专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种药用碘化生产方法-CN200510021905.8有效
  • 刘琪;刘洪;邬礼国 - 自贡市金典化工有限公司
  • 2005-10-18 - 2006-03-29 - C01D3/12
  • 本发明公开了一种以碘、铁粉、碳酸氢钠为原料生产药用级碘化的方法,它依次包括碘化亚铁制备步骤、碘化制备步骤、硫酸根的去除步骤、抽滤浓缩步骤和结晶步骤,其中在碘化制备步骤中,是加入碳酸氢钠于碘化亚铁反应制得碳酸亚铁、碘化和水,然后按常规的后处理步骤制得药用级碘化,该方法工艺简单,易于控制,所生成的物质容易分离,所生产的碘化收率高、产品品质高,其氯离子≤0.05%,碘化主含≥99%,符合《中华人民共和国药典
  • 一种药用碘化钠生产方法
  • [发明专利]一种高纯碘化粉体的制备方法-CN201410155172.6有效
  • 占会云;童培云;王莲芝;张泽勇;赵爱婷 - 广东先导稀材股份有限公司
  • 2014-04-17 - 2014-07-23 - C01D3/12
  • 本发明实施方式公开了一种高纯碘化粉体的制备方法,通过乙醇重结晶制得的晶粒度较细而松,便于干燥,得到的高纯碘化粉体纯度高,整个过程均采用工业级别的原料,降低总成本,简化提纯工艺。本发明包括:A、通过碘化、水、粗碘、碳酸钠和水合肼制备次纯碘化溶液;B、抽滤去杂,蒸发结晶,真空干燥,得到次纯碘化晶体;C、将次纯碘化晶体溶于乙醇,乙醇的加入量为次纯碘化晶体的1.8~2.2倍;D、抽滤去杂,滤液采用减压蒸馏的方式进行蒸发结晶;E、将得到的晶体进行真空干燥,得到高纯碘化粉体。
  • 一种高纯碘化钠制备方法
  • [发明专利]锂铊共掺碘化闪烁晶体制备方法-CN202211064541.1在审
  • 吴云涛;史坚;李焕英;任国浩 - 中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 2022-09-01 - 2022-11-29 - C30B29/12
  • 本发明提供了一种锂铊共掺碘化闪烁晶体制备方法,该方法包括如下步骤:按照组成配比称量各种原料,各种原料至少包括碘化碘化锂(6LiI);将称量的原料放入石英坩埚,石英坩埚的内壁附有碳膜,所述碳膜的厚度为1~100μm;将密封好的坩埚竖直放置于生长炉中,坩埚升温至原料熔化后坩埚在生长炉内下降;获得锂铊共掺碘化闪烁晶体。本发明的方法采用内壁附着碳膜的石英坩埚制备锂铊共掺碘化闪烁晶体,通过内壁附着的碳膜防止碘化在高温下与石英坩埚反应,从而提高锂铊共掺杂碘化闪烁晶体的光输出、高能量分辨率、中子/伽马射线甄别能力,同时,该制备方法可制备大尺寸、无色透明、无开裂的锂铊共掺杂碘化闪烁晶体,使之更适用于实际应用。
  • 锂铊共掺碘化钠闪烁晶体制备方法
  • [实用新型]一种抗震型自然伽马传感器-CN201520539563.8有效
  • 魏吉忠;谭诗炜;马亚坤;苏玉广 - 北京六合伟业科技股份有限公司
  • 2015-07-23 - 2015-12-09 - G01T1/202
  • 一种抗震型自然伽马传感器,由高压电路板、信号处理板、光电倍增管、碘化晶体、轴向缓冲结构、径向防转结构组成,其中碘化晶体和光电倍增管位于一个金属壳体内,光电倍增管的下端和碘化晶体的上端接触,该金属壳体为下端开口,设置有堵头将碘化晶体和光电倍增管封闭于金属壳体内。在光电倍增管的上部和碘化晶体的下端各设置一个轴向缓冲结构和径向防转结构。轴向缓冲结构采用高强度波形弹簧。本实用新型拥有轴向缓冲结构和径向防转结构,因此可以缓冲来自于各个方向的外力;同时可有效地保护碘化晶体及光电倍增管,减小自然伽马探测器损坏的几率,提高测井效率,降低仪器维修成本。
  • 一种抗震自然传感器
  • [发明专利]真空封闭式坩埚下降法生长掺铊碘化单晶体-CN200910078944.X有效
  • 张红武;黄朝恩 - 北京滨松光子技术股份有限公司
  • 2009-03-02 - 2010-09-08 - C30B11/00
  • 本发明为真空封闭式坩埚下降法生长掺铊碘化(NaI(Tl))单晶体的新工艺技术,属于碘化晶体的单晶生长领域。在内部衬有与掺铊碘化熔体不发生化学反应的物质、且底部为锥形的石英坩埚内加入碘化原料,在真空度优于5×10-3Pa的状态下进行热处理,逐步升温到300℃后恒温至少8个小时,在真空度保持不变的情况下降至室温;之后向所述石英坩埚内部加入掺杂原料碘化铊,进行二次抽真空和热处理,直至达到真空度优于3×10-3Pa并且温度为200℃的状态,在此状态下恒温至少8个小时,并对石英坩埚口进行封口处理,之后按照本技术领域公知的下降法生长掺铊碘化单晶体
  • 真空封闭式坩埚下降生长碘化钠单晶体

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