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[发明专利]等离子体设备和系统-CN200780043771.7有效
发明人：弗拉基米尔·E·贝拉斯琴科;奥列格·P·索洛伦科;安德里·V·斯米尔诺夫 -专利权人：弗拉基米尔·E·贝拉斯琴科;奥列格·P·索洛伦科;安德里·V·斯米尔诺夫
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： B44C1/22 文献下载
摘要：一种等离子体设备，包括第一阳极等离子体头和第一阴极等离子体头。每个等离子体头包括电极、等离子体流动通道和布置在所述等离子体流动通道的至少一部分之间的主气体入口。第一阳极等离子体头和第一阴极等离子体头布置成相对彼此成一角度。等离子体设备也包括第二阳极等离子体头和第二阴极等离子体头。每个等离子体头包括电极、等离子体流动通道、以及布置在等离子体流动通道和电极的至少一部分之间的主气体入口，第二阳极等离子体头和第二阴极等离子体头布置成相对彼此成一角度。
等离子体设备系统

[发明专利]等离子体处理设备和方法-CN201880084092.2有效
发明人：马绍铭;仲華;杨晓晅;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了等离子体处理设备和方法。在一个示例实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。等离子体处理设备包括设置于处理室中的基座。基座用于支撑工件。等离子体处理设备包括在竖直方向上设置于处理室上方的等离子体室。等离子体室包括介电侧壁。等离子体处理设备包括将处理室与等离子体室分开的分离格栅。等离子体处理设备包括邻近介电侧壁的第一等离子体源。第一等离子体源用于在分离格栅上方的等离子体室中产生远程等离子体。等离子体处理设备包括第二等离子体源。第二等离子体源用于在分离格栅下方的处理室中产生直接等离子体。
等离子体处理设备方法

[发明专利]等离子体处理系统中的等离子体限制结构-CN200980150203.6有效
发明人：艾利克·哈德森;安德里亚斯·费舍尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：提供了一种配置为用于在衬底的等离子体处理中限制等离子体处理室中的等离子体的可移动等离子体限制结构。该可移动等离子体限制结构包括配置为环绕该等离子体的可移动面向等离子体结构。该可移动等离子体限制结构还包括可移动导电结构，该可移动导电结构设置于可移动面向等离子体结构的外部且配置与所述可移动面向等离子体结构作为单个装置展开和收缩以促进该衬底的处理。可移动导电结构在等离子体处理中射频(RF)接地。在等离子体处理中可移动面向等离子体结构配置于等离子体和可移动导电结构之间以便在等离子体处理中来自于等离子体的RF流经由面向等离子体结构流向可移动导电结构。
等离子体处理系统中的限制结构

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201910437815.9有效
发明人：松浦广行 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够抑制由于生成等离子体而导致的等离子体生成部的损伤。等离子体处理装置包括具有等离子体电极的等离子体生成部，能够对收纳在处理容器内的基片进行等离子体处理，上述等离子体生成部的至少与所述等离子体电极相对的部分由合成石英形成。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体生成装置及方法-CN201080004507.4无效
发明人：钟江正巳;加藤恭一;尾上薰;福冈大辅 -专利权人：里巴贝鲁株式会社
申请日： 2010-01-12 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一个在高洁净、高纯度的状态下，能够产生并维持稳定的高密度等离子体的等离子体装置。解决上述课题的技术方案是：配有第1等离子体生成室10(配有气体供应口12和等离子体出口13)、第1等离子体生成装置11(在不暴露在第1等离子体生成室空间内的情况下配置)、第2等离子体生成室20(配有等离子体供应口22，供应通过等离子体出口在第1等离子体生成室产生的等离子体)和第2等离子体生成装置21(在不暴露在第2等离子体生成室空间内的情况下配置，在第2等离子体生成室内产生比第1等离子体生成室产生的等离子体更高密度的等离子体)的等离子体生成装置。
等离子体生成装置方法

