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[发明专利]双层氮化铬涂布的制品及相关方法-CN201480074830.7有效
发明人： R·L·史密斯;M·A·菲奇;G·E·威格森 -专利权人：美国威格森技术有限公司
申请日： 2014-02-03 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：用于在基底上方形成氮化铬涂层的方法，以提供氮化铬涂布的制品，制得的氮化铬涂布的制品每个使用含有材料层的双层氮化铬。含有材料层的双层氮化铬包括：(1)第一氮化铬材料层，其具有第一厚度、第一均匀的铬浓度和第一均匀的氮浓度，其位于且形成于靠近提供制品的基底；及(2)第二氮化铬材料层，其具有第二厚度、第二梯度增加的铬浓度和第二梯度减小的氮浓度，其位于且形成于第一氮化铬材料层上。具体的含有材料层的双层氮化铬提供具有优异的反射性和抗裂性的制品。
双层氮化铬涂布制品相关方法

[发明专利]氮化铬-氮化钛固溶体陶瓷及制备方法-CN200910055363.4无效
发明人：高濂;靳喜海 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备氮化铬-氮化钛陶瓷及制备方法，属于陶瓷材料领域。本发明的特征在于提供的氮化铬和氮化钛固溶体的通式为Ti_xCr_1-xN，其中0.4＜x≤0.6。通过在氮化铬中固溶氮化钛，然后利用放电等离子体烧结技术制备氮化钛-氮化铬固溶体陶瓷。该方法的突出特点是，通过在氮化铬中固溶一定量的氮化钛可以大幅度提高前者的热力学稳定性，上述因素结合放电等离子烧结技术低温快速烧结的特性可以有效抑制氮化铬在高温的热分解，获得高度致密的氮化铬-氮化钛固溶体陶瓷，并使材料的导电性和硬度相对于纯氮化铬陶瓷产生大幅度的提高。
氮化固溶体陶瓷制备方法

[发明专利]一种奥氏体不锈钢渗铬氮化表面处理工艺-CN201911325413.6在审
发明人：皇甫鸿宾;何俊杰;李林冲;张塞柏;王卫东;肖永华;张成余;范绍华;刘亮;徐春;刘兵 -专利权人：中核建中核燃料元件有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C23C10/42 文献下载
摘要：本发明属于核燃料制造领域，具体涉及一种奥氏体不锈钢渗铬氮化表面处理工艺，将工件埋入渗铬剂，再一同装入渗铬罐再入渗铬炉进行渗铬热处理，将工件置于高压真空气淬炉，渗铬层转化为渗铬氮化复合渗层，渗铬剂其成分为铬粉、填充剂和催化剂，渗铬热处理首先进行渗铬粉剂预处理及装载封装，再进行热处理；氮化处理包括清洗并干燥试样、工件和氮化炉，之后氮化炉进行渗氮热处理。渗铬剂配方避免了板结现象，对工造不易造成损伤，设计渗铬保温时间因素与渗层厚度之间的关系，控制渗铬层厚度，以及减小工件变形，固溶氮化工艺能够满足氮化要求，且消除了粉末渗铬过程对材料性能造成的不利影响。
一种奥氏体不锈钢氮化表面处理工艺

[发明专利]一种退除基材表面氮化铬膜的方法-CN200710125071.4有效
发明人：陈云;薛文砚;陈梁 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C23G1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于退除氮化铬膜的化学退除方法，该方法包括将一种化学溶液与氮化铬膜接触一段时间，然后用水清洗基材、吹干，再将一种酸性溶液与氮化铬膜接触，用水清洗基材、吹干，重复上述步骤直至氮化铬膜完全退除本发明提供的用于退除氮化铬膜的方法能够在不损伤耐碱、耐酸基材表面的情况下，稳定、有效地退除基材表面的氮化铬镀层。
一种基材表面氮化方法

[发明专利]被覆件及其制造方法-CN201010573047.9无效
发明人：张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;胡智杰 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-12-04 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种被覆件，该被覆件包括基体及形成于基体表面的纳米复合层，该纳米复合层包括若干氮化铝铬层和若干碳氮化铝铬层，所述若干氮化铝铬层和若干碳氮化铝铬层交替排布，所述纳米复合层最外层为氮化铝铬层或碳氮化铝铬层
被覆及其制造方法

