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[发明专利]一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法-CN201911061684.5有效
发明人：周春锋;兰天平;边义午;宋禹;王东兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法，采用HGF法合成砷化镓多晶，去除尾部杂质富集多晶，剩余多晶王水处理清洗干净，砷化镓籽晶、砷化镓多晶、碳粉、氧化硼和少量黑砷装入PBN坩埚中，再装入石英管内抽真空焊接密封，装入多温区VGF单晶炉中，采用VGF/VB生长半绝缘砷化镓单晶，采用开管惰性气体保护单晶热处理，经头尾片测试证明生长出半绝缘砷化镓单晶性能达标。然后滚圆、多线切割、倒角、粗抛光，在氧气气氛和不饱和砷蒸汽保护条件下，对抛光片热处理，再经精细抛光、清洗、封装。技术效果是开发出砷化镓抛光片制备流程，同时结合新的晶片退火的技术，降低半绝缘砷化镓抛光片表面在强光灯下目检的亮、暗点缺陷。
一种低亮暗点英寸绝缘砷化镓抛光制备方法

[发明专利]一种砷化镓单晶晶体及其制备方法-CN202210403538.1在审
发明人：高佑君 -专利权人：山西中科晶电信息材料有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓单晶晶体及其制备方法。一种砷化镓单晶晶体，载流子浓度为1×1018～4×1018/cm3，迁移率为1700～2600cm2/v•s；在同等Si载流子浓度下，所述以SixAsy化合物为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度比以单质Si为掺杂剂制得的砷化镓单晶晶体的B原子密度至少低20%；所述砷化镓单晶晶体的B含量≤5×1018/cm3。本申请的砷化镓单晶晶体的制备方法是在砷化镓单晶生长前，使SixAsy化合物分布于砷化镓多晶中。此制备方法能够减轻砷化镓单晶的“B污染”，从而提高砷化镓单晶晶体的性能。
一种砷化镓单晶晶体及其制备方法

[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备-CN201310510132.4有效
发明人：李玉平 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的新掺杂工艺及其设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。最后可获得电学性能完全达到要求的砷化镓单晶。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长掺杂工艺及其设备

[实用新型]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备-CN201320662632.5有效
发明人：李玉平 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的设备，在砷化镓单晶生长时，在所用的砷化镓原材料中加入固体三碲化二镓。所需三碲化二镓的用量可以根据所用的原材料的数量与需要的砷化镓单晶掺杂浓度进行计算。对生长后的砷化镓单晶进行相应的电学测量，然后再根椐测量结果对掺杂量进行适当调整。最后可获得电学性能完全达到要求的砷化镓单晶。用该掺杂工艺后，生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制。同时生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长设备

[发明专利]多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法-CN201510659806.6在审
发明人：卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞;祝永成 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。
多室砷化镓单晶生长及其方法

[发明专利]一种砷化镓单晶生长装置及生长方法-CN202011439182.4在审
发明人：王金灵;周铁军;严卫东;马金峰 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓单晶生长装置及生长方法，砷化镓单晶生长装置包括石英帽、石英管和氮化硼坩埚；在xyz的三维空间直角坐标系中，所述氮化硼坩埚置于所述石英管内部并且所述石英帽与所述石英管密封连接后，所述石英帽壁的内表面的空间位置符合函数关系本发明的砷化镓单晶生长装置可以显著提高大直径砷化镓单晶载离子浓度的均匀性，降低大直径砷化镓单晶载离子浓度的不均匀性，降低砷化镓单晶的位错密度；提高砷化镓单晶的质量，提高砷化镓单晶的直径，砷化镓单晶的生长直径达到
一种砷化镓单晶生长装置方法

[实用新型]一种砷化镓单晶生长装置-CN202022945434.2有效
发明人：王金灵;周铁军;严卫东;马金峰 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种砷化镓单晶生长装置，砷化镓单晶生长装置包括石英帽、石英管和氮化硼坩埚；在xyz的三维空间直角坐标系中，所述氮化硼坩埚置于所述石英管内部并且所述石英帽与所述石英管密封连接后，所述石英帽壁的内表面的空间位置符合函数关系本实用新型的砷化镓单晶生长装置可以显著提高大直径砷化镓单晶载离子浓度的均匀性，降低大直径砷化镓单晶载离子浓度的不均匀性，降低砷化镓单晶的位错密度；提高砷化镓单晶的质量，提高砷化镓单晶的直径，砷化镓单晶的生长直径达到
一种砷化镓单晶生长装置

[发明专利]水平三温区梯度凝固法生长砷化镓单晶的方法-CN200610023803.4无效
发明人：尹庆民;姚荣华 -专利权人：尹庆民;姚荣华
申请日： 2006-02-09 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：水平三温区梯度凝固法生长砷化镓单晶的方法属砷化镓单晶生长技术领域，其特点是：生长单晶的炉体不平移；温度场高温区T1温度，按单晶成形点的温度逐段下降，下降速率与单晶生长速率相吻合；不仅保证了单晶生长质量，
水平三温区梯度凝固生长砷化镓单晶方法

[发明专利]一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺-CN201310315978.2无效
发明人：吕云安;李玉萍;李磊 -专利权人：新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，本发明的技术方案要点是：一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺，将称量好的三碲化二镓放置在砷化镓原材料中，再将装有三碲化二镓的砷化镓原材料、籽晶及B2O3顺序放置在热解氮化硼坩堝内，然后将热解氮化硼坩堝放置在石墨坩堝中，最后将放有物料的石墨坩堝放入单晶炉中进行单晶生长。本发明对生长的砷化镓单晶掺杂量能精确控制，并同时使生长的n型低阻砷化镓单晶具有良好的电学性能。
一种用于型低阻砷化镓单晶生长掺杂工艺

