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[发明专利]集成高速续流二极管的沟槽碳化硅MOSFET及制备方法-CN202210755222.9有效
发明人：顾航;高巍;戴茂州 -专利权人：成都蓉矽半导体有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成高速续流二极管的沟槽碳化硅MOSFET及制备方法，属于功率半导体器件技术领域，本发明的MOSFET为沟槽结构，为了解决沟槽底部拐角处的电场集中问题，我们在MOSFET旁边加入了沟槽型的栅控二极管，并且沟槽底部均加入了P型埋层，借此削弱彼此的电场强度。此外，栅控二极管与器件原有的体二极管并联，大幅度降低了体二极管的导通压降，从而降低了反向续流工作模式下的损耗。另外，栅控二极管为单极型器件不存在少子存储效应，可以完全消除体二极管的反向恢复电流，从而降低动态损耗。
集成高速二极管沟槽碳化硅 mosfet 制备方法

[发明专利]具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法-CN202111373046.4有效
发明人：徐永年;杨世红 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其中，N+衬底包括MOSFET漏极和二极管阴极，N‑外延层层叠于N+衬底的上表面，N‑外延层上表面设有MOSFET的栅极沟槽、多个MOSFET隔离沟槽和至少一个二极管隔离沟槽，栅氧化层生成于N‑外延层、栅极沟槽、隔离沟槽以及二极管隔离沟槽的表面，MOSFET源极在MOSFET P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成，至少一个二极管阳极在二极管P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成，至少一个二极管阳极与MOSFET源极的距离小于第一阈值且大于零，所述第一阈值由所述MOSFET结构的耐压等级以及二极管的耐压等级决定。
具有温度检测功能 mosfet 结构制造方法

[发明专利]一种沟槽型功率晶体管-CN201711058085.9有效
发明人：王睿;袁愿林;龚轶;刘磊;毛振东 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种沟槽型功率晶体管，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、体二极管和体区接触二极管，体二极管与体区接触二极管串联连接，第一栅极通过栅极电压来控制第一电流沟道的开启和关断，第二栅极与源极连接并通过源极电压来控制第二电流沟道的开启和关断本发明的一种沟槽型功率晶体管在关断时，能够大幅降低流经体二极管的反向电流，从而能够大幅降低体二极管内的少子载流子，使得沟槽型功率晶体管实现快速的反向恢复功能。
一种沟槽功率晶体管

[发明专利]制作偶极子天线的异质Ge基等离子pin二极管的制备方法-CN201611187745.9有效
发明人：李妤晨;岳改丽;刘树林;童军 -专利权人：西安科技大学
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种制作偶极子天线的异质Ge基等离子pin二极管的制备方法，所述偶极子天线的Ge基等离子pin二极管天线臂由多个Ge基等离子pin二极管依次首尾相连构成等离子pin二极管串，所述Ge基等离子pin二极管的制备方法包括：选取GeOI衬底并设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，氧化所述P型沟槽和所述N型沟槽以形成氧化层；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；在所述GeOI衬底上生成二氧化硅；利用退火工艺激活有源区中的杂质；在所述P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以形成引线；钝化处理并光刻PAD以形成所述Ge基等离子pin二极管。
制作偶极子天线 ge 等离子 pin 二极管制备方法

[发明专利]一种在元胞内集成续流二极管的沟槽SiC MOSFET-CN202210549563.0在审
发明人：赵琳娜;顾晓峰;谈威 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种在元胞内集成续流二极管的沟槽SiC MOSFET，属于半导体技术领域。该结构中的续流二极管由N型源极多晶硅和SiC的P型屏蔽区形成的异质结二极管，与沟道二极管两部分构成，正向导通时，续流二极管提前开启于体内的寄生体二极管，使得体二极管导通被抑制，避免了因为体二极管的退化而引起的可靠性问题；同时，该结构将沟槽底部P型屏蔽区接地，避免了传统结构中浮动P型屏蔽区电极引起的器件可靠性问题，提高了器件长期使用中可靠性，同时优化了栅极氧化物底部的电场分布。且基于P型屏蔽区的浓度设计，在满足续流二极管开启电压要求的同时，对MOSFET沟槽氧化物以及底部续流二极管起到保护作用。
一种元胞内集成二极管沟槽 sic mosfet

