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[实用新型]氮化镓外延结构-CN202122942896.3有效
发明人：徐琳 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓外延结构，其包括：氮化镓衬底、设置在氮化镓衬底上的氮化镓成核层、覆盖在氮化镓成核层上的致密氮化镓层以及设置在致密氮化镓层上的氮化镓外延层；其中，所述氮化镓衬底表面分布有多个凹陷部，多个所述凹陷部在氮化镓衬底表面的分布位置与所述氮化镓衬底的表面缺陷分布位置相对应。较之现有技术，本实用新型提供的氮化镓外延结构易于制作，生产效率高，其中氮化镓外延层的质量有明显提升，利于大规模生产和应用。
氮化外延结构

[发明专利]氮化镓基功率开关器件及其制作方法-CN201611260109.4在审
发明人：康玄武;刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基功率开关器件及其制作方法，在轻掺杂N型氮化镓外延片上方生长P型氮化镓外延层；对所述P型氮化镓外延层和所述轻掺杂N型氮化镓外延片进行刻蚀，以形成贯穿于所述P型氮化镓外延层或贯穿于所述P型氮化镓外延层并伸入所述轻掺杂N型氮化镓外延片中的场环结构；在含有所述场环结构的P型氮化镓外延层上方生长轻掺杂N型氮化镓外延层；其中，所述场环结构包括至少一个槽形结构。本发明通过采用外延法替代离子注入法来形成氮化镓基功率开关器件中的P型掺杂结构，杂质有效激活率高，避免了依靠退火技术来提高离子注入中杂质有效激活率的问题，降低了工艺实现的难度。
氮化功率开关器件及其制作方法

[实用新型]氮化镓基半导体外延器件-CN201821966789.6有效
发明人：陈彦良;大藤彻;谢明达 -专利权人：捷苙科技股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种氮化镓基半导体外延器件，由下而上依序包含基板、第一氮化镓外延层、缓冲层及第二氮化镓外延层，其中，基板为具有晶种层的基板、第一氮化镓外延层为五三比(V/III ratio)氮化镓外延层、缓冲层的五三比参数由大至小缓变的缓冲层，以及第二氮化镓外延层为五三比(V/III ratio)氮化镓外延层，据此氮化镓基半导体外延器件利用不同五三比氮化镓外延层及五三比参数由大至小缓变的缓冲层来达到高晶格质量及具有平整表面，进儿可以成长不同的氮化镓基外延结构
氮化镓外延层缓冲层氮化镓基半导体外延器件基板缓变氮化镓基外延平整表面晶种层晶格

[发明专利]氮化镓基功率二极管及其制作方法-CN201611258251.5有效
发明人：康玄武;刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基功率二极管及其制作方法，在重掺杂N型氮化镓衬底上方生长第一轻掺杂N型氮化镓外延层；在第一轻掺杂N型氮化镓外延层上方生长P型氮化镓外延层；对P型氮化镓外延层和第一轻掺杂N型氮化镓外延层进行刻蚀，以形成贯穿于P型氮化镓外延层或贯穿于P型氮化镓外延层并伸入第一轻掺杂N型氮化镓外延层的刻蚀图形；在含有刻蚀图形的P型氮化镓外延层上方生长第二轻掺杂N型氮化镓外延层；制作阳极和阴极，以形成氮化镓基功率二极管本发明采用外延法替代离子注入法来形成氮化镓基功率二极管中的P型掺杂结构，杂质有效激活率高，避免了依靠退火技术来提高离子注入中杂质有效激活率的问题，降低了工艺实现的难度。
氮化功率二极管及其制作方法

[发明专利]氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法-CN200410031469.8无效
发明人：洪详竣;赖穆人 -专利权人：炬鑫科技股份有限公司
申请日： 2004-03-29 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法，该外延结构包括一基材；一第一氮化镓缓冲层，形成于该基材上；一第二氮化铟镓缓冲层，形成于第一氮化镓缓冲层上；及一氮化镓外延层，形成于第二氮化铟镓缓冲层上。该制作方法是在一基材上于第一温度下外延形成一氮化镓第一缓冲层，接着于第二温度下形成另一氮化铟镓第二缓冲层于该第一氮化镓缓冲层上，再将温度升至第三温度并于升温过程中维持前驱物三甲基铟及氨气于氮化铟镓第二缓冲层上做表面处理，最后于第三温度下成长一高温氮化镓外延层。本发明提供的缓冲层结构及成长方法使得后续外延成长的氮化镓系外延层具有较完美的晶体结构及较低的缺陷密度，故能有效地提升组件的效率及使用寿命。
氮化化合物半导体外延结构及其制作方法

