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[发明专利]提拉法生长组分均匀硅酸铋(Bi4-CN202010406016.8有效
发明人：肖学峰;张学锋;张欢;韦海成;魏同利;张莎;雷玉玺;李维银 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：一种提拉法生长组分均匀硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)晶体的方法，该方法采用提拉法生长硅酸铋单晶，在硅酸铋晶体生长过程中，调整硅酸铋晶体生长过程中的提拉速度不恒定，或调整硅酸铋晶体生长过程中的旋转速度不恒定，以使生长的硅酸铋晶体组分均匀，采用本发明的方法，在提拉法生长硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)非一致熔融晶体过程中，依照一定的曲线改变晶体生长过程中的提拉速度、旋转速度，使得硅酸铋晶体生长过程中的提拉速度不恒定，或硅酸铋晶体生长过程中的旋转速度不恒定，可有效改善硅酸铋晶体成分的不均匀性。
提拉法生长组分均匀硅酸 bi base sub

[发明专利]晶体生长装置及方法-CN201911282500.8在审
发明人：李超;朱刘;狄聚青;李镇宏 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提出一种晶体生长装置，该晶体生长装置包括外坩埚、PBN坩埚、籽晶、PBN塞子，PBN坩埚置于外坩埚内，PBN坩埚包括自上而下的晶体生长部、放肩部、籽晶井，籽晶井下端封闭，晶体生长部、放肩部、籽晶井共同形成一个收容空间，在晶体生长过程中，籽晶位于籽晶井和放肩部所对应的收容空间内，而多晶料和覆盖剂均位于籽晶上方所对应的收容空间内，PBN塞子位于籽晶井内，且PBN塞子下端抵接籽晶井内底面，PBN塞子上端抵接籽晶下底面。本发明同时提出一种晶体生长方法。本晶体生长装置及方法可提高晶体生长过程中籽晶熔接质量，确保化学计量比，控制晶体生长过程中的杂质水平，最终以低成本实现高质量晶体生长。
晶体生长装置方法

[发明专利]一种消除蓝宝石晶体生长过程中气泡的方法-CN201210339878.9有效
发明人：吕铁铮 -专利权人：吕铁铮;赵丽丽;李万辉
申请日： 2012-09-13 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C30B30/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除蓝宝石晶体生长过程中气泡的方法，它是在蓝宝石晶体生长过程中，加载超声波，超声波的频率不低于230kHz。本发明提供的方法可以有效去除蓝宝石晶体生长过程中的气泡，且操作简单，成本低廉，有较强的工业应用价值。
一种消除蓝宝石晶体生长过程气泡方法

[发明专利]一种晶体生长方法及装置-CN202010562410.0有效
发明人：王宇;官伟明;梁振兴;李敏 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶体生长方法和装置。该晶体生长方法和装置能够抑制晶体生长过程中生长腔体的氧化挥发。在对装有生长晶体的原料的生长腔体进行初步抽真空处理后，在加热生长腔体过程中，对生长腔体进行二次抽真空处理，然后向生长腔体通入保护气体以及对生长腔体进行换气处理，能有效地减少生长腔体内的氧气，进而抑制晶体生长过程中的生长腔体氧化挥发的问题，从而提高晶体质量。
一种晶体生长方法装置

[发明专利]反馈晶体生长状态的方法、晶体生长控制方法及控制系统-CN201710025411.X有效
发明人：朱允中;王彪;林少鹏;马德才 -专利权人：中山大学
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种反馈晶体生长状态的方法，通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势，获得实时变化的电信号，由所述实时变化的电信号反馈晶体生长状态。本发明还涉及一种晶体生长控制方法，通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势，获得实时变化的电信号，根据所述实时变化的电信号调整晶体生长的条件参数，从而控制晶体生长。本发明还涉及一种晶体生长控制系统，包括晶体生长控制装置、生长信号采集单元和信号处理单元。通过本发明的方法可以精确反馈晶体生长的整体状态，克服判断滞后的缺陷，实时控制晶体生长工作。
反馈晶体生长状态方法控制控制系统