[发明专利]具有直接出口环状等离子体源的等离子体处理系统-CN201580066116.8有效
发明人： D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体处理系统包括处理腔室及等离子体源，该等离子体源在等离子体腔中产生等离子体。该等离子体腔围绕环轴是实质对称的。该等离子体源在该等离子体腔的第一轴向侧上限定多个出口孔。由该等离子体所产生的等离子体产物在轴向方向上通过该多个出口孔从该等离子体腔朝该处理腔室传递。一种等离子体处理的方法，包括以下步骤：在实质环状的等离子体腔内产生等离子体以形成等离子体产物，该实质环状的等离子体腔限定环轴，及通过多个出口开口向处理腔室将等离子体产物直接分布进处理腔室中，该多个出口开口实质在方位上分布于该等离子体腔的第一轴向侧周围
具有直接出口环状等离子体处理系统

[发明专利]加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻-CN201310379780.0在审
发明人：埃里克·赫德森;安德鲁·D·贝利三世;拉金德尔·迪恩赛 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：发明涉及加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻，具体涉及一种蚀刻等离子体处理室中的衬底的方法，该等离子体处理室至少具有初级等离子体产生区域和通过半阻挡结构与所述初级等离子体产生区域分开的次级等离子体产生区域所述方法包括从初级等离子体产生区域中的初级原料气体产生初级等离子体。该方法还包括从次级离子体产生区域中的次级原料气体产生次级等离子体，以使从次级等离子体中产生的物质中的至少一些能够迁移至初级等离子体产生区域。所述方法另外包括在用来自次级等离子体的迁移物质来加强初级等离子体之后用该初级等离子体蚀刻衬底。
加强等离子体处理系统中的增强蚀刻

[发明专利]加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻-CN201710574814.X在审
发明人：埃里克·赫德森;安德鲁·D·贝利三世;拉金德尔·迪恩赛 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2013-08-27 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及加强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻，具体涉及一种蚀刻等离子体处理室中的衬底的方法，该等离子体处理室至少具有初级等离子体产生区域和通过半阻挡结构与所述初级等离子体产生区域分开的次级等离子体产生区域所述方法包括从初级等离子体产生区域中的初级原料气体产生初级等离子体。该方法还包括从次级离子体产生区域中的次级原料气体产生次级等离子体，以使从次级等离子体中产生的物质中的至少一些能够迁移至初级等离子体产生区域。所述方法另外包括在用来自次级等离子体的迁移物质来加强初级等离子体之后用该初级等离子体蚀刻衬底。
加强等离子体处理系统中的增强蚀刻

[发明专利]用于膨胀热等离子体的电感耦合的系统和方法-CN200480015891.2有效
发明人：马克·谢普肯斯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2004-06-14 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体生成系统(300)，其包括用于生成热等离子体的等离子体生成设备(316)；处于所述等离子体生成设备(316)外的等离子体处理室(318)，其用于接收来自等离子体生成设备(316)的热等离子体，并且，在生成等离子体的过程中，保持等离子体处理室(318)内的压力小于等离子体生成设备(316)中的压力，从而引起热等离子体在等离子体处理室(318)内膨胀；以及用于对所述热等离子体进行电感耦合的电感系统
用于膨胀等离子体电感耦合系统方法

[发明专利]一种基于非均匀等离子体的辐射增强方法-CN202211430190.1在审
发明人：聂秋月;陈培奇;钱亮;张仲麟;王敏;华洋阳;孟卓涛;艾昕;魏国强;闫昌时 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明的一种基于非均匀等离子体的辐射增强方法，涉及等离子体增强方法。目的是为了克服现有等离子体增强技术物理模型较为简单，缺少利用非均匀等离子体实现最佳增强的一般性讨论，方法基于等离子体增强型电小天线实现，等离子体增强型电小天线包括球壳形的等离子体罩和位于等离子体罩内的电小天线；并且，等离子体罩内的等离子体沿等离子体罩的半径非均匀分布；辐射增强方法如下：调节等离子体密度和等离子体罩的尺寸符合以下条件，从而使非均匀等离子体对电小天线的辐射进行增强。
一种基于均匀等离子体辐射增强方法

