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- [发明专利]一种化学机械研磨方法及装置-CN202010887033.8有效
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郑凯铭
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长江存储科技有限责任公司
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2020-08-28
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2022-05-20
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B24B37/005
- 本发明公开了一种化学机械研磨方法及装置。所述方法包括将待研磨晶圆的待研磨区域划分为多个子区域；建立研磨垫寿命表，包括子区域在预设研磨压力下研磨垫寿命和研磨速率的对应关系；获取子区域在当前研磨垫寿命下的研磨速率作为补偿研磨速率；选取其中一个子区域作为参考区域，根据参考区域的补偿研磨速率确定参考区域的目标研磨速率；根据目标研磨量得到研磨时间；根据子区域的目标研磨量和研磨时间计算各个子区域的理想研磨速率，分别对子区域的理想研磨速率和补偿研磨速率进行加权平均得到相应子区域的目标研磨速率，按照各个子区域的目标研磨速率对相应的各个子区域进行研磨。根据本发明实施例的化学机械研磨方法及装置，能够提高过程能力。
- 一种化学机械研磨方法装置
- [发明专利]判断研磨头的胶膜是否扭曲的方法-CN202010884254.X有效
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古峰
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上海华力微电子有限公司
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2020-08-28
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2021-11-26
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B24B37/005
- 本发明提供了一种判断研磨头的胶膜是否扭曲的方法，研磨头包括第一研磨区域及围绕第一研磨区域的多个第二研磨区域，第一研磨区域为圆状，第二研磨区为同心环状，第一研磨区域与相邻的第二研磨区域的交界处的区域为相邻域，包括：获取第一研磨区域的研磨速率及相邻域的研磨速率；将第一研磨区域的研磨速率与相邻域的研磨速率的差值与设定值进行比较，以判断出研磨头的胶膜是否扭曲。本发明的判断研磨头的胶膜是否扭曲的方法，利用第一研磨区域的研磨速率和相邻域的研磨速率经过计算处理，来实现判断出研磨头的胶膜是否扭曲。无需对设备进行升级改造，且能够有效的判断出研磨头的胶膜是否扭曲。
- 判断研磨胶膜是否扭曲方法
- [发明专利]被研磨物的研磨方法及研磨垫-CN201110265297.0有效
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北村和正;长江智毅
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日本碍子株式会社
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2011-09-08
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2012-04-04
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B24B37/04
- 本发明提供一种被研磨物的研磨方法及研磨垫，其用来通过研磨被研磨物的表面而使表面形成为精度较高的凹面或者凸面。研磨垫(10)在表面上的径向的中心区域和外周区域形成有不同的槽状态，中心侧或外侧的任一区域为形成有槽(15)的第一研磨区域(11)、另一区域为做成与第一研磨区域(11)不同槽状态的第二研磨区域(12)，在该研磨垫(10)上以横跨研磨区域(11)与第二研磨区域(12)的交界的状态配设被研磨物(20)，使研磨垫(10)及被研磨物(20)旋转，对被研磨物(20)进行研磨。
- 研磨方法
- [发明专利]一种研磨轮、研磨设备-CN202110271309.4在审
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汪亚;高林;吴宇
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长江存储科技有限责任公司
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2021-03-12
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2021-06-25
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B24B37/16
- 本申请实施例提供了一种研磨轮及研磨设备，其中研磨轮包括研磨基板和研磨刀头，研磨刀头固定在研磨基板上，研磨刀头具有侧面和远离研磨基板的研磨面，其中研磨刀头在研磨基板的径向方向上远离研磨基板的中心位置的侧面与研磨面构成斜切角或圆角研磨刀头的研磨面与待研磨的表面接触并研磨形成凹陷区域，研磨刀头的侧面与凹陷区域的侧壁接触，侧面与研磨面之间的斜切角或圆角能够使凹陷区域的侧壁与凹陷区域底面构成钝角，这样在研磨刀头向凹陷区域的侧壁移动时其切入力垂直凹陷区域侧壁，相比于凹陷区域的侧壁与凹陷区域底面垂直的情况，切入力在平行凹陷区域底面的方向上的分量有所减小，对硅片的损伤更小，减少硅片开裂，提高器件可靠性。
- 一种研磨设备
- [发明专利]CMP研磨方法-CN201910698610.6有效
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刘冲;李儒兴;吴继科;卓明川;曹秀亮
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2019-07-31
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2021-07-02
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B24B37/04
- 本发明提供的一种CMP研磨方法包括以下步骤：提供一待研磨晶圆，所述待研磨晶圆包括中心区域和边缘区域，中心区域位于边缘区域内侧；测量待研磨晶圆的中心区域和边缘区域的膜厚；对待研磨晶圆执行第一次研磨工艺，第一次研磨工艺满足：A＞B；其中，A为中心区域和边缘区域的膜厚较大者的研磨去除率，B为中心区域和边缘区域的膜厚较小者的研磨去除率；对待研磨晶圆执行第二次研磨工艺，第二次研磨工艺满足：C＞D，C＜A，D＜B；其中，C为中心区域和边缘区域的膜厚较小者的研磨去除率，D为中心区域和边缘区域的膜厚较大者的研磨去除率，以改善了研磨后薄膜厚度的均一性，从而解决了由于研磨后薄膜厚度的均一性较差引起的金属剥离等问题。
- cmp研磨方法
