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[实用新型]一种光缆用硅芯管-CN201822011361.2有效
发明人：盛明荣;邱夏萍;周志华 -专利权人：江苏诺贝尔塑业有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光缆用硅芯管，包括设置于外侧的聚乙烯层以及设置于内侧的硅芯层；聚乙烯层外表面设置有若干沿光缆用硅芯管长度方向延伸的凹槽；硅芯层内表面设置若干沿光缆用硅芯管长度方向延伸的突起；光缆用硅芯管设置插头或者插口；插头可以正好完全插入插口中；硅芯管端部端面环绕着所述插头或者插口设置若干荧光标识条，荧光标识条沿硅芯管径向方向的长度均相等，荧光识别条沿硅芯管径向方向等距排列。本硅芯管在外表面设置沿硅芯管长度方向延伸的凹槽。当硅芯管受到冲击时，凹槽可以被压缩而吸收冲击；同时凹槽还可以增加硅芯管的挠度。另外凹槽还可以增加硅芯管外表面的整体摩擦，使设置好的硅芯管减少不必要的移动。
硅芯管光缆长度方向延伸插头荧光标识条聚乙烯层插口硅芯层本实用新型等距排列端部端面吸收冲击荧光识别内表面突起挠度相等环绕摩擦压缩移动

[实用新型]一种内部具有多通道的硅芯管-CN201920637752.7有效
发明人：仇铁龙;马重官;王义杰;郑建宾;周学峰;马献桥 -专利权人：华龙光通信技术有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H02G9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内部具有多通道的硅芯管，包括硅芯管本体，所述硅芯管本体的外表面固定连接有金属圈，所述硅芯管本体一端的外表面固定连接有固定套，且硅芯管本体的另一端的外表面卡接有固定板，且固定板的背面固定连接有卡块；通过设置抗菌层，抗菌层可以抑制细菌或真菌在硅芯管本体的表面繁殖，避免细菌或真菌对硅芯管本体的表面造成腐蚀，通过设置保护层，保护层可以对内部结构进行保护，防腐层可以有效避免化学物质对硅芯管本体造成的俯视效果，使得硅芯管本体可以得到很好的保护，延长了硅芯管本体的使用寿命，通过设置橡胶片，橡胶片可以将硅芯管本体的内部空间隔断成多个部分，可以提高硅芯管本体的使用范围。
硅芯管保护层多通道固定板抗菌层橡胶片真菌本实用新型背面固定化学物质使用寿命外表面卡抑制细菌防腐层固定套金属圈隔断俯视卡块细菌繁殖腐蚀

[实用新型]一种用于微缆保护的硅芯微管-CN201320535356.6有效
发明人：李印红 -专利权人：河北乾源通信设备有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：实用新型涉及一种用于微缆保护的硅芯微管，属于通信光缆设备技术领域。硅芯微管由聚乙烯层和硅芯层组成，聚乙烯层处于硅芯微管的外层，硅芯层处于硅芯微管的内层，聚乙烯层和硅芯层紧密相贴。硅芯层的表面为沿硅芯微管轴向的均匀波浪形，每个波浪的浪峰顶角为圆弧。本实用新型提出的用于微缆保护的硅芯微管，硅芯层的内表面为沿硅芯微管轴向的均匀波浪形，使内表面成为沿轴向均匀分布的顶角为圆弧形状的三角形条肋，且条肋高度为等高，即硅芯管的内壁为封闭的连续齿形，这样的结构能够使光纤与硅芯微管的内壁之间的摩擦阻力更小
一种用于保护微管

[发明专利]芯线支架以及硅的制造方法-CN201580057911.0有效
发明人：石田晴之 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：芯线支架(3)被安装于在采用西门子法的硅制造装置(20)的底盘上布置的电极(2)上，所述芯线支架(3)具有硅芯线保持部(9)，该硅芯线保持部(9)呈近似圆锥台形状，并且用于保持硅芯线(4)以及向硅芯线(在硅芯线保持部(9)的近似圆锥台的上表面上形成有用以保持硅芯线(4)的硅芯线插入孔(7)，硅芯线保持部(9)具有硅芯线保持部(9)的上表面与侧面所形成的棱形成为曲面状的倒角部(8)。
硅芯线保持部芯线支架近似圆锥台上表面硅制造装置西门子法线插入孔电极倒角部曲面状底盘通电侧面制造

[实用新型]一种多晶硅沉积用载体-CN202122304602.4有效
发明人：刘虎;侯哲辉;杜斌功;安生虎;李生全;高鹏;张永辉;火兴宏;贾龙山;狄永顺 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司;青海芯测科技有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅沉积用载体，包括两根管状的硅芯和连接在两根所述硅芯之间的硅桥，两根所述硅芯的底部分别连接在还原炉的两个不同的电极上，至少一根所述硅芯的表面开设有若干贯穿其管壁的第一沉积孔，所述硅桥的表面开设有若干贯穿其径向的第二沉积孔本实用新型采用两根管状的硅芯固定在还原炉电极底座上的不同电极上，利用硅桥连接相邻的两根管状的硅芯，每根硅芯的管壁和硅桥的表面均形成多个贯穿的沉积孔，使得多晶硅还可以进入到硅芯和硅桥的内部进行沉积，从而在有限的载体体积下显著提高多晶硅沉积载体的表面积，提升硅棒的沉积速度。
一种多晶沉积载体