[发明专利]垂直氮化镓半导体器件和外延衬底-CN200680000348.4有效
发明人：桥本信;木山诚;田边达也;三浦广平;樱田隆 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-03-01 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：提供用于垂直氮化镓半导体器件的外延衬底，具有其中在n－型的氮化镓衬底上可以设置具有希望的低载流子浓度的n－型氮化镓层的结构。在氮化镓衬底(63)上设置氮化镓外延膜(65)。在氮化镓衬底(63)和氮化镓外延膜65中设置层区(67)。氮化镓衬底(43)和氮化镓外延膜(65)之间的界面位于层区(67)中。在层区(67)中，沿从氮化镓衬底(63)至氮化镓外延膜(65)的轴的施主杂质的峰值是1×10¹⁸cm^－3以上。该施主杂质是硅和锗中的至少一个。
垂直氮化半导体器件外延衬底

[发明专利]一种半导体外延结构及其应用与制造方法-CN202011625059.1在审
发明人：陈卫军;刘美华 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体外延结构及其应用与制造方法，所述半导体外延结构包括基板，第一氮化镓层，以及第二氮化镓层，第二氮化镓层形成于所述第一氮化镓层上，其中所述第一氮化镓层的晶格结构不同于所述第二氮化镓层的晶格结构通过本发明提供的一种半导体外延结构，可提高所述半导体外延结构的质量。
一种半导体外延结构及其应用制造方法

[发明专利]一种改善电流输运能力的发光二极管外延结构及其制备方法-CN202211726144.6在审
发明人：刘宝琴;朱剑峰;张蔚;任飞;袁林 -专利权人：南通同方半导体有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善电流输运能力的发光二极管外延结构及其制备方法，包括从底部往上依次在蓝宝石衬底上生长的外延层，具体包括：缓冲层、氮化镓成核层、外延层一、n型氮化镓层、外延层二、浅量子阱层、多量子阱发光层、电子阻挡层、p型氮化镓层。外延层一包括氮化铝/氮化铝镓/氮化镓组成的超晶格结构；外延层二包括氮化硅/n型氮化铝镓组成的超晶格结构。本发明的外延层一与外延层二分别在n型氮化镓层两侧，能够很好的改善正装发光二极管的电流输运能力。
一种改善电流输运能力发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体外延结构及其应用与制造方法-CN202010997934.2在审
发明人：陈卫军;刘美华 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体外延结构及其应用与制造方法，所述半导体外延结构包括基板，形成于所述基板上的氮化铝层，形成于所述氮化铝层上的第一氮化铝镓层，形成于所述第一氮化铝镓层上的第二氮化铝镓层，形成于所述第二氮化铝镓层上的氮化镓层，其中，所述第一氮化铝镓层的铝含量高于所述第二氮化铝镓层的铝含量。通过本发明提供的一种半导体外延结构，可提高所述半导体外延结构的质量。
一种半导体外延结构及其应用制造方法

[实用新型]一种半导体外延结构及其应用-CN202022077406.3有效
发明人：陈卫军;刘美华 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体外延结构及其应用，所述半导体外延结构包括基板，形成于所述基板上的氮化铝层，形成于所述氮化铝层上的第一氮化铝镓层，形成于所述第一氮化铝镓层上的第二氮化铝镓层，形成于所述第二氮化铝镓层上的氮化镓层，其中，所述第一氮化铝镓层的铝含量高于所述第二氮化铝镓层的铝含量。通过本实用新型提供的一种半导体外延结构，可提高所述半导体外延结构的质量。
一种半导体外延结构及其应用