[发明专利]一种晶体生长装置和一种Er;Yb双掺LuAG晶体及其制备方法-CN201810797964.1在审
发明人：王彪;权纪亮;朱允中;马德才;杨名鸣;龙思卫;杨鑫 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体生长装置和一种Er,Yb双掺LuAG晶体及其制备方法，涉及光电子材料技术领域。本发明提供的晶体生长装置包括下保温系、上保温系统和提拉控制系统，本发明提供的晶体生长装置适合高温晶体的生长，可以有效避免高温晶体生长的温场稳定性差和晶体生长过程中容易产生开裂的问题。使用本发明的装置进行晶体生长，整个生长过程可实现全自动化控制；使用该装置制备的Er,Yb双掺LuAG晶体热导率高，光学性能良好，适用于高功率激光器的工作物质。
晶体生长装置双掺制备高功率激光器高温晶体生长晶体生长过程全自动化控制光电子材料保温系统高温晶体工作物质光学性能晶体生长控制系统生长过程装置制备热导率提拉温场保温生长

[发明专利]一种铽镓石榴石晶体及其生长方法-CN202111671316.X有效
发明人：罗毅;龚瑞 -专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种铽镓石榴石晶体及其生长方法，涉及晶体生长技术领域。本发明铽镓石榴石晶体的生长方法，包括以下步骤:(1)将氧化铽和氧化镓干燥后混料得到混合料；(2)将混合料压块后置于高温炉烧结得到多晶原料；(3)将多晶原料置于铱坩埚中在温场中心熔融得到熔融液，将籽晶下入熔融液液面下进行晶体生长，得到铽镓石榴石晶体。本发明将混合料置于高温炉中依次进行四次烧结，充分对混合料进行多晶合成，减少后续晶体生长过程中的氧化镓的挥发，在晶体生长过程中控制温场梯度，确保晶体生长过程中不会发生扭曲现象，有效避免晶体生长螺旋的情况发生，得到一种大尺寸铽镓石榴石晶体。
一种石榴石晶体及其生长方法

[发明专利]适用于高温氧化物晶体生长的辅助监测系统-CN201310095356.3有效
发明人：李红军;陈伟超;唐慧丽;徐军;钱小波;胡克艳;王静雅;汪传勇;吴锋;唐飞 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于高温氧化物晶体生长的辅助监测系统，包括：夹持籽晶的籽晶夹持单元；设计为与所述籽晶夹持单元和所述籽晶绝缘的生长炉，所述生长炉容纳有用于生长晶体的熔体；以及一端连接到所述籽晶夹持单元，并且另一端连接到所述生长炉的电容监测单元，所述电容监测单元用于在晶体生长过程中监测随着晶体和熔体的相对比例变化而变化的电容值而输出电容信号。在晶体生长过程中，晶体和熔体的比例不断变化，由于熔体和晶体的介电常数不同，晶体生长过程中测得的电容值不同，从而监控电容值可以即时监控晶体和熔体混合物的介电常数，进而推导出晶体和熔体的比例，在一定程度上可即时反馈晶体生长状况，从而可以辅助监控晶体的生长状况。
适用于高温氧化物晶体生长辅助监测系统

[发明专利]一种低应力晶体的生长方法-CN202110145424.7有效
发明人：史艳磊;孙聂枫;王书杰;付莉杰;邵会民;赵红飞;李亚旗;刘惠生;孙同年;康永;张晓丹;张鑫;姜剑;李晓岚;王阳;薛静 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种低应力晶体的生长方法，涉及晶体制备领域，尤其涉及使用提拉法制备低应力、低缺陷晶体的方法，借助拥有可移动式晶体加热罩的提拉法晶体生长装置实现，晶体生长装置实现包括炉体，炉体底部的坩埚及加热保温系统，晶体提拉机构，石英观察窗，所述装置还有可移动式晶体加热罩，包括加热罩体、设置在加热罩体四周的加热丝、加热罩升降机构。晶体生长过程中，以及晶体提拉出熔体后，用可移动式晶体加热罩进行覆盖。采用本方法，可以降低晶体生长过程中、以及晶体提起后降温过程中晶体内部的温度梯度，从而降低晶体应力，降低缺陷，避免晶体开裂，同时保持熔体内的温度梯度，保证晶体生长过程稳定，从而保证晶体成品率。
一种应力晶体生长方法

[发明专利]大质量晶体生长的局部温度梯度的控制方法及装置-CN202010724074.5有效
发明人：高佑君;柴晓磊;樊海强 -专利权人：山西中科晶电信息材料有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种大质量晶体生长的局部温度梯度的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一:安装晶体生长炉,进行升温化料、调温、熔种处理；步骤二:将步骤一中熔种后的晶体生长炉的各温区进行调整温度，逐步降低肩部温度，完成晶体的放肩过程；步骤三:将晶体生长炉的支撑管及石英管保持不动，晶体生长炉的传动装置上移带动炉体移动，使晶体生长界面上移，实现晶体的生长；步骤四：炉体移动同时逐渐下降晶体生长炉的炉芯，使晶体生长炉的炉芯与支撑管相对移动通过生长过程中对保温材料及相对位置的调整实现晶体生长过程中温度梯度的针对性调整。
质量晶体生长局部温度梯度控制方法装置