[发明专利]一种增加多晶硅还原炉里硅芯根数的方法及装置-CN201110402606.4无效
发明人：刘雅铭;刘寄声 -专利权人：刘雅铭
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种增加多晶硅还原炉里硅芯根数的方法及装置。多晶硅生产是利用三氯氢硅与氢气在还原炉内的硅芯表面上发生化学反应后生成的，因此生产量与硅芯的表面积有关，硅芯表面积大的，参加反应的面积就大，生产速度就快。现有还原炉里的每个石墨电极上只有1根硅芯，而本发明是每个石墨电极上可以有2～8根硅芯，因此，表面积就大，从而可以改变多晶硅生产慢的不利局面。
一种增加多晶还原炉里硅芯根数方法装置

[发明专利]一种多晶硅棒的制备方法-CN201110430208.3无效
发明人：侯俊峰;武在军;李峰;杨光军;毕明锋;张滨泉 -专利权人：国电宁夏太阳能有限公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多晶硅棒的制备方法，该方法包括：向钟罩式还原炉内的硅芯施加高压，使所述硅芯被击穿；降低连接硅芯的电源的电压，使硅芯的温度维持在1130℃～1150℃；向钟罩式还原炉内通入具有预设摩尔比的三氯氢硅和氢气，使二者在硅芯表面反应生成硅，所述硅芯和其表面生成的硅统称为多晶硅棒；根据多晶硅棒的直径调整连接硅芯的电源的频率，使多晶硅棒表面产生趋肤效应，且使多晶硅棒的温度维持在1130℃～1150℃。采用本发明所提供的方法可制备出直径大于300mm的多晶硅棒。
一种多晶制备方法

[发明专利]一种抑制区熔级多晶硅CVD过程中硅枝晶生长的界面浸润性调控方法-CN202110573715.6在审
发明人：梁正;孟国均;李建设;吕永峰;郭蕊;钱光凝;仪得志;陈源茂;刘纪江;丁远清 -专利权人：河南硅烷科技发展股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制区熔级多晶硅CVD过程中硅枝晶生长的界面浸润性调控方法，涉及区熔级多晶硅领域，包括U型硅芯表面除去表面杂质；置于热裂解炉反应器内部，用氮气置换空气；用氢气置换氮气；持续通入氢气，对反应器内硅芯加载电流，使硅芯表面氧化层还原，调控其浸润性并构筑“超亲硅”表面；调节电流控制硅芯达到反应温度，通入高纯硅烷和高纯氢气的混合气，硅烷在硅芯表面高温裂解，产物硅在“超亲硅”硅芯表面均匀成核、“层状生长”，最终得到致密的多晶硅棒本发明通过表界面调控，降低成核势垒，可有效抑制硅沉积过程中的“岛状生长”与硅枝晶问题，从而获得满足区熔级多晶硅力学性能的产品，设计合理，操作方便，实用性强。
一种抑制区熔级多晶 cvd 过程中硅枝晶生长界面浸润调控方法

[发明专利]硅芯炉控制系统及方法-CN202010194425.6有效
发明人：王喆;郝晓琼;尹东林;宗冰;刘江;白银;崔圳 -专利权人：亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： G06T7/70 文献下载
摘要：本发明实施例提出一种硅芯炉控制系统及方法，涉及多晶硅生产领域。该系统包括摄像装置、图像处理装置及控制柜，摄像装置与图像处理装置电连接，图像处理装置与控制柜通信连接，摄像装置从硅芯炉的视镜位置采集硅芯炉内的硅芯熔接部的视频图像，并将视频图像传输至图像处理装置，图像处理装置根据视频图像获取硅芯熔接部的位置、高度、第一表面的直径和第二表面的直径，并将位置、高度、第一表面的直径和第二表面的直径传输至控制柜，控制柜在位置、高度、第一表面的直径和第二表面的直径中的至少一个出现异常时，调节硅芯炉对应的控制参数，以控制硅芯炉正常运行，有效提高了硅芯炉的生产效率，降低人工误操作的风险。
硅芯炉控制系统方法

[发明专利]提高多晶硅生产的方法及其装置-CN200810040241.3无效
发明人：袁建中 -专利权人：上海通用硅晶体材料有限公司
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅的生产方法及装置，在还原炉内用电加热硅芯，使SiHCl₃在H₂气氛中还原，所得到的硅在硅芯的表面上沉积而生成多晶硅，本发明采用增大硅芯表面积的方法来提高生产多晶硅的速度根据上述多晶硅的生产方法，本发明还提供了一种生产多晶硅的还原炉，包括炉罩、底板、进料口、出料口和硅芯，该还原炉是密闭的，进料口、出料口和电极安装在底板上，硅芯连接在电极上，其中所述的硅芯是片状的。在本发明的生产方法及装置中，将现有技术中的圆形硅棒改进为片状或管状或任意不规则薄层状的硅芯，增加了硅芯的表面积。由于在反应原料的浓度保持不变的情况下，硅的沉积速度主要取决于硅棒的表面积，因此本发明大幅度提高了硅的沉积速度，节约了生产时间，提高了生产效率。
提高多晶生产方法及其装置

