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- [发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN200580032508.9有效
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李昔宪
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LG伊诺特有限公司
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2005-08-19
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2007-08-29
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H01L33/00
- 氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二氮化物半导体层。另一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。再一氮化物半导体发光器件包括，第一氮化物半导体层，形成在第一氮化物半导体层上的第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层，形成在第一Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的有源层，形成在有源层上的第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层，和形成在第二Al掺杂氮化物半导体缓冲层上的第二氮化物半导体层。
- 氮化物半导体发光器件及其制造方法
- [发明专利]场效应晶体管-CN200980148577.4无效
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按田义治;石田秀俊;上田哲三
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松下电器产业株式会社
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2009-11-12
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2011-11-09
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H01L21/338
- 本发明的目的在于提供低导通电阻的FET，本发明的FET包括：第一氮化物半导体层(103)；第二氮化物半导体层(104)，第二氮化物半导体层(104)被形成在第一氮化物半导体层(103)上，第二氮化物半导体层(104)的带隙能比第一氮化物半导体层(103)大；第三氮化物半导体层(105)，第三氮化物半导体层(105)被形成在第二氮化物半导体层(104)上；以及第四氮化物半导体层(106)，第四氮化物半导体层(106)被形成在第三氮化物半导体层(105)上，第四氮化物半导体层(106)的带隙能比第三氮化物半导体层(105)大，在第一氮化物半导体层(103)和第二氮化物半导体层(104)的异质结界面形成有沟道
- 场效应晶体管
- [发明专利]半导体结构-CN202111512288.7在审
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陈柏安
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新唐科技股份有限公司
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2021-12-07
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2023-02-17
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H01L29/778
- 一种半导体结构，该半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层以及栅极电极。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层依序堆叠于基板之上。源极电极以及漏极电极设置于第一氮化物半导体层之上。第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层、第三氮化物半导体层以及栅极电极依序堆叠于第二氮化物半导体层的顶面且位于源极电极以及漏极电极之间。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层具有P型掺杂。
- 半导体结构
- [发明专利]半导体器件-CN202110123134.2有效
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郝荣晖;黄敬源
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英诺赛科（苏州）半导体有限公司
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2020-10-14
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2022-02-15
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H01L29/778
- 半导体器件包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一p型掺杂氮化物半导体层、栅极结构、源极、漏极以及第二p型掺杂氮化物半导体层。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。第一p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层与栅极结构之间。源极以及漏极设置于第二氮化物半导体层上。第二p型掺杂氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层上，其中漏极至第二氮化物半导体层的顶面的高度大于第二p型掺杂氮化物半导体层至第二氮化物半导体层的顶面的高度，且至少一部分的第二p型掺杂氮化物半导体层于第二氮化物半导体层的垂直投影落在漏极于第二氮化物半导体层的垂直投影内
- 半导体器件
- [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110912104.X在审
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陈柏安
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新唐科技股份有限公司
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2021-08-10
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2022-12-23
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H01L29/778
- 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括基板、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第五氮化物半导体层以及第六氮化物半导体层。第一氮化物半导体层以及第二氮化物半导体层堆叠于基板上。第三氮化物半导体层以及第四氮化物半导体层设置于第二氮化物半导体层之上且位于源极电极以及漏极电极之间，并具有第一P型掺杂。第五氮化物半导体层设置于第四氮化物半导体层之上，且具有高于第四氮化物半导体层的带隙。第六氮化物半导体层设置于第五氮化物半导体层之上且耦接至漏极电极，具有第二P型掺杂。本发明实施例提供的半导体结构，能有效的降低生产成本以及生产时间。
- 半导体结构及其制造方法
- [发明专利]半导体装置-CN201510013137.5在审
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矶部康裕;杉山直治
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株式会社东芝
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2015-01-12
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2016-02-03
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H01L33/32
- 根据本发明的一种实施方式，半导体装置具有第一氮化物半导体层、本征氮化物半导体层、以及具有Al的第二氮化物半导体层。所述本征氮化物半导体层设置于所述第一氮化物半导体层的第一侧。所述第二氮化物半导体层设置于所述本征氮化物半导体层的与所述第一氮化物半导体层相对的一侧。所述第一氮化物半导体层在所述第一氮化物半导体层、所述本征氮化物半导体层以及所述第二氮化物半导体层层叠的方向上具有第一浓度和低于所述第一浓度的第二浓度重复出现的碳分布。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201610064455.9在审
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吉冈启;洪洪;矶部康裕
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株式会社东芝
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2016-01-29
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2017-03-22
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H01L29/778
- 根据实施方式，半导体装置具备第一氮化物半导体层与第二氮化物半导体层交替积层而成的第一积层型氮化物半导体层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、漏极电极、源极电极、及栅极电极。第一氮化物半导体层包含含有碳的氮化镓。第二氮化物半导体层包含氮化铝铟。第三氮化物半导体层设置在第一积层型氮化物半导体层之上，且包含氮化镓。第四氮化物半导体层设置在第三氮化物半导体层之上，且包含氮化铝镓。漏极电极与源极电极设置在第四氮化物半导体层之上。栅极电极隔在漏极电极与源极电极之间。
- 半导体装置
- [发明专利]氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法-CN201180019641.6有效
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笔田麻佑子;山田英司
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夏普株式会社
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2011-02-17
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2013-01-02
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H01L33/32
- 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法，氮化物半导体发光元件（100）在氮化物半导体活性层（107）上依次包括：第一p型氮化物半导体层（108）、第二p型氮化物半导体层（109）、第三p型氮化物半导体层（110），第一p型氮化物半导体层（108）及第二p型氮化物半导体层（109）分别含有Al，第一p型氮化物半导体层（108）的平均Al组分与第二p型氮化物半导体层（109）的平均Al组分相同，第三p型氮化物半导体层（110）的带隙小于第二p型氮化物半导体层（109）的带隙，第二p型氮化物半导体层（109）的p型杂质浓度及第三p型氮化物半导体层（110）的p型杂质浓度分别低于第一p型氮化物半导体层（108）的p型杂质浓度。
- 氮化物半导体发光元件制造方法
- [发明专利]氮化物半导体发光装置及其制造方法-CN200710084935.2有效
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驹田聪
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夏普株式会社
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2007-02-16
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2007-08-29
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H01L33/00
- 本发明提供了一种能够得到高的光发射输出同时减小正向电压Vf的氮化物半导体发光装置，并提供其制造方法。该氮化物半导体发光装置包括至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于该n型氮化物半导体和p型氮化物半导体之间的有源层(5)；其中该n型氮化物半导体包括多层氮化物半导体层(101)，其具有由第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层重复至少两次组成的堆叠结构；该多层氮化物半导体层(101)形成与该有源层(5)接触；该第一氮化物半导体层为包含n型杂质的层，且该第二氮化物半导体层为非掺杂层或者为包含n型杂质的浓度低于所述第一氮化物半导体层的层。
- 氮化物半导体发光装置及其制造方法
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