专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种氧化介电薄膜的低温液相制备方法-CN201610821753.8在审
  • 夏国栋;王素梅 - 齐鲁工业大学
  • 2016-09-14 - 2017-01-11 - H01L21/02
  • 本发明属于新材料及半导体领域,特别涉及一种氧化介电薄膜的低温液相制备方法。包括如下步骤:称取可溶性的盐,量取溶剂,配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化前驱体溶液,经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化前驱体溶液;制备氧化薄膜:将氧化前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化前驱体薄膜,进行50‑150 ℃的预热处理,然后经过一定功率、时间和温度的光波退火,根据氧化薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化溶液并退火处理,即得到氧化介电薄膜。本发明所得氧化薄膜介电性能高,在晶体管、电容器等微电子领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等,成本低,适合工业化大规模生产。
  • 一种氧化镧介电薄膜低温制备方法
  • [发明专利]稀土化学药碳酸咀嚼片的制备方法-CN201410815515.7有效
  • 王锦高;王滢 - 厦门科明达科技有限公司
  • 2014-12-24 - 2017-10-10 - A61K33/24
  • 稀土化学药碳酸咀嚼片的制备方法,涉及稀土化学药。将从市场采购的离子型稀土矿的分离产物‑氧化提纯,所述离子型稀土矿的分离产物‑氧化的稀土氧化占稀土总量的99.99%,除去稀土氧化中的杂质,实现稀土与其他稀土分离;所述杂质包括除氧化的其他稀土元素的氧化物和非稀土杂质元素;采用离子交换树脂吸附和脱附原理进行交换,先制作有机玻璃离子交换柱,交换柱填充离子交换树脂,离子交换树脂经2NHCl洗至无铁,用水洗至中性,浸泡后备用;将稀土与非稀土杂质分离;再用水洗除去氮三乙酸,实现稀土与其它稀土的分离;将得到的纯稀土离子用碳酸氢铵沉淀获得碳酸晶体,灭菌烘干后制成稀土化学药碳酸咀嚼片。
  • 稀土化学碳酸咀嚼制备方法
  • [发明专利]高效制备铝酸粉末的方法-CN201210591211.8有效
  • 姜银举;樊珍 - 内蒙古科技大学
  • 2012-12-31 - 2013-05-22 - C01F17/00
  • 本发明涉及一种高效制备铝酸粉末的方法,其包括如下步骤:(1)向氧化中加入质量为其1-20倍的水,搅拌,控制物料温度在30-250℃保温1至8小时,水热法得到氢氧化,(2)将氢氧化铝加入水热法得到的氢氧化和水体系中,氢氧化铝与氧化的摩尔比为2:1,以水作为介质,通过搅拌使氢氧化铝和氢氧化充分混合,搅拌1-10分钟后过滤,(3)氢氧化铝和氢氧化混合物在1000℃至1400℃温度下保温1至5小时,得到铝酸粉末氢氧化和氢氧化铝充分混合且混合物容易过滤,焙烧温度低、合成时间短。本发明方法适合于大规模化制备铝酸粉末。
  • 高效制备铝酸镧粉末方法
  • [发明专利]一种氧化掺杂Ce‑TZP陶瓷及其制备方法-CN201710493292.0在审
  • 张文;宋希文;包金小;谢敏;周芬;郜建全;安胜利 - 内蒙古科技大学
  • 2017-06-26 - 2017-09-29 - C04B35/488
  • 本发明提供了一种氧化掺杂Ce‑TZP陶瓷及其制备方法,包括以下步骤(1)将氧化铈、氧化锆、分散剂和水的混合浆料依次进行第一球磨和第一砂磨,得到氧化铈稳定氧化锆粉体;(2)将氧化、分散剂和水的混合浆料进行第二砂磨,得到氧化粉体;(3)将所述氧化铈稳定氧化锆粉体、氧化粉体、分散剂和水的混合浆料进行第二球磨,得到掺杂氧化氧化铈稳定氧化锆粉体;(4)将所述掺杂氧化氧化铈稳定氧化锆粉体依次进行干压成型、排胶和烧结,得到氧化掺杂Ce‑TZP陶瓷。发明提供的制备方法过程简单,成本低,容易进行工业化生产,无环境污染,且得到的氧化掺杂Ce‑TZP陶瓷晶粒均匀细小,力学性能好。
  • 一种氧化掺杂cetzp陶瓷及其制备方法
  • [发明专利]以银氧化氧化为基础的电接触材料及其生产工艺-CN200710020955.3无效
  • 章景兴 - 章景兴
  • 2007-04-05 - 2007-09-19 - H01H1/02
  • 本发明涉及一种以银氧化氧化为基础的电接触材料,它是在银基体中含有氧化锡与氧化,材料中氧化锡的份额为3.0~15%,氧化的份额为1~12%,余量为银。其工艺步骤为:将银锭、锡和置于熔炼炉中熔炼并铸锭,加工成碎屑,经高温高压氧化得到以银氧化氧化为基础的混合相材料,经过机械加工破碎,将碎屑在钢模中加压成型,然后在高温下挤压成条、带材,再经过拉拔得到以银氧化氧化为基础的线材产品;或将银、锡、粉末混合并压锭,挤压成条、带材,经过拉拔得到以银氧化氧化为基础的线材产品。
  • 氧化基础接触材料及其生产工艺
  • [发明专利]氧化纳米管和氧化纳米管的制备方法-CN200610019327.9无效
  • 乐治平;代丽丽;黄艳秋 - 南昌大学
  • 2006-06-08 - 2006-12-06 - C01F17/00
  • 本发明涉及氢氧化纳米管和氧化纳米管的制备方法,属于无机材料制备工艺技术领域。将摩尔配比为稀土的水溶性盐0.1-2摩尔,尿素1-20摩尔混合均匀溶于水中;将上述溶液在50℃-120℃下条件下反应0.1-168小时,然后冷却至室温,过滤得到的沉淀,去离子水洗涤,80-90℃烘干,得到白色粉末状态的氢氧化纳米管;将氢氧化纳米管在200-900℃焙烧,0.5-8小时后冷至室温,即制得氧化纳米管。本发明的优点在于:本发明在常压下加热制备氢氧化氧化纳米管,具有工艺简单、易于实现工业化生产的特点,氢氧化纳米管和氧化纳米管将在半导体元件、显示器件、高性能陶瓷、催化等领域拥有良好的应用前景。
  • 氢氧化纳米氧化制备方法

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