[发明专利]一种氮化铬、氮化钛铝硬质多层纳米膜涂层-CN202011349555.9在审
发明人：范玉山;黄桃 -专利权人：苏州德耐纳米科技有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铬、氮化钛铝硬质多层纳米膜涂层，涉及硬质合金涂层技术领域，为解决现有的纳米膜镀层强度、硬度、耐磨性得不到均衡的问题。所述多层纳米膜涂层由底层、缓冲层、防护层以及加强层组成，所述底层为氮化铬涂层，所述缓冲层为氮化铬/氮化钛铝涂层，或所述缓冲层多层氮化铬涂层与氮化钛铝涂层呈交替分布，所述防护层为氮化钛铝涂层，所述加强层为氮化铬/氮化钛硅涂层，其中：所述缓冲层为氮化铬/氮化钛铝涂层时，所述底层的厚度为420‑660nm，所述缓冲层为1320‑2640nm，所述防护层的厚度为420‑660nm，所述加强层的厚度为300‑540nm
一种氮化硬质多层纳米涂层

[发明专利]铬-氮化铬复合涂层及其在纳米复合刀具的应用-CN201810908876.4有效
发明人：王鸣;陈刚 -专利权人：成都极星等离子科技有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铬‑氮化铬复合涂层、沉积有铬‑氮化铬复合涂层的纳米复合刀具及其制备方法，其中铬‑氮化铬复合涂层是由铬层和氮化铬层相互交替构成的多层涂层结构，该结构可应用于金属零件、刀具、模具等产品上，不仅可提高产品表面的硬度及耐腐蚀性能
氮化复合涂层及其纳米刀具应用

[发明专利]一种反铁磁氮化铬薄膜及其制备方法-CN202110386117.8在审
发明人：郭尔佳;金桥;荣东珂;林珊;陈爽;陈盛如;祁明群;金奎娟 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化铬薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：(1)制备多晶氮化铬靶材：将氯化铬粉末与氨基钠粉末混合，预烧后压成块状靶材，并再次烧结，得到多晶氮化铬靶材；(2)薄膜制备：将所述多晶氮化铬靶材置于脉冲激光沉积设备的真空腔体中，利用脉冲激光沉积在衬底上生长氮化铬薄膜。可根据器件需要，制备不同厚度及反铁磁转变温度的氮化铬薄膜。
一种反铁磁氮化薄膜及其制备方法

[发明专利]氮化钛铬涂层及其双层辉光等离子渗制备方法-CN201510777010.0在审
发明人：刘义林;黄国波;项军伟 -专利权人：浙江百纳橡塑设备有限公司;台州学院
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C23C10/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属表面镀层，特别涉及一种氮化钛铬涂层及其双层辉光等离子渗制备方法。一种氮化钛铬涂层，该氮化钛铬涂层的组成为氮化钛和氮化铬，其组成中钛、铬元素质量比为100：10~50。该氮化钛铬涂层用于金属表面冶金。本发明制得的氮化钛铬涂层，采用双层辉光离子渗金属技术处理形成的表面改性层致密、均匀，是一种合金元素呈梯度分布的合金层，不存在一般的膜基结合问题，解决了现有表面改性技术（物理气相沉积法、化学气相沉积法、离子注入等本发明所述的氮化钛铬涂层，采用的设备简单，可控性强，易于操作，适用范围广。
氮化涂层及其双层辉光等离子制备方法

[发明专利]热电材料氮化铬及其制备方法-CN201710247968.8在审
发明人：王超;夏峻峰;姜晶;周婷;牛夷;陈乙德;张蕊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明公开了氮化铬热电材料及其制备方法，属于热电材料领域。所述氮化铬热电材料由化学法合成得到，和传统的制备氮化铬的方法相比，工艺简单，大大缩短了生产制备周期，得到的氮化铬粉末也相对较纯。所得氮化铬热电材料在温度575℃时塞贝克系数可达到‑67uv/k以上，材料的ZT值在575℃时可以达到0.104，适用于中高温低功耗负载的温差发电器。结合氮化铬材料特有的耐磨、耐腐蚀和高硬度等优良的物理和机械性能，氮化铬成为一种极具潜力的中高温热电材料，能够应用在极端的条件下，比如太空卫星上的热电发电。本发明探究了一种更快速更高效合成氮化铬的方法和其在优良物理机械性能之外在热电应用领域里的潜在价值。
热电材料氮化及其制备方法

