专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]活化表面用于后续粘结-CN202211389030.7在审
  • B·迪根 - 汉高股份有限及两合公司
  • 2018-06-06 - 2023-03-07 - C08J7/12
  • 一种活化由以下物质形成的塑料基板表面用于后续粘结的方法:(a)聚芳醚酮,比如聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮酮(PEKK)、聚醚酮(PEK);聚醚醚酮酮(PEEKK);或聚醚酮醚酮酮(PEKEKK);(b)含有直接连接到羰基上的苯基的聚合物,任选地其中羰基是酰胺基的一部分,比如聚芳酰胺(PARA);(c)聚苯硫醚(PPS);或(d)聚醚酰亚胺(PEI);该方法包括将所述表面暴露于光化辐射的步骤,其中光化辐射包括波长在约10nm至约700nm范围内的辐射;表面所暴露于的光化辐射的能量可以在约1.5J/cm2至约300J/cm2的范围内。
  • 活化表面用于后续粘结
  • [发明专利]活化表面用于后续粘结-CN201880039483.2有效
  • B·迪根 - 汉高股份有限及两合公司
  • 2018-06-06 - 2022-12-13 - C08J7/12
  • 一种活化由以下物质形成的塑料基板表面用于后续粘结的方法:(a)聚芳醚酮,比如聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮酮(PEKK)、聚醚酮(PEK);聚醚醚酮酮(PEEKK);或聚醚酮醚酮酮(PEKEKK);(b)含有直接连接到羰基上的苯基的聚合物,任选地其中羰基是酰胺基的一部分,比如聚芳酰胺(PARA);(c)聚苯硫醚(PPS);或(d)聚醚酰亚胺(PEI);该方法包括将所述表面暴露于光化辐射的步骤,其中光化辐射包括波长在约10nm至约1000nm范围内的辐射;表面所暴露于的光化辐射的能量可以在约0.5J/cm2至约300J/cm2的范围内
  • 活化表面用于后续粘结
  • [发明专利]活化表面用于后续粘合-CN201980091349.1有效
  • B·迪根;G·哈伯林;B·科尼夫赛;S·费伦 - 汉高股份有限及两合公司
  • 2019-12-06 - 2023-09-19 - C08J5/12
  • 本发明涉及一种活化塑料基材的表面用于后续粘合的方法,其中所述塑料基材由以下物质形成:(a)聚芳醚酮,例如聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮酮(PEKK)、聚醚酮(PEK);聚醚醚酮酮(PEEKK);或聚醚酮醚酮酮含有直接连接到羰基上的苯基的聚合物,例如聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT),任选地其中羰基是酰胺基的一部分,例如聚芳酰胺(PARA);(c)聚苯硫醚(PPS);或(d)聚醚酰亚胺(PEI);该方法包括使所述表面暴露于光化辐射的步骤,其中该光化辐射:包括波长在约10nm至约1000nm范围内的辐射;表面所暴露于的光化辐射的能量在约0.5J/cm2至约300J/cm2
  • 活化表面用于后续粘合
  • [发明专利]表面活化负极极片-CN201010236390.4无效
  • 吴中友;陈渊;刘建红;王雅和;毛永志 - 中信国安盟固利动力科技有限公司
  • 2010-07-22 - 2011-05-11 - H01M4/134
  • 一种表面活化负极极片,是在金属基片上设有掺杂Si活化层,在掺杂Si活化层上再设置一碳膜层;掺杂Si活化层中掺杂元素选自Sn、Al中的一种金属元素和C、O中的一种非金属元素;碳膜层为无定型结构;掺杂Si活化层和碳膜层中的晶粒为纳米级;掺杂Si活化层的厚度为1-2000nm;碳膜层的厚度为1-500nm;掺杂Si活化层和碳膜层可以按掺杂Si活化层/碳膜层/掺杂Si活化层/碳膜层的顺序多层设置;金属基片选用Cu箔;金属基片的表面粗糙度为本发明表面活化负极极片,利用碳膜层,保护Si膜层;利用掺杂元素作缓冲体,再利用金属基片的表面粗糙度容纳体积膨胀,利用纳米级晶粒,容纳颗粒剂体积变化,使得该负极极片充放电容量大,循环性能得到较大提高。
  • 表面活化负极
  • [实用新型]表面活化工艺室-CN202222990029.1有效
  • 李小彭;朱功 - 浙江生波智能装备有限公司
  • 2022-11-07 - 2023-03-28 - C23C14/02
  • 本实用新型实施例公开了一种表面活化工艺室,其左上方和右下方分别设有加热器,其中,左上方的加热器用于对柔性PI基材的正面进行二次烘烤,右下方的加热器用于对柔性PI基材的背面进行二次烘烤;表面活化工艺室的离子源位于左上方和右下方的加热器之间,包括第一离子源和第二离子源,其中,第一离子源位靠近左上方的加热器并用于对柔性PI基材的背面进行材料表面活化处理,第二离子源位靠近右下方的加热器并用于对柔性PI基材的正面进行材料表面活化处理。本实用新型实施例,工艺室整体结构简单,可进一步去除PI基材表面残留的水分子,并提高柔性PI基材的表面活化程度,为后续能够制备出表面附着力符合要求的真空镀膜设备提供良好的前期准备。
  • 表面活化工艺

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