[发明专利]采用表面微结构硅芯沉积多晶硅的方法-CN201010604262.0有效
发明人：钟真武;江宏富 -专利权人：中科协鑫（苏州）工业研究院有限公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用表面微结构硅芯沉积多晶硅的方法，所述方法包括使含硅气体和氢气在表面温度为1000-1150℃的具有表面微结构的硅芯上沉积并制备多晶硅，该方法与现有采用直径8mm硅芯的制造方法相比，具有初始沉积表面积大、初始沉积速率快、降低还原电耗等优点，另外，该方法所述初具有表面微结构的硅芯可在现有反应器中直接应用，而无需改造设备，可节约大量设备改造费。
采用表面微结构沉积多晶方法

[发明专利]高纯硅芯制备方法-CN202111592084.9有效
发明人：蔡延国;丁小海;杨明财;吉红平;张孝山;施光明;曹延德;肖建忠;宗冰;梁哲 -专利权人：亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯硅芯制备方法及制备装置，涉及多晶硅生产的技术领域，高纯硅芯制备方法包括以下步骤：启动阶段：将硅芯放置在反应容器中，提升硅芯的表面温度；向反应容器中通入预热物料，以令硅芯生长；生长阶段：向反应容器中通入预热物料，并提升硅芯表面温度，使硅棒快速生长；调整阶段：对硅棒进行修复；将修复后的硅棒自反应容器中取出，并进行切割，以形成多个高纯硅芯；其中，启动阶段预热物料的流量为800‑1200kg上述高纯硅芯制备方法，能够缓解硅芯在制备过程中的杂质引入和硅芯质量不均匀的问题，从而提高生产质量。
高纯制备方法

[实用新型]一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构-CN202022040706.4有效
发明人：金胜;薛建云;施红亮;邱风 -专利权人：新疆登博新能源有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构，包括两个竖硅芯棒和横硅芯棒，所述横硅芯棒的下表面左右两侧均设有开槽一，两个所述开槽一相背对的表面上部连接有卡板，两个所述竖硅芯棒相对的表面上均设有与所述卡板配合使用的卡板槽，所述开槽二与所述卡板槽贯通设置，两个所述开槽二相对的表面上设有卡块，所述横硅芯棒的上表面左右两侧均设有配合所述卡块使用的卡块槽，可以使硅芯结构的连接十分方便，而且无需使用钼丝绑接，就不必将多晶硅包裹着的钼丝去除，方便工作人员的处理，而且使硅芯结构之间的接触十分稳定，有利于减少衔接处的电阻，使反应更好的进行，既避免局部过热的情况发生，又能有效防止倒棒。
一种硅芯棒用于多晶生长结构

[发明专利]硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构-CN201010285968.5无效
发明人：张江城;靳忠磊;邹志勇;刘添华 -专利权人：山东伟基炭科技有限公司
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅芯棒，属于西门子法生产多晶硅技术领域。其为长条状，其横截面为具有至少一个弧状弯曲部的弯曲状。本发明还公开了一种用于多晶硅生长的硅芯结构，其包括两根竖硅芯棒(1)，横向搭接在两根竖硅芯棒(1)顶端的横硅芯棒(2)，所述横硅芯棒(2)和竖硅芯棒(1)的横截面均为具有至少一个弧状弯曲部的弯曲状，所述两根竖硅芯棒(1)的顶端具有与所述横硅芯棒(2)外表面形状相适配的形状。本发明通过对硅芯棒的形状进行特殊设计，使得硅芯棒的表面积增大，多晶硅在反应初期的沉积面积增大，有利于提高多晶硅的初期生长速率和转换率，并降低能耗。
硅芯棒用于多晶生长结构

[实用新型]硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构-CN201020534548.1有效
发明人：张江城;靳忠磊;邹志勇;刘添华 -专利权人：山东伟基炭科技有限公司
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅芯棒，属于西门子法生产多晶硅技术领域。其为长条状，其横截面为具有至少一个弧状弯曲部的弯曲状。本实用新型还公开了一种用于多晶硅生长的硅芯结构，其包括两根竖硅芯棒(1)，横向搭接在两根竖硅芯棒(1)顶端的横硅芯棒(2)，所述横硅芯棒(2)和竖硅芯棒(1)的横截面均为具有至少一个弧状弯曲部的弯曲状，所述两根竖硅芯棒(1)的顶端具有与所述横硅芯棒(2)外表面形状相适配的形状。本实用新型通过对硅芯棒的形状进行特殊设计，使得硅芯棒的表面积增大，多晶硅在反应初期的沉积面积增大，有利于提高多晶硅的初期生长速率和转换率，并降低能耗。
硅芯棒用于多晶生长结构

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