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[实用新型]半导体器件-CN201922170168.8有效
发明人：李迪 -专利权人：唐世沅
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底，包括多个半导体鳍片；多个栅叠层，多个栅叠层与多个半导体鳍片相交，分别包括栅极导体和栅极介质；栅极侧墙，位于多个栅叠层的栅极导体的相对侧面上；源/漏区，位于多个半导体鳍片中并且与多个栅叠层相邻；以及隔离结构，沿第一方向断开个至少一个半导体鳍片，以及沿第二方向断开多个相邻栅极导体，其中，隔离结构包括在多个相邻栅极导体中形成的第一开口，以及在至少一个半导体鳍片中形成的第二开口，第二开口位于第一开口下方该半导体器件经由多个相邻栅极导体中的开口断开半导体鳍片形成隔离结构，可以提高半导体器件的集成度和器件性能。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201610952076.3有效
发明人：金森宏治;姜信焕;朴泳雨;朴正勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：半导体器件被提供。半导体器件包括多个栅极电极。半导体器件包括相邻于多个栅极电极的沟道结构。半导体器件包括在沟道结构和多个栅极电极之间的多个电荷存储段。还提供形成半导体器件的方法。
半导体器件

[发明专利]半导体集成电路及其设计方法-CN201310108964.3有效
发明人：白尚训;徐在禹 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：公开了一种半导体集成电路及其设计方法。根据本发明思想的示例性实施例，设计半导体集成电路的方法包括：创建对多个半导体器件当中的至少一个半导体器件作出指示的标记层，所述至少一个半导体器件将在宽度、高度及其与相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生改变；以及将标记层应用到先前创建的布局，以便生成在宽度、高度和与相邻半导体器件的间隔的至少一个方面发生了改变的所述至少一个半导体器件的新的库。标记层可以是基于所述多个半导体器件当中的所述至少一个半导体器件的特性的改变。
半导体集成电路及其设计方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201410154514.2有效
发明人： K-H.格布哈特;A.迈泽;T.施勒泽;M.施特拉泽 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。在半导体衬底中形成的半导体器件包括在半导体衬底中使半导体器件的相邻部件横向绝缘的隔离沟槽。横向隔离层布置在隔离沟槽中。半导体器件还包括源极区和漏极区以及布置在源极区和漏极区之间的主体区和漂移区。半导体器件附加地包括相邻于主体区的至少一部分的栅极电极和相邻于漂移区的至少一部分的场板。场介电层布置在漂移区和场板之间。场介电层的顶表面布置在比横向隔离层的顶表面更大的从半导体衬底的第一主表面测量的高度处。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种光伏组件内部半导体元器件连接结构-CN201911371037.4在审
发明人：郭志球;王娟;金叶义 -专利权人：晶科能源科技（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种光伏组件内部半导体元器件连接结构，包括多个呈阵列的半导体元器件，和连接相邻半导体元器件的多根导电条，半导体元器件的一侧面贴附若干条正电极，另一侧面贴附若干条负电极，沿阵列的每一横排中，相邻半导体元器件在同一面内按照正电极、负电极交替排布，导电条由一半导体元器件的正电极/负电极平直延伸至相邻半导体元器件的负电极/正电极，每相邻两片半导体元器件之间的多根导电条呈平行设置，沿阵列横排的上下面，分段式的导电条呈交错布设。本发明极大简化目前的焊接方案，降低焊接复杂度，提高焊接良率，减少组件面积，有效减低组件成本，增加元器件模块的输出功率，提高模块的输出效率。
一种组件内部半导体元器件连接结构