[发明专利]在沟槽型VDMOS中制作防静电结构的方法-CN201410231863.X在审
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种在沟槽型VDMOS中制作防静电结构的方法。本发明在沟槽型VDMOS中制作防静电结构的方法，包括：在沟槽刻蚀后进行栅氧氧化生长和多晶硅沉积；在多晶硅表面涂覆第一掩膜材料，刻蚀多晶硅后去除第一掩膜材料，以在栅氧表面形成ESD二极管的多晶硅基底；在ESD二极管的多晶硅基底上，涂覆第二掩膜材料，注入N型离子，以形成ESD二极管的N型区，去除第二掩膜材料；在ESD二极管的多晶硅基底上，涂覆第三掩膜材料，注入P型离子，以形成ESD二极管的P型区，去除第三掩膜材料本发明，通过利用制作沟槽型VDMOS栅极所沉积的多晶硅制作ESD二极管的基底，解决了现有技术中，在沟槽型VDMOS栅极上制作ESD二极管生产周期长，工艺成本高的技术问题。
沟槽 vdmos 制作静电结构方法

[发明专利]一种具有高正向电流密度的沟槽肖特基二极管-CN202110553005.7在审
发明人：孔谋夫;胡泽伟;陈宗棋;高佳成;王彬;郭嘉欣;黄柯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供一种具有高正向电流密度的沟槽肖特基二极管，用以克服沟槽结构的肖特基二极管的正向电流密度降低的问题，具体涉及高正向电流密度的氧化镓沟槽肖特基二极管、碳化硅沟槽结势垒肖特基二极管及三维碳化硅沟槽结势垒肖特基二极管本发明的沟槽肖特基二极管中，仅有位于沟槽底部的第二金属阳极4下设置氧化物绝缘层或P型掺杂区，使得沟槽的侧壁与N型漂移区的上表面的第一阳极金属3与N型漂移区1形成肖特基接触，增大了电流的导通面积，因此能够减小比导通电阻
一种具有正向电流密度沟槽肖特基二极管

[发明专利]一种沟槽型超结功率器件-CN201711058205.5有效
发明人：刘磊;袁愿林;龚轶 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种沟槽型超结功率器件，包括源极、漏极、第一栅极、第二栅极、体二极管和体区接触二极管，体二极管与体区接触二极管串联连接，第一栅极通过栅极电压来控制第一栅极所控制的第一电流沟道的开启和关断，第二栅极与源极连接并通过源极电压来控制第二栅极所控制的第二电流沟道的开启和关断。本发明的一种沟槽型超结功率器件在关断时，能够大幅降低流经体二极管的反向电流，从而能够大幅降低体二极管内的少子载流子，使得沟槽型超结功率器件实现快速的反向恢复功能。
一种沟槽型超结功率器件

[发明专利]沟槽式多晶硅二极管-CN201110147177.0有效
发明人：陈曲飞;罗伯特.徐;凯尔.特里尔;戴娃.帕塔纳亚克 -专利权人：维西埃-硅化物公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明包括温度传感器，其包括被电连接到第一管脚和第二管脚的第一沟槽式多晶硅二极管，其中第一沟槽多晶硅二极管的一部分位于N-(P-)型外延区域的表面之下；和被连接到所述第一管脚和所述第二管脚的第二沟槽式多晶硅二极管，其中第二沟槽式多晶硅二极管的一部分位于N-(P-)型外延区域的所述表面之下，并且其中第一沟槽式多晶硅二极管和第二沟槽式多晶硅二极管被反并联地连接，能够通过在第一管脚和第二管脚之间测量的电压来确定温度。
沟槽多晶二极管

[发明专利]用于可重构偶极子天线的异质Ge基SPiN二极管串的制备方法-CN201611184735.X在审
发明人：尹晓雪;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明公开一种用于可重构偶极子天线的异质Ge基SPiN二极管串的制备方法，其中，所述可重构偶极子天线包括第一天线臂和第二天线臂，所述第一天线臂和第二天线臂包括多个异质Ge基SPiN二极管串，所述异质Ge基SPIN二极管串的制造方法包括在GeOI衬底内设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并形成P型有源区和N型有源区；在所述GeOI衬底上形成引线，形成异质Ge基SPIN二极管；在多个所述异质Ge基SPIN二极管上光刻PAD实现多个所述异质Ge基SPIN二极管的串行连接以形成多个所述SPiN二极管串，本发明提供的异质Ge基SPiN二极管串可用于高性能可重构偶极子天线的制备
用于可重构偶极子天线 ge spin 二极管制备方法