[发明专利]一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺-CN202210732221.2在审
发明人：郭全斌 -专利权人：浙江康鹏半导体有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺，包括以下步骤：第一步，制备高纯度砷化镓多晶；第二步，半绝缘砷化镓单晶的生长：将第一步制备的高纯砷化镓多晶，按照一定的配料工艺装入热解氮化硼坩埚中，再采用垂直梯度凝固法，由计算机精确控制热场进行缓慢降温，生长界面由熔体下端逐渐向上移动，完成晶体生长，获得半绝缘砷化镓单晶棒；第三步，砷化镓晶片的制备。本发明通过电解与加热线圈精炼获得高纯度砷化镓，同时再采用粗As2O3和与正戊醇经过减压蒸馏冷凝得到高纯砷，进而使得制备的砷化镓晶片纯度更高
一种射频芯片用砷化镓大尺寸衬底材料制备工艺

[发明专利]一种砷化镓多晶合成及单晶衬底拋光方法-CN202211592323.5在审
发明人：何建军;沈丹丹;张浩鹏 -专利权人：江苏秦烯新材料有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓多晶合成及单晶衬底拋光方法，涉及拋光方法领域。该砷化镓多晶合成及单晶衬底拋光方法，包括炉体，所述炉体的内部设置有氮化硼坩埚，所述炉体的上端转动连接有密封保温盖，所述氮化硼坩埚的下端设置有加热器，所述炉体的左侧设置有真空泵，所述炉体的右侧设置有输气泵本发明在无液封砷化镓多晶合成基础上，又经过了垂直布里奇曼法定向结晶，合成的圆柱形GaAs多晶不存在镓团和砷团。采用本发明的方法合成的GaAs多晶化学计量比达到了水平布里奇曼法的水平，由于没有使用石英安培瓶，避免了Si杂质的沾污，因此合成的GaAs多晶既可用于半绝缘GaAs单晶的生长，又可用于低阻掺杂砷化镓单晶生长
一种砷化镓多晶合成衬底方法

[实用新型]一种砷化镓单晶的表面清洁装置-CN202222357070.5有效
发明人：何建军;沈桂英;赵有文 -专利权人：南通富电半导体材料科技有限公司;如皋市化合物半导体产业研究所;江苏秦烯新材料有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种表面清洁装置，尤其涉及一种砷化镓单晶的表面清洁装置。要解决的技术问题：提供一种可以自动清洗，减轻人们的负担的砷化镓单晶的表面清洁装置。一种砷化镓单晶的表面清洁装置，包括有支撑架、安装筒、水泵、进水管和连接管等；安装筒底部左右两侧均连接有支撑架，安装筒右侧连接有水泵，水泵右侧连接有进水管，水泵左侧连接有供水流动的连接管，连接管的两端分别密封式贯穿安装筒前后两侧本实用新型的电机可以带动砷化镓单晶转动，水泵可以将水输送到喷头内，水通过喷头喷出，对砷化镓单晶进行清洗，如此能够自动转动砷化镓单晶，自动清洗砷化镓单晶，减轻人们的负担。
一种砷化镓单晶表面清洁装置

[发明专利]半绝缘双面抛光微波晶片-CN201510622326.2在审
发明人：戚林 -专利权人：江苏中科晶元信息材料有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种半绝缘双面抛光微波晶片，包括晶片本体，所述晶片本体的正面设置有上抛光层，所述晶片本体的背面设置有下抛光层，所述晶片本体的材质为砷化镓。砷化镓拥有一些较单晶硅还要好的电子特性，使得砷化镓可以用在高于250GHz的场合。如果等效的砷化镓和单晶硅元件同时都操作在高频时，砷化镓会产生较少的声音。也因为砷化镓有较高的崩溃压，所以砷化镓比同样的单晶硅元件更适合操作在高功率的场合。
绝缘双面抛光微波晶片

[实用新型]半绝缘双面抛光微波晶片-CN201520752951.4有效
发明人：戚林 -专利权人：江苏中科晶元信息材料有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半绝缘双面抛光微波晶片，包括晶片本体，所述晶片本体的正面设置有上抛光层，所述晶片本体的背面设置有下抛光层，所述晶片本体的材质为砷化镓。砷化镓拥有一些较单晶硅还要好的电子特性，使得砷化镓可以用在高于250GHz的场合。如果等效的砷化镓和单晶硅元件同时都操作在高频时，砷化镓会产生较少的声音。也因为砷化镓有较高的崩溃压，所以砷化镓比同样的单晶硅元件更适合操作在高功率的场合。
绝缘双面抛光微波晶片

[发明专利]一种斜切砷化镓单晶光、热探测器-CN201310300137.4有效
发明人：傅广生;张洪瑞;吴筱美;王淑芳;闫国英;于威;李晓苇 -专利权人：河北大学
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L35/28 文献下载
摘要：本发明提供一种斜切砷化镓单晶光、热探测器，依次由导热胶粘结的斜切砷化镓单晶薄片，金属铜热沉和金属支架组成，在斜切砷化镓单晶薄片上表面设置两个对称的金属电极作为电压信号输出端，用电极引线将斜切砷化镓单晶薄片电压信号输出端与电压表输入端相连接本发明提供的斜切砷化镓单晶光、热探测器的优点是制备简单、成本低廉、响应灵敏度高、能实现全波段光谱探测及各种热辐射探测。
一种斜切砷化镓单晶光探测器

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