[实用新型]一种半导体复合耐热涂层-CN202221480971.7有效
发明人：欧阳双 -专利权人：成都杰启科电科技有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体复合耐热涂层，包括半导体和耐热层组，耐热层组包括氮化铬铝涂层和氮化钛铝涂层，氮化铬铝涂层涂覆在半导体的外表壁，并呈条纹状依次分布，氮化钛铝涂层涂覆在氮化铬铝涂层的外表壁，并呈条纹状依次分布，氮化铬铝涂层和氮化钛铝涂层依次交错分布在半导体的外表壁，通过将氮化铬铝涂层和氮化钛铝涂层具备的超强耐高温属性，使半导体具备优秀的耐高温性，从而大幅提高半导体的使用寿命。
一种半导体复合耐热涂层

[发明专利]被覆件及其制备方法-CN201010616922.7无效
发明人：张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;李聪 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种被覆件，其包括基体、依次形成于该基体上的铬渗入层、铬层、氮化铬梯度膜层及铱层；该基体的材质为碳纤维/硼化锆复合材料，该氮化铬梯度膜层包括依次形成于铬层上的第一梯度氮化铬膜层及第二梯度氮化铬膜层，所述第一梯度氮化铬膜层中的氮元素的质量百分含量由靠近基体至远离基体的方向呈梯度增加、所述第二梯度氮化铬膜层中的氮元素的质量百分含量由靠近基体至远离基体的方向呈梯度减少。
被覆及其制备方法

[发明专利]III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法、III族氮化物半导体自支撑基板或III族氮化物半导体元件的制造方法、以及III族氮化物生长用基板-CN201610077452.9有效
发明人：鸟羽隆一;宫下雅仁;八百隆文;藤井克司 -专利权人：同和电子科技有限公司;同和控股(集团)有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为秒的范围、厚度为的范围的方式成膜，前述氮化铬层在炉内压力6.666kPa以上且66.66kPa以下、温度1000℃以上的MOCVD
iii 氮化物半导体元件制造用基板方法支撑以及生长

[发明专利]硬质合金涂层及其制备方法、刀具-CN202110846459.3在审
发明人：赵伟;李敏超;周铁军;南应斗;张艳杰 -专利权人：富泰华精密电子（济源）有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：硬质合金涂层的制备方法，包括如下步骤，通过磁控溅射在基体表面沉积钛层，通过电弧镀在所述钛层表面沉积氮化铬层，通过磁控溅射在所述氮化铬层表面沉积氮化钛层，通过磁控溅射和电弧镀结合方式通过钛柱靶和铬弧靶在所述氮化钛层表面沉积氮化钛铬层硬质合金涂层包括依次形成于基体表面的钛层、氮化铬层、氮化钛层及氮化钛铬层，以原子百分比计，所述硬质合金涂层中各元素的原子占比为氮：铬：钛＝40％‑50％：15％‑25％：30％‑35％。
硬质合金涂层及其制备方法刀具

[发明专利]复合涂层及其制备方法-CN202211106051.3在审
发明人：李庆超 -专利权人：纳狮新材料有限公司;东莞瀚晶纳米材料有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：根据本申请的部分实施例的一种复合涂层，其包括在基材上形成的第一层和第二层，其中所述第一层为氧氮化铬涂层，所述第二层是致密氧化铬涂层，所述氧氮化铬涂层包含面心立方结构的氧氮化铬柱状晶体，其中所述氧氮化铬柱状晶体的晶轴垂直排列于所述氧氮化铬涂层的涂附表面上本申请的复合涂层能够优化涂层结构，呈现出致密的氧化铬表层，并通过面心立方结构排列的氧氮化铬涂层提供基材与涂层之间的结合强度，该涂层特别适用于在高温环境中使用。
复合涂层及其制备方法

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