[发明专利]集成肖特基二极管的沟槽型MOS的制作方法-CN200610030559.4无效
发明人：张朝阳;姜宁;陶海燕 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成肖特基二极管的沟槽型MOS的制作方法，在版图设计时，在沟槽型MOS芯片的一边预留肖特基二极管占用区域，在接触孔形成前所有工序都将肖特基二极管占用区域打开至硅平面，并按以下步骤操作：步骤一，在做接触孔时将肖特基二极管占用区域部分打开，肖特基二极管占用区域留下层间膜柱子；步骤二，接触孔注入；步骤三，接触孔的注入激活；步骤四，肖特基区光刻；步骤五，将肖特基区的层间膜去除；步骤六，金属层形成。本发明在制造深沟槽MOS器件的同时在器件的一边形成多个并联的肖特基二极管，从而在器件级实现在沟槽MOS器件中集成肖特基二极管。
集成肖特基二极管沟槽 mos 制作方法

[发明专利]一种集成肖特基二极管的积累型屏蔽栅MOSFET-CN201610481043.5在审
发明人：李泽宏;李爽;陈文梅;陈哲;曹晓峰;李家驹;罗蕾;任敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术，特别涉及一种积累型的屏蔽栅MOSFET集成肖特基二极管，形成于硅衬底上且屏蔽栅MOSFET和肖特基二极管的形成区域分开且相邻。积累型屏蔽栅MOSFET具有屏蔽栅的结构，肖特基二极管具有和屏蔽栅MOSFET同样的沟槽结构；肖特基二极管通过源极金属填充到沟槽顶部来在沟槽侧面形成肖特基接触，减少了占用的芯片面积；同时，肖特基二极管的形成工艺与肖特基二极管反向偏置时，槽14内的多晶硅7与N+型漂移区2之间存在电场，N+型漂移区2产生耗尽，耗尽区向N+型漂移区2内扩展，最终完全耗尽，防护了肖特基结的击穿，减小了肖特基二极管反向的漏电流。
一种集成肖特基二极管积累屏蔽 mosfet

[发明专利]快恢复二极管及其制作方法-CN201711336628.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：嘉兴市龙锋市政建设有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种快恢复二极管及其制造方法。所述快恢复二极管包括N型外延层、形成于所述N型外延层的第一表面的快恢复二极管正面结构、形成于所述N型外延层远离所述快恢复二极管的正面结构的第二表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽表面的铂材料层、以及形成于所述N型外延层表面与所述铂材料层表面的金属层，所述金属层作为背面电极。
恢复二极管及其制作方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202111385011.2在审
发明人：吉田拓弥;铃木健司;原口友树 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体装置包含半导体基板、第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、二极管沟槽栅极及电极层。第1半导体层是作为半导体基板的上表面侧的表层而设置的。第2半导体层设置于第1半导体层的下方。二极管沟槽栅极的二极管沟槽绝缘膜是沿沟槽的内壁中的位于上部侧壁的下方的下部侧壁和底部形成的，该上部侧壁位于沟槽的上端侧。二极管沟槽栅极的二极管沟槽电极设置于沟槽内部。电极层将沟槽的上部侧壁覆盖。第1半导体层在沟槽的上部侧壁处与电极层接触。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种沟槽型IGBT功率器件-CN201711058787.7有效
发明人：龚轶;刘伟;刘磊;王睿 -专利权人：苏州东微半导体有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种沟槽型IGBT功率器件，包括发射极、集电极、第一栅极、第二栅极、体二极管和体区接触二极管，体二极管与体区接触二极管串联连接，第一栅极通过栅极电压来控制发射极和集电极之间的第一电流沟道的开启和关断，第二栅极与发射极连接并通过发射极电压来控制发射极和集电极之间的第二电流沟道的开启和关断。本发明的一种沟槽型IGBT功率器件在关断时，能够大幅降低流经体二极管的反向电流，从而能够大幅降低体二极管内的少子载流子，使得沟槽型IGBT功率器件实现快速的反向恢复功能。
一种沟槽 igbt 功率器件

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