沫镍材料上沉积多孔碳膜；放电结束，关闭设备降温。
一种等离子体增强化学沉积法制多孔方法

[实用新型]等离子体增强化学气相沉积装置-CN201620397246.1有效
发明人：苏同上;王东方;杜生平;袁广才 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种等离子体增强化学气相沉积装置，该等离子体增强化学气相沉积装置包括反应腔室，所述反应腔室内设置有第一磁镜单元和第二磁镜单元，所述第一磁镜单元和所述第二磁镜单元从不同方向对所述反应腔室内的等离子体进行约束本实用新型提供的等离子体增强化学气相沉积装置，通过在反应腔室内设置第一磁镜单元和第二磁镜单元从而形成双磁镜系统，利用该双磁镜系统可以产生不均匀磁力线，使得等离子体约束在双磁镜内部，可以从不同方向同时对等离子体进行约束，可以显著的提高等离子体密度，达到增加薄膜的沉积速率的目的，同时降低等离子体对薄膜的损伤，减小等离子体对反应腔室以及其内部电极造成的污染。
等离子体增强化学沉积装置

[实用新型]等离子体增强化学气相沉积设备-CN201120376596.7有效
发明人：张金中 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本实用新型公开一种等离子体增强化学气相沉积设备，为解决现有设备沉积薄膜的厚度均匀性不好的问题而设计。本实用新型等离子体增强化学气相沉积设备包括腔体、承载被沉积基板的下电极、包括气体扩散器的上电极、丝网、气流加速单元和抽气单元，所述腔体内设有丝网，所述丝网位于所述气体扩散器的近下电极侧。本实用新型等离子体增强化学气相沉积设备提高了气体浓度均匀性，且减少了粘滞流效应和热对流对气体均匀性的影响。本实用新型等离子体增强化学气相沉积设备在成膜反应过程中同时增加了反应气体流速和抽气速率，从而保证腔体内总的气体压力不变。因此没有降低沉积速率，即提高质量的同时保证了产能不受影响。
等离子体增强化学沉积设备

[实用新型]可组合管式等离子体增强化学气相沉积装置-CN201120355777.1有效
发明人：邾根祥;王伟 -专利权人：合肥科晶材料技术有限公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可组合管式等离子体增强化学气相沉积装置，该装置对接在炉体上，包括依次相接的射频等离子体发射信号箱、自动匹配器及射频信号可调电源，所述射频等离子体发射信号箱一侧设有进气端法兰；所述射频等离子体发射信号箱内设有电感线圈本实用新型通过采用独立的射频信号源模块，可实现间接式的等离子体增强化学气相沉积。此种可组合管式等离子体增强化学气相沉积装置具有成本低，灵活性强，薄膜沉积质量好的优点。
组合等离子体增强化学沉积装置

[发明专利]N型掺杂硅薄膜、其制备方法和包括其的太阳能电池-CN201610083958.0有效
发明人：彭文博;刘大为;高虎 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2016-02-06 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：该制备方法包括以下步骤利用等离子体增强化学气相沉积工艺在位于反应室的太阳能电池半成品上沉积形成N型掺杂硅薄膜，等离子体增强化学气相沉积工艺的反应气体包括硅源气体、氢气和掺杂气体，其中，氢气与硅源气体流量比为801～1501，实施等离子体增强化学气相沉积工艺时，太阳能电池半成品的表面温度为50～70℃、等离子体增强化学气相沉积工艺的辉光功率密度为0.8W/cm2～1.5W/cm2，反应气压为500Pa～750Pa
掺杂薄膜制备方法包括太阳能电池

[发明专利]一种透光性硬质氮化碳薄膜的制备方法-CN201711285578.6有效
发明人：姜礼华;彭宇;汪涛;肖婷;向鹏;谭新玉 -专利权人：三峡大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种透光性硬质氮化碳薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：清洗玻璃基片；以甲烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃基片表面沉积一层非晶碳薄膜；采用等离子体增强化学气相沉积技术对玻璃基片表面沉积的非晶碳薄膜进行氨气等离子体处理；以甲烷和氨气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在氨气等离子体处理后的非晶碳表面沉积一层氮化碳薄膜；在高纯氮气气氛中低温热处理氮化碳薄膜。该方法通过修饰玻璃基片表面化学键、优化氮化碳薄膜中氮原子和氢原子含量以及在氮气氛围中采用低温热处理的方法调整薄膜内应力，从而使氮化碳薄膜具有良好的硬度和透光性。
氮化碳薄膜等离子体增强化学气相沉积玻璃基片表面透光性氨气等离子体处理非晶碳薄膜反应气体甲烷硬质沉积制备氨气低温热处理化学键热处理表面沉积玻璃基片氮气氛围方法调整高纯氮气氮原子非晶碳氢原子中低温薄膜修饰清洗优化

[实用新型]一种DLC膜层的制备设备-CN202021242147.9有效
发明人：张晓岚;谢丑相;王国昌;籍龙占 -专利权人：杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开了一种DLC膜层的制备设备，包括设备主体，抽气组件，磁控溅射阴极，基片旋转架，位于设备主体内的等离子体增强化学气相沉积部件，电源接入端头；等离子体增强化学气相沉积部件包括外表面覆盖有导电层且交叉区域为中空状的该设备包括磁控溅射阴极和等离子体增强化学气相沉积部件，结合磁控溅射和等离子体增强化学气相沉积两种工艺制备DLC膜层，实现高速高质量的膜层制备。
一种 dlc 制备设备

[发明专利]等离子体增强化学气相沉积装置-CN201610834267.X在审
发明人：刘凤举 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括：反应腔室，所述反应腔室的侧壁上设开口阀；上电极和下电极，相对地设置在所述反应腔室的内部；以及射频馈入装置，电连接所述上电极，用于在所述反应腔室的内部产生等离子体增强化学气相沉积反应本发明所述等离子体增强化学气相沉积装置的产品良率高。
等离子体增强化学沉积装置

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