- [实用新型]研磨垫及研磨系统-CN201620831364.9有效
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陈科文;游世明
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智胜科技股份有限公司
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2016-08-03
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2017-03-08
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B24B37/26
- 本实用新型提供一种研磨垫及研磨系统，所述研磨垫包括研磨层，其中研磨层包括中心区域、边缘区域以及位于中心区域以及边缘区域之间的主要研磨区域。至少一环状沟槽位于研磨层的主要研磨区域中。边缘沟槽位于研磨层的边缘区域中，且边缘沟槽包括格状沟槽。至少一径向延伸沟槽位于研磨层的主要研磨区域，且至少一径向延伸沟槽与至少一环状沟槽相连接。本申请技术方案通过环状沟槽、边缘沟槽以及径向延伸沟槽的特别配置，可以使研磨液具有不同的流场分布，进而使特定研磨制程具有较均匀的研磨率。
- 研磨系统
- [发明专利]用于化学研磨装置的研磨头及其化学研磨装置-CN201210388738.0在审
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邓镭
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上海华力微电子有限公司
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2012-10-12
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2013-02-06
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B24B37/20
- 一种用于化学研磨装置的研磨头，包括：具有独立研磨子区域的同心环形研磨区域，所述同心环形研磨区域以所述研磨头的圆心为中心并对称分布，所述同心环形研磨区域内分别设置独立研磨子区域；施力装置，所述施力装置作用在所述研磨头上，并分别独立控制所述各研磨子区域的受力。一种具有所述的研磨头的化学研磨装置进一步包括转轴；研磨台；研磨垫。利用本发明所述的研磨头，并在薄膜较厚的区域施加较大的压力，而在薄膜较薄的区域施加较小的压力便可实现晶圆内非对称研磨，从而提高对薄膜厚度在所述晶圆内呈非对称性分布的研磨均一性。本发明所述的研磨头不仅操作简单，使用方便，便于推广，而且实用性强，能满足不同产品的研磨需要。
- 用于化学研磨装置及其
- [发明专利]晶圆边缘芯片平坦化方法-CN201310167821.X有效
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王坚;杨贵璞;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2013-05-08
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2018-08-17
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H01L21/304
- 本发明揭示了一种晶圆边缘芯片平坦化方法，包括步骤：提供待研磨晶圆，待研磨晶圆上分布若干待研磨芯片；将待研磨晶圆吸附于研磨头下，研磨头具有边缘区域和中心区域，研磨头的边缘区域内的下压力作用于待研磨晶圆的边缘区域，研磨头的中心区域内的下压力作用于待研磨晶圆的中心区域；将吸附有待研磨晶圆的研磨头移至研磨垫上；设置研磨头的边缘区域内的下压力为4.5‑6.0psi，研磨头的中心区域内的下压力为3.5‑4.5psi，转台的转速为100‑150rpm，将待研磨芯片的厚度从初始值研磨至第一设定值；以及设置研磨头的边缘区域内的下压力为0.8‑1.5psi，研磨头的中心区域内的下压力为0.7‑1.2psi，转台的转速为100‑150rpm，将待研磨芯片的厚度从第一设定值研磨至目标值。
- 边缘芯片平坦方法
- [发明专利]晶圆以及晶圆的处理方法-CN202110786739.X有效
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马姣
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长鑫存储技术有限公司
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2021-07-12
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2023-09-08
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B24B37/00
- 本申请实施例提供一种晶圆以及晶圆的处理方法，涉及半导体技术领域，该晶圆处理方法包括：提供待研磨晶圆，待研磨晶圆包括中心区域以及围绕所述中心区域的边缘区域；将待研磨晶圆固定在夹具上，使得待研磨晶圆呈弯曲状，且待研磨晶圆的中心区域朝向所述夹具弯曲；将弯曲状的待研磨晶圆放置在研磨垫上，利用研磨液以研磨去除待研磨晶圆的边缘区域的表面部分；调整夹具的设置，使得待研磨晶圆呈平直状；利用研磨垫对待研磨晶圆的中心区域进行研磨本申请实施例通过对待研磨晶圆的边缘区域进行预研磨，可以将待研磨晶圆的边缘区域的杂质清理掉，防止该杂质脱落刮伤晶圆，提高了晶圆上芯片的制作良率。
- 以及处理方法
- [发明专利]一种研磨头及榨汁机-CN201710764294.9有效
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郭建刚;彭晓林;陈亮
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广东百胜图科技有限公司
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2017-08-30
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2023-10-20
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A47J19/02
- 本发明提供研磨头及榨汁机，研磨头用于食物料理机中，食物料理机包括杯体、研磨网及杯盖，研磨头设于研磨网内，研磨头在食物的流入方向上依次包括第一切削部、第二切削部和研磨部，研磨头还包括：独立设于第一切削部上并包括能够与研磨网和/或杯盖配合围成第一切削区域的第一刃部的第一切削刀；设于第二切削部上并包括能够与研磨网配合围成第二切削区域的第二刃部的第二切削刀；第一切削区域、第二切削区域及研磨部与研磨网围成的研磨区域连通,以使经第一切削区域切削后的食物进入第二切削区域再次切削后进入研磨区域研磨或返回第一切削区域进行切削本发明的研磨头具有多个刃部，能够对大果块多次有效切削以辅助后期研磨细腻，降低研磨负载。
- 一种研磨榨汁机
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