[实用新型]一种光伏组件内部半导体元器件连接结构-CN201922394478.8有效
发明人：郭志球;王娟;金叶义 -专利权人：晶科能源科技（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种光伏组件内部半导体元器件连接结构，包括多个呈阵列的半导体元器件，和连接相邻半导体元器件的多根导电条，半导体元器件的一侧面贴附若干条正电极，另一侧面贴附若干条负电极，沿阵列的每一横排中，相邻半导体元器件在同一面内按照正电极、负电极交替排布，导电条由一半导体元器件的正电极/负电极平直延伸至相邻半导体元器件的负电极/正电极，每相邻两片半导体元器件之间的多根导电条呈平行设置，沿阵列横排的上下面本实用新型极大简化目前的焊接方案，降低焊接复杂度，提高焊接良率，减少组件面积，有效减低组件成本，增加元器件模块的输出功率，提高模块的输出效率。
一种组件内部半导体元器件连接结构

[发明专利]半导体器件-CN201210021644.X无效
发明人：朴辰哲 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件、半导体芯片、半导体组件、半导体单元、半导体系统以及制造半导体器件的方法。当形成埋入式位线或增大绝缘层的厚度时，通过在一侧触点的相反侧形成气隙，该半导体器件能够减小相邻的位线之间的耦合电容，从而改善半导体器件的特性。该半导体器件包括：多个线图案，其包括一侧触点；位线，其埋入在半导体器件的下部中并位于相邻的线图案之间；位线接面区域，其形成在各个线图案中该位线的一侧；以及气隙，其形成在该位线的另一侧和各个线图案之间。
半导体器件

[发明专利]降低半导体器件闩锁效应的绝缘结构及其制备方法-CN202211360669.2在审
发明人：汤钰;叶甜春;陈少民;李彬鸿;苏炳熏 -专利权人：锐立平芯微电子（广州）有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低半导体器件闩锁效应的绝缘结构及其制备方法，其可增强同一芯片中不同半导体器件之间的绝缘效果，降低闩锁效应，确保不同半导体器件工作的稳定性，将该结构应用于芯片中，芯片包括基板、分布于基板的至少两个半导体器件，半导体器件均包括井区或扩散区、分布于井区或扩散区的介电区，介电区均包括栅极区、分布于栅极区两侧的源漏极区，相邻半导体器件的电压不同，相邻半导体器件之间通过绝缘层分隔：绝缘层设置于两个相邻半导体器件的井区或扩散区之间，且两个相邻半导体器件的井区或扩散区分别位于绝缘层的上表面、下表面，绝缘结构制备方法包括：提供一基板，在基板上依次制备第一井区、绝缘层、第二井区，在第一井区、第二井区分别制备栅极区、源漏极区。
降低半导体器件效应绝缘结构及其制备方法

[发明专利]具有堆叠芯片的半导体器件以及制造该器件的方法-CN200710126066.5无效
发明人：于尔根·西蒙;哈里·黑德勒 -专利权人：奇梦达股份公司
申请日： 2007-07-06 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一半导体器件和第二半导体器件。在第二半导体器件中的通孔从邻近接触垫的第二半导体器件的上侧延伸到第二器件的底侧。塔状接触凸点电连接到第一半导体器件的接触垫。第二半导体器件相邻于第一半导体器件布置，使得塔状接触凸点设置在通孔之中，并且与第二半导体器件的接触垫电连接。
具有堆叠芯片半导体器件以及制造器件方法

[发明专利]半导体器件及制造方法-CN201911035330.3有效
发明人：牛宝华;陈大受 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了半导体器件。该半导体器件具有半导体层，该半导体层包括源极/漏极区、半导体层上方的第一磁性层、以及在源极/漏极区上方并与第一磁性层相邻的第一介电层。半导体器件具有延伸穿过第一介电层的金属结构、在金属结构上方的第二磁性层、以及在第一磁性层上方并与第一介电层相邻的第二介电层。另外，本申请的实施例还提供了其他半导体器件以及形成半导体器件的方法。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件间隔离结构及其形成方法-CN201310022067.0有效
发明人：潘立阳;谯凤英;袁方 -专利权人：清华大学
申请日： 2013-01-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体器件间隔离结构及其形成方法，其中，该结构包括：衬底，衬底的顶部表面包括具有第一掺杂区域和第二掺杂区域；半导体器件单元阵列，其中每个半导体器件单元为第一类半导体器件单元或第二类半导体器件单元；形成在相邻两行半导体器件单元之间的多个STI隔离结构；形成在同一行中相邻两个不同类型的半导体器件单元之间的多个STI隔离结构；以及形成在同一行中相邻两个相同类型的半导体器件单元之间的多个LOCOS隔离结构本发明能够减小辐射条件下的器件间漏电，实现SOI的体接触，减小隔离结构和体接触的面积，提高器件和整体系统的性能，更加有利于高密度器件版图布局的要求，可以适用于高密度的存储器阵列等应用。
半导体器件间隔结构及其形成方法

