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[实用新型]等离子体增强化学气相沉积电极板装置及沉积装置-CN201220629223.0有效
发明人：张治超;孙亮;赵海廷;郭总杰;刘正 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置及沉积装置。该等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，其中等离子体增强化学气相沉积电极板上设置有用于将基板顶离或放在等离子体增强化学气相沉积电极板上的移动定位单元，等离子体增强化学气相沉积电极板装置还包括：控制移动定位单元的表面电压的移动定位单元电压控制单元，用于使移动定位单元在基板上产生与基板平行的电场。从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。
等离子体增强化学沉积极板装置

[发明专利]微波等离子体化学气相沉积装置和金刚石的合成方法-CN201810408710.6在审
发明人：马懿;马修·L·斯卡林;朱金华;吴建新;缪勇;卢荻;艾永干;克里斯托弗·E·格里芬 -专利权人： FD3M公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种微波等离子体化学气相沉积装置，采用等离子体天线作为耦合天线。本申请还公开了一种金刚石的合成方法，采用等离子体天线作为耦合天线，通过微波等离子体化学气相沉积方法合成金刚石。本申请还公开了微波等离子体化学气相沉积装置在单晶金刚石合成中的应用。本发明的微波等离子体化学气相沉积装置，采用等离子体天线进行耦合，可以极大的提高天线的效率。
微波等离子体化学气相沉积等离子体天线金刚石合成耦合天线申请单晶金刚石耦合天线应用

[发明专利]等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置-CN201210483923.8有效
发明人：张治超;孙亮;赵海廷;郭总杰;刘正 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积电极板装置、沉积方法及沉积装置。本发明的等离子体增强化学气相沉积电极板装置包括用于与要进行等离子体增强化学气相沉积的基板相接触的等离子体增强化学气相沉积电极板，以及能在所述基板上产生与基板平行的电场的电极块。该装置可以在基板上形成水平的电场，从而驱动基板上的电荷运动，使电荷被中和，或在电路图形中移动时耗散，故可以大大减少等离子体在化学气相沉积的基板表面上沉积材料层过程中的电荷积累，避免基板上发生静电释放。该装置还可改变基板上的局部电场，从而改变局部的成膜速度，以提高等离子体增强化学气相沉积控制处理操作的均匀性，在基底的表面上形成薄厚均匀的材料层。
等离子体增强化学沉积极板装置方法

[发明专利]发光二极管的封装结构与其制造方法-CN200710089623.0无效
发明人：胡振宇;蔡升颖;王亲民 -专利权人：奇菱科技股份有限公司
申请日： 2007-03-20 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管的封装结构，至少包含基板、发光二极管、等离子体化学气相沉积层以及透光材料层，其中基板具有多个接点；发光二极管设置于基板上且电性连接至这些接点；等离子体化学气相沉积层设置于发光二极管上，且等离子体化学气相沉积层的折射率是小于发光二极管的折射率；透光材料层设置于等离子体化学气相沉积层上，且透光材料层的折射率是小于等离子体化学气相沉积层的折射率。
发光二极管封装结构与其制造方法

[发明专利]等离子体化学气相沉积系统及方法-CN201811069708.7有效
发明人：孙元成;宋学富;杜秀蓉;张晓强;钟利强;杨晓会 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明是关于一种等离子体化学气相沉积系统。该沉积系统包括等离子体沉积装置，该等离子体沉积装置包括等离子体炬和沉积室。该沉积系统还包括：尾气循环装置、新鲜气体供给装置和在线监控装置，该尾气循环装置一端连接于沉积室的排气口，另一端连接于等离子体炬的进气口；该新鲜气体供给装置，连接于等离子体炬的进气口；该在线监控装置用于实时检测气体组分、温度、沉积室压力及沉积基体温度。本发明还提出了一种等离子体化学气相沉积方法。本发明方法将等离子体化学气相沉积系统排放的气体经简单处理后进行气体循环使用，克服现有技术气体消耗较大的问题，大大降低气体成本，同时保证沉积系统的稳定性。
等离子体化学沉积系统方法

[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法-CN201910620314.4有效
发明人：黄邦斗;刘泽慧;章程;邵涛 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了材料领域的一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法。该制备方法包括，金属前驱体、等离子体的启动气体和非金属前驱体，先将所述等离子体的启动气体电离形成等离子体，然后向所述等离子体中通入金属前驱体和非金属前驱体，发生化学气相沉积反应；或，先将所述等离子体的启动气体和所述非金属前驱体电离，然后向电离后的气体中通入金属前驱体，发生化学气相沉积反应。本发明提供的等离子体增强化学气相沉积金属薄膜制备方法，其所通过金属前驱体不参与电离，避免金属对等离子体的抑制作用，从而可以长时间、稳定地反应生成金属氮化物。
一种等离子体增强化学沉积金属薄膜制备方法

[发明专利]用于材料制备的化学气相沉积设备-CN200710030644.5无效
发明人：邵庆益 -专利权人：漳州师范学院
申请日： 2007-09-30 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种材料制备的化学气相沉积设备。该设备由可相互独立激活源气体来沉积材料的热丝化学气相沉积激活部分和直流等离子体化学气相沉积激活部分共同组成；衬底支架相对热丝、或直流等离子体电极、或热丝和直流等离子体电极运动。
用于材料制备化学沉积设备

