专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高纯铑粉的制备方法-CN202110538180.9在审
  • 庞帅;王志 - 安徽拓思贵金属有限公司
  • 2021-05-18 - 2021-08-03 - B22F9/22
  • 本发明公开了一种高纯铑粉的制备方法,其步骤包括:(1)焙烧;(2)溶解;(3)铵盐还原除杂;(4)络合;(5)沉淀铑;(6)铑液制取;(7)水合肼还原;(8)氢还原。本发明将含铑残渣与过氧化钡熔融后,将贵金属铂、铑氧化成可溶解的氧化物,用盐酸溶解,然后用氯化铵沉淀法分离铂和铑,然后将含铑的滤液用亚硝酸钠溶液络合后调节PH,用氯化铵沉淀法沉淀铑,得铑液,再用离子交换树脂去除贱金属,最后水合肼还原、氢还原得铑粉,该方法具有工艺简单,提纯周期短,操作方便,等优点,而且废气废物排放少,有利于保护环境,并且对设备要求简单。
  • 一种高纯制备方法
  • [发明专利]pH-氧化还原电位调整水制造装置-CN202180056597.X在审
  • 颜畅子 - 栗田工业株式会社
  • 2021-03-18 - 2023-05-30 - B01F21/00
  • pH‑氧化还原电位调整水制造装置(1)在超纯水(W)的供给线(2)设置铂族金属负载树脂柱(3),超纯水供给线(2)接着分支为第一调整水制造线(4)和第二调整水制造线(5)。在第一调整水制造线(4)连通有pH调整剂罐(41)并且连通有氧化还原电位调整剂罐(42),在其后段设置有第一储存槽(43)。在第二调整水制造线(5)连通有pH调整剂罐(51)并且连通有氧化还原电位调整剂罐(52),在其后段设置有第二储存槽(53)。只要是这种pH‑氧化还原电位调整水的制造装置,能够在使用钴等过渡金属作为布线金属的半导体的布线制造工序中溶解规定量的布线金属。
  • ph氧化还原电位调整制造装置
  • [发明专利]一种含钯废料绿色回收钯的方法-CN201810670273.5有效
  • 张深根;丁云集;刘波 - 北京科技大学
  • 2018-06-26 - 2020-07-31 - C22B11/00
  • 本发明主要属于再生贵金属领域,涉及一种含钯废料绿色回收钯的方法,所述方法首先将含钯废料进行球磨、焙烧、还原、蒸馏等预处理,然后以Fe3+氧化剂,在酸性体系中钯被氧化并与氯离子络合进入液相,浸出液通过阴离子交换树脂选择性吸附[PdCl4]2‑,最后解吸、还原得到单质钯,Fe2+氧化为Fe3+后循环利用。本发明采用环保无污染Fe3+氧化剂,利用阴离子树脂吸附钯,尾液循环利用,具有经济、环保、节能减排等优点,适合于工业化应用。
  • 一种废料绿色回收方法
  • [发明专利]pH、氧化还原电位调节水的制造装置-CN201880060253.4在审
  • 颜畅子 - 栗田工业株式会社
  • 2018-03-20 - 2020-05-08 - C02F1/66
  • pH及氧化还原电位调节水的制造装置(1)在超纯水(W)的供给线(2)设置有铂族金属负载树脂柱(3),在其后段配备了pH调节剂注入装置(4A)和根据需要而设的氧化还原电位调节剂注入装置(4B)。然后,根据pH计(10A)及ORP计(10B)的测量结果,控制pH调节剂注入装置4A和氧化还原电位调节剂注入装置(4B)的注入量。根据所述pH及氧化还原电位调节水的制造装置,能通过准确地调节pH及氧化还原电位从而使有钨等铬族元素暴露的半导体晶片的带电、腐蚀溶解的程度最小化。
  • ph氧化还原电位调节制造装置
  • [发明专利]氮化铝烧结颗粒的制造方法-CN201380072246.3有效
  • 福永豊;金近幸博 - 德山株式会社
  • 2013-02-04 - 2018-02-16 - C01B21/072
  • 本发明是提供简便地制造高导热性及对树脂等充填性优异、平均粒径10~200μm、可用于散热性的树脂或散热膏、接着剂、涂料等的散热材料用填充物的氮化铝烧结颗粒的方法。本发明的氮化铝烧结颗粒的制造方法,其包含一还原氮化步骤,在1400℃以上、1700℃以下的温度对多孔质氧化铝颗粒作还原氮化,成为多孔质氮化铝颗粒;以及一烧结步骤,在1580℃以上、1900℃以下对在上述还原氮化步骤取得的多孔质氮化铝颗粒作烧结
  • 氮化烧结颗粒制造方法
  • [发明专利]还原扩散各向同性钐铁氮粉末及磁体的工艺-CN202010052303.3在审
  • 柴晓峰;李东;毛建星;盛柳燕 - 杭州史宾纳科技有限公司
  • 2020-01-17 - 2020-05-19 - H01F1/059
  • 本发明公开了一种还原扩散各向同性钐铁氮粉末及磁体的工艺,包括如下步骤:(1)、原料的重量配比为:氧化钐200‑300克,铁粉600‑700克,还原剂60‑100克,采用钙或氢化钙或钙/乙烷作为还原剂,用V型混料机混25‑35分种;(2)、进行还原扩散反应,反应温度为1180‑1200℃,时间为1‑5小时;(3)、还原扩散反应后物料进行破碎;(4)、氮化:氮化反应在氮气或氮氢混合气体或氮气乙烷混合气体中进行,氮化温度采用500‑600℃,氮化时间采用1‑5小时;(5)、环氧树脂粘结磁体,磨粉时间设定在2分钟。本发明的有益效果为:本发明还原扩散工艺,原料用氧化钐不用金属钐,省去从氧化钐到金属钐的提纯工艺节省了成本。
  • 还原扩散各向同性钐铁氮粉末磁体工艺

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