[发明专利]一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法-CN202010353120.5有效
发明人：穆钰平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法，包括：提供一半导体层；对半导体层刻蚀形成多个器件结构，器件结构包括有效器件及位于有效器件外围的多个测量标记，相邻两个器件结构各自包括的至少一个测量标记一一对应嵌套；根据相邻两个器件结构中对应嵌套的测量标记之间的偏移矢量，确定相邻两个器件结构中有效器件之间的偏移矢量。相邻两个器件结构中各自包括的至少一个测量标记一一对应嵌套，进而，能够通过获取相邻两个器件结构中对应嵌套的测量标记之间的偏移矢量，确定相邻两个器件结构中有效器件之间的偏移矢量，达到监测半导体层中有效器件之间偏移矢量的目的，能够为后续工艺制作提供当前半导体层中器件偏移数据支持。
一种器件偏移监测方法半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201310585066.7在审
发明人：于书坤;韦庆松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过在与NMOS器件相邻的浅沟槽隔离的内部形成空洞，增强了相应的浅沟槽隔离对NMOS器件的沟道区域的张应力，提高了NMOS器件的载流子迁移率，进而提高了整个半导体器件的性能本发明的半导体器件，在与NMOS器件相邻的浅沟槽隔离的内部形成有空洞，可以增强相应的浅沟槽隔离对NMOS器件的沟道区域的张应力，提高NMOS器件的载流子迁移率，因而提高了半导体器件的性能。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，同样具有上述优点。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110254340.3有效
发明人：朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：SOI晶片，其包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；在SOI晶片中形成的相邻的MOSFET，每个所述MOSFET包括形成于所述半导体衬底中的各自的背栅；以及浅沟槽隔离，形成在所述相邻的MOSFET之间以隔开该相邻的MOSFET；其中，所述相邻的MOSFET还包括位于所述背栅的下方的所述半导体衬底中的公共背栅隔离区，所述公共背栅隔离区与所述相邻的MOSFET的背栅之间形成PNP结或NPN结。根据本发明，相邻的MOSFET之间除了通过浅沟槽隔离实现背栅隔离之外，还进一步通过背栅和背栅隔离区中形成的PNP结或NPN结进行隔离，从而使得半导体器件具有更好的绝缘效果，大大降低了半导体器件被意外击穿的可能性
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构、半导体组件及功率半导体器件-CN201610522196.X有效
发明人：杜江锋;李振超;刘东;白智元;于奇;李述洲 -专利权人：电子科技大学;重庆平伟实业股份有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构、半导体组件及功率半导体器件，半导体结构包括：P型半导体材料层；N型半导体材料层，与所述P型半导体材料层相邻接，与所述P型半导体材料层共同形成PN结；多层绝缘材料层，位于所述PN结的外侧，且沿所述P型半导体材料层与所述N型半导体材料层叠置的方向分布，相邻所述绝缘材料层的相对介电常数不同。本发明的半导体结构显著优化了器件耐压时的电场分布，大幅提高了器件的击穿电压；避免了结边缘电场集中效应而导致的器件耐压下降，防止了器件提前击穿；本发明避免使用场环和金属场板结构，从而减小了芯片面积，降低了器件的成本，提高了器件的可靠性。
半导体结构组件功率半导体器件

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