[发明专利]一种液相等离子体杀菌系统及其控制方法、装置、洗碗机-CN202211453741.6在审
发明人：胡逢亮;张秋俊;谢冬敏;巨姗;胡紫嫣;李春莹 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： A47L15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种液相等离子体杀菌系统及其控制方法、装置、洗碗机。液相等离子体杀菌系统包括等离子体发生装置及循环气泵，等离子体发生装置产生等离子体溶液，循环气泵与等离子体发生装置连通，循环气泵适于加速等离子体发生装置内的等离子体溶入液体中的速度，以提升等离子体溶液的浓度，液相等离子体杀菌系统的控制方法包括：控制等离子体发生装置及循环气泵开启，以制备等离子体溶液；获取等离子体溶液的当前PH值；基于当前PH值与预设PH值的关系，对循环气泵的转速进行调整。实现了根据等离子体溶液当前的浓度来调节等离子体溶于液体的速度，可以维持等离子体溶液浓度的恒定，从而保证杀菌性能的稳定性，保证杀菌效果。
一种相等离子杀菌系统及其控制方法装置洗碗机

[发明专利]等离子体处理装置及用于运行等离子体处理装置的方法-CN201780063133.5有效
发明人： J·马伊 -专利权人：迈尔博尔格(德国)有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有处理腔室、至少一对微波等离子体源和至少一个电源的等离子体处理装置。每对微波等离子体源由第一微波等离子体源和第二微波等离子体源组成，其中，第一微波等离子体源和第二微波等离子体源分别具有等离子体源壁部，并且在该等离子体源壁部之内具有微波耦入装置和等离子体电极。第一微波等离子体源和第二微波等离子体源在处理腔室内部布置在一个或多个待处理的衬底的相同的侧上且彼此相邻地布置。第一微波等离子体源和第二微波等离子体源的等离子体电极彼此电绝缘并且与至少一个电源导电地连接。在此，至少一个电源适合于，使第一微波等离子体源和第二微波等离子体源得等离子体电极加载以不同的电势。此外，本发明涉及一种用于运行这样的等离子体处理装置的方法。
等离子体处理装置用于运行方法

[发明专利]等离子体创面处置系统、方法、装置及存储介质-CN202210998253.7有效
发明人：常华梅;方志;金珊珊;刘诗筠;赵亚军;时贞平 -专利权人：江苏容正医药科技有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种等离子体创面处置系统、方法、装置及存储介质，包括电源装置、等离子体生成装置、等离子体阵列装置，以及控制器；电源装置用于对创面处置系统进行供电；等离子体生成装置用于生成等离子体；等离子体阵列装置用于传递等离子体；控制器用于基于患者的创面特征，确定等离子体生成装置生成的等离子体的等离子体生成参数；创面特征包括受伤时间、创面周边温度、创面类型中的至少一种；等离子体生成参数包括所述等离子体的强度、所述等离子体的温度中的至少一种
等离子体创面处置系统方法装置存储介质

[发明专利]一种硅片表面研磨装置-CN201911199415.5在审
发明人：蒋永锋;易恬安;包晔峰;陈秉岩 -专利权人：河海大学常州校区
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片表面研磨装置，属于表面处理技术领域，包括等离子体喷枪、伺服电机和激光测距组件；所述伺服电机与等离子体喷枪连接；所述等离子体喷枪包括喷嘴和位于等离子体喷枪内的等离子体喷枪控制系统、等离子体发生器和等离子体通道；所述等离子体喷枪控制系统与等离子体发生器和伺服电机通信连接；所述等离子体发生器依次与等离子通道和喷嘴连接；所述激光测距组件与等离子体喷枪连接；所述喷嘴与等离子体通道的连接处，设置有等离子体通道出口。
一种硅片表面研磨装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200480014926.0无效
发明人：野泽俊久;石桥清隆;中西敏雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-05-31 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体发生装置，可以抑制由产生等离子体引起的对被处理体的损坏，进行适当的等离子体处理。该等离子体处理装置至少包含：对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理室；将所述被处理体配置在所述等离子体处理室内的被处理体保持机构；和在该等离子体处理室内产生等离子体的等离子体发生机构，其中等离子体发生机构使用可供给间断的能量的装置
等离子体处理装置方法

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