[发明专利]一种碳化硅晶体生长中抑制表面台阶粗化的方法-CN202310797410.2有效
发明人：黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶体生长中抑制表面台阶粗化的方法，所述方法包括如下步骤：（1）加热硅原料与助溶剂，得到硅合金溶液；（2）将籽晶的底面接触步骤（1）所得硅合金溶液，使碳化硅晶体在所述籽晶的底面生长；在所述碳化硅晶体的生长过程中，对靠近碳化硅晶体生长面的硅合金溶液进行高频振动处理。本发明通过在碳化硅晶体的生长过程中对硅合金溶液施加高频振动，进而提高了传输到碳化硅晶体生长面的台阶前沿的C溶质量，使得台阶沿宽度方向持续生长，从而抑制了碳化硅晶体生长过程中的台阶粗化。
一种碳化硅晶体生长抑制表面台阶方法

[发明专利]一种金属晶体生长方法及装置-CN202210067573.0有效
发明人：王宇;官伟明 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种金属晶体生长方法及装置，该方法包括将籽晶和原料置于生长腔体内；通过加热组件加热所述生长腔体，以熔化所述原料；基于所述籽晶和熔融原料进行晶体生长，在所述晶体生长过程中，通过监控组件获取所述生长腔体内的温度分布；基于所述温度分布，调节所述加热组件的加热相关参数和/或运动组件的运动相关参数，使所述晶体生长过程的温度梯度小于预设梯度阈值。
一种金属晶体生长方法装置

[实用新型]冷却装置和晶体生长设备-CN202220246462.1有效
发明人：王双丽;陈俊宏 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种冷却装置和晶体生长设备，冷却装置用于晶体生长设备，且用于对晶体进行冷却，晶体的顶部具有晶冠，冷却装置包括第一冷却套和第二冷却套，第一冷却套适于与晶体生长设备的拉晶机构固定相连且罩设于晶冠上侧，在晶体生长过程中第一冷却套随拉晶机构的提升而上升，且第一冷却套的内壁面和晶体的表面间隔开，第二冷却套形成为筒状结构，在冷却装置的横截面上，第二冷却套的正投影套设于第一冷却套的正投影外，第二冷却套用于在晶体的生长过程中对晶体的不同部分进行冷却根据本实用新型的冷却装置，有效保证晶体整个生长过程中的冷却需求，尤其是保证了晶体生长初期对晶冠的冷却需求。
冷却装置晶体生长设备

[发明专利]一种基于生长组分稳定输运的碳化硅晶体生长方法-CN202310191456.X在审
发明人：张永良;孔海宽;忻隽;陈建军;王升 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：一种基于生长组分稳定输运的碳化硅晶体生长方法，该方法采用在原料区域放置两个具有通孔的同心石墨圆环，使原料区域始终有通畅的生长组分输运通道，保证了整个晶体生长过程晶体生长面气象生长组分分布均匀、波动小，避免了由于温度梯度使碳化硅原料在生长过程中原料中心顶部由于重结晶导致晶体生长前期与后期生长组分输运不同造成生长面组分浓度差异进而造成缺陷的问题，最终获得单一晶型高质量晶体。
一种基于生长组分稳定输运碳化硅晶体生长方法

[发明专利]一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长过程中出现杂晶的方法-CN201110350938.2有效
发明人：罗军华;孙志华;陈天亮;洪茂椿 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST)晶体生长过程中出现杂晶的方法，属于晶体生长领域。在生长DAST晶体的过程中，向生长溶液内添加比表面积为200~1000m2/g的颗粒状或柱状活性炭作为吸附剂。活性炭颗粒的加入可以拓宽DAST晶体生长溶液的亚稳相区间，减少微晶的聚集趋势，提高生长溶液的稳定性。本发明所采用的方法比较简单，便于操作，可以有效抑制或延缓DAST晶体生长溶液中出现杂晶，起到调节晶体生长速率、改善晶体生长习性的作用；而且能够在生长过程中降低晶体内部的缺陷，容易获得具有高光学质量的DAST晶体。
一种抑制甲基氨基苯乙烯吡啶甲苯磺酸盐晶体生长过程出现方法

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