[发明专利]一种纳米氮化铬粉体的制备方法-CN202010519923.3在审
发明人：王开新;韩成良;孙虹;杨得全;吴斌;谢劲松 -专利权人：合肥中航纳米技术发展有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：一种纳米氮化铬粉体的制备方法，涉及高熔点氮化物粉体制备技术领域。对金属铬粉进行表面处理，通过等离子体化学气相沉积法制备得到纳米氮化铬粉体。对等离子体化学气相沉积设备真空处理，持续通入氩气+氮气置换设备内部以形成惰性气氛；启动等离子体化学气相沉积设备，其感应线圈通过高频振荡以产生高温等离子体焰流；由输送机向等离子体化学气相沉积设备中输送经过表面改性处理的金属铬粉，反应载气氨气由计量阀通入设备中，升温开始化学气相沉积反应；反应结束后，通过淬冷气流进行冷却，待冷却至常温时，通过输送机排出反应得到的纳米氮化铬粉体。制备过程中通过构建等离子体焰流反应氛围，实现反应温度的大幅度降低，节能降耗显著。
一种纳米氮化铬粉体制备方法

[实用新型]扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备的热量回收系统-CN202122693085.4有效
发明人：王广义;王瑞召;毕卫超 -专利权人：晶澳太阳能有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备的热量回收系统，其包括扩散炉、等离子体增强化学气相沉积设备和冷却塔，扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备与冷却塔之间设置有排风装置，且扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备通过排风装置与冷却塔或者大气相连通本申请具有以下效果：冬季时，阀门机构控制扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备通过排风装置与冷却塔相连通，扩散炉和等离子体增强化学气相沉积设备将硅片制程过程中产生的热量通向冷却塔，冷却塔利用该热量进行升温换热
扩散等离子体增强化学沉积设备热量回收系统

[发明专利]一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法-CN201010137246.5无效
发明人：于威;路万兵;傅广生;王春生;崔双魁 -专利权人：河北大学
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法，首先将清洗好的衬底放置到螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的基片台上，然后对螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的反应室抽真空，并用氢等离子体清洗螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的基片台和反应室器壁，再加热基片台，向反应室通入反应气体并调节气压，向螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的等离子体产生室施加磁场并开启射频电源，开始碳化硅薄膜的沉积，至得到碳化硅薄膜样品，最后在氢气保护下降温至室温，取出样品，完成氢化纳米晶态碳化硅薄膜的沉积。
一种低温制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜方法

[发明专利]化学气相沉积方法和装置-CN201310731247.6在审
发明人：李兴存 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明一种化学气相沉积方法，该化学气相沉积方法包括向设置有基片的反应腔内通入金属源前驱体和非金属源前驱体，其中，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过在化学气相沉积过程中始终开启的等离子体发生装置，且所述金属源前驱体脉冲地通入所述反应腔中。本发明还提供一种化学气相沉积设备。在整个化学气相沉积的过程中等离子体发生装置始终开启，避免了等离子体发生装置的电极频繁起辉，降低了所述电极在射频高压作用下受轰击而产生颗粒的风险，因此也降低了颗粒污染基片的风险，并且提高了等离子体发生装置中射频电源的寿命
化学沉积方法装置

[实用新型]等离子体气相沉积装置用背板及等离子体气相沉积装置-CN201320335763.2有效
发明人：韩乔楠;罗阳;贺雄 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体气相沉积装置用背板及等离子体气相沉积装置，涉及化学气相沉积领域，以解决现有技术中等离子体气相沉积装置背板造成的气体扩散均匀性无法得到保证，从而影响成膜均匀性的问题。为了克服上述问题，本实用新型的实施例采用如下技术方案：一种等离子体气相沉积装置用背板，所述背板的一个表面设有进气孔，所述背板的另一相对表面设有多个出气孔，所述背板内部设有空腔，所述进气孔和多个所述出气孔均与所述空腔连通本实用新型用于进行等离子增强化学气相沉积操作。
等离子体沉积装置背板

[发明专利]平滑的含硅膜-CN201180044067.X有效
发明人：基思·福克斯;牛冬;乔·沃马克;曼迪亚姆·西里拉姆;乔治·安德鲁·安东内利;巴特·范施拉芬迪克;珍妮弗·奥洛克林 -专利权人：诺发系统公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：描述了一种用于沉积超平滑的含硅膜和膜堆叠的方法和硬件。在一种实施方式中，公开了在等离子体增强化学气相沉积装置中在衬底上形成含硅膜的方法的一种实施方式，该方法包括：供给含硅反应物至该等离子体增强化学气相沉积装置；供给共反应物至该等离子体增强化学气相沉积装置；供给电容耦合等离子体至该等离子体增强化学气相沉积装置的处理站，该等离子体包括从该含硅反应产生的硅自由基和从该共反应物产生的共反应物自由基；以及在该衬底上沉积该含硅膜，该含硅膜具有介于1.4和2.1之间的折射率
平滑含硅膜

[发明专利]等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法-CN201510505383.2有效
发明人： P·马诗威茨 -专利权人：北美AGC平板玻璃公司;旭硝子株式会社;AGC玻璃欧洲公司
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法，即提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。
等离子体增强化学沉积薄膜涂层方法

[发明专利]等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法-CN201510505381.3有效
发明人： P·马诗威茨 -专利权人：北美AGC平板玻璃公司;AGC株式会社;AGC玻璃欧洲公司
申请日： 2009-08-04 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法，即提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。
等离子体增强化学沉积薄膜涂层方法

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