[实用新型]一种氮化镓外延片及半导体器件-CN202122921034.2有效
发明人：李利哲;王国斌 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓外延片及包含氮化镓外延片的半导体器件。所述氮化镓外延片包括：衬底层，缓冲层，多晶氮化镓层，单晶氮化镓层和氮化镓外延层；其中，衬底层；缓冲层位于衬底层上层；多晶氮化镓层位于缓冲层上层；单晶氮化镓层位于多晶氮化镓层上层，单晶氮化镓层的厚度大于多晶氮化镓层的厚度，单晶氮化镓层的生长温度和压力均大于多晶氮化镓层的生成温度和压力；氮化镓外延层位于单晶氮化镓层上层，氮化镓外延层的生长温度小于单晶氮化镓层的生长温度。本实用新型利用缓冲层缓冲晶格失配产生的应力，利用多晶氮化镓层缓冲应力，采用单晶氮化镓层进一步缓冲应力，同时提高外延片的质量，减少位错密度，生成高质量的氮化镓外延层。
一种氮化外延半导体器件

[实用新型]用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构-CN202023061674.2有效
发明人：王国斌;王建峰;徐科 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构。所述用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底包括衬底和形成在衬底表面的氮化铝缓冲层，所述氮化铝缓冲层的表面分布有多个孔洞。本实用新型实施例提供的一种用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底，结构简单且可以实现原位生长。本实用新型实施例提供的一种用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底能够实现在低螺型位错下减少刃型位错，同时可以进一步降低氮化镓外延结构的位错密度。
用于外延生长氮化晶体复合衬底结构

[实用新型]一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构-CN201821921880.6有效
发明人：武良文 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构，包括衬底、氧化镓牺牲层、保护层、氮化镓基外延功能层；其中：所述氧化镓牺牲层介于衬底与氮化镓基外延功能层之间,所述氧化镓牺牲层上设置有一个在高氮氢比载气环境下生长的保护层本实用新型的优点在于：采用氧化镓（Ga₂O₃）作为化学剥离的牺牲层，一方面氧化镓与氮化镓材料的晶格失配度较低，在氧化镓上可以成长出高品质的氮化镓基LED外延结构,另一方面氧化镓和弱酸容易发生反应而被去除（而氮化镓不会和弱酸发生反应），所以在一种有氧化镓牺牲层的氮化镓基LED外延结构中,可以利用弱酸溶液去除氧化镓牺牲层,完成衬底与氮化镓基LED外延结构层的剥离。
氧化镓牺牲层氮化镓基LED 衬底外延结构化学剥离氮化镓基外延本实用新型保护层功能层去除弱酸氮化镓材料晶格失配度外延结构层弱酸溶液氮化镓高品质高氮载气剥离生长

[发明专利]p-GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202310202138.9有效
发明人：张子敏;钱振华;张艳旺;虞国新;吴飞;钟军满 -专利权人：无锡先瞳半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种p‑GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，该p‑GaN高电子迁移率晶体管包括：基础结构、P型氮化镓区和至少一个外延P型氮化镓区；P型氮化镓区和外延P型氮化镓区均处于基础结构上表面；各外延P型氮化镓区依次连接后与P型氮化镓区的一端连接；基础结构顶部还设置有电极结构。由于本发明在基础结构顶部设置有P型氮化镓区和至少一个外延P型氮化镓区，并各外延P型氮化镓区依次连接后与P型氮化镓区的一端连接，相比于现有的，本发明采用多个P型氮化镓区，将耗尽区引入的负电荷进行延伸，等效地在表面引入所需的负电荷
gan 电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法-CN202210095235.8在审
发明人：宁静;武海迪;张进成;贾彦青;王东;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石基氮化镓外延的衬底结构及其制备方法，该制备方法包括：步骤1：在金刚石衬底上制备氮化铝成核层；步骤2：在铜箔表面生长石墨烯层；步骤3：将石墨烯层从铜箔转移至氮化铝成核层上；步骤4：在石墨烯层上外延生长氮化镓外延层，得到金刚石基氮化镓外延的衬底结构。本发明的金刚石基氮化镓外延的衬底结构的制备方法，首先在金刚石衬底上低温磁控溅射了一层氮化铝成核层，再通过转移的方式将石墨烯层转移至氮化铝成核层上，然后再进行氮化镓外延生长，外延得到的氮化镓层具有良好的晶格取向，氮化铝成核层起到了晶格修正的作用。
金刚石氮化外延衬底结构及其制备方法

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