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[发明专利]由焦炭或煤电化学生产石墨烯片-CN201780036970.9在审
发明人：阿茹娜·扎姆;张博增 -专利权人：纳米技术仪器公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： B01J8/08 文献下载
摘要：一种由焦炭或煤粉生产石墨烯片的方法，所述方法包括：(a)通过在插层反应器中进行的电化学插层形成经插层的焦炭或煤化合物，所述反应器含有(i)液体溶液电解质，所述液体溶液电解质包含插层剂；(ii)工作电极，其中所述焦炭或煤粉选自石油焦炭、煤衍生的焦炭、中间相焦炭、合成焦炭、风化褐煤、褐煤、或天然煤矿粉；以及(iii)与所述电解质处于离子接触的对电极，并且其中将电流施加在所述工作电极和所述对电极上以实现将所述插层剂电化学插层到所述粉末中；并且(b)使用超声处理、热冲击暴露、机械剪切处理、或其组合使所述经插层的焦炭或煤化合物膨化并且从所述经插层的焦炭或煤化合物中分离石墨烯平面以生产孤立的石墨烯片。
焦炭插层电解质工作电极石墨烯片电化学插层液体溶液反应器插层剂对电极煤粉离子褐煤液体电解质电化学超声处理电流施加风化褐煤合成焦炭机械剪切石油焦炭热冲击石墨烯膨化生产孤立煤矿暴露

[发明专利]插层型有机纳米高岭土及其制备和在制备聚氨酯纳米复合泡沫材料中的应用-CN200910022364.9无效
发明人：李彦锋;孙德文;张博;潘晓兵 -专利权人：兰州大学
申请日： 2009-04-23 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C09C1/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种插层型有机纳米高岭土的制备，是将盐酸活化及干燥后的高岭土与二甲基亚砜以1∶2～1∶6的质量比混合、经球磨机研磨分散插层得高岭土-二甲基亚砜胶状液，于150～170℃下反应3～6h得到高岭土插层前驱体；将高岭土插层前驱体与其3～9倍质量数的三乙醇胺在160～190℃置换反应1～4h，干燥，得到具有极好的有机相容性和良好的分散性的插层型有机纳米高岭土。将该插层型有机纳米高岭土球磨分散于聚醚中，得到有机纳米高岭土复合聚醚；再以有机纳米高岭土复合聚醚为组分，按公知的聚氨酯软泡方法制得插层型高岭土/聚氨酯纳米复合泡沫材料，其阻燃性明显改善，燃烧之后可全部炭化而无滴落
插层型有机纳米高岭土及其制备聚氨酯复合泡沫材料中的应用

[发明专利]石墨烯纳米带的制备方法-CN201310019285.9有效
发明人：周明杰;袁新生;王要兵;吴凤 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：一种石墨烯纳米带的制备方法，包括如下步骤：制备碳纳米壁；在无氧条件下，按照摩尔比为1～5:1将碳纳米壁与金属插层剂混合，然后置于真空环境中加热至200℃～1000℃保温反应12小时～120小时，得到金属的插层碳纳米壁；其中，金属插层剂为锂、钠、镁、钾、钙、铷、锶及钡中的至少一种；按照质量体积比为1克:10毫升～100毫升，将金属的插层碳纳米壁与离子液体混合，并使用功率为2000W～10000W的超声处理0.5分钟～30分钟，得到反应液，过滤反应液得到石墨烯纳米带。
石墨纳米制备方法

[实用新型]一种采用微波辐照一步法量产石墨烯的设备-CN201820084363.1有效
发明人：贾纬民 -专利权人：莆田市超维二维科技发展有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：一种采用微波辐照一步法量产石墨烯的设备，所述设备包括反应釜，釜顶设置有微波源，所述微波源连接有波导装置且所述波导装置延伸入反应釜内。本实用新型在具有严重污染的氧化剂或插层剂中仅需择一种使用即可实现氧化连带插层的功能，大幅环境污染负荷，且可选取相对环保的高铁酸盐等氧化剂或插层剂，工艺过程无需加热加压，免除了预处理的步骤，氧化、插层、剥离包括还原可在反应釜中一步
反应釜石墨烯量产氧化剂波导装置微波辐照插层剂微波源一步法插层预处理环境污染负荷本实用新型高铁酸盐工艺过程加热加压釜顶连带省时环保还原耗时剥离安全延伸污染

[发明专利]二维材料及制备和组装方法与在人工神经元器件中的应用-CN202110655131.3有效
发明人：刘碧录;王婧云;滕长久;张荣杰 -专利权人：清华-伯克利深圳学院筹备办公室
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：二维材料的制备方法包括以下步骤：取体相材料与碳酸盐混合，煅烧，得到煅烧产物；煅烧产物与质子酸混合，发生插层反应，得到一次插层产物；一次插层产物与有机碱混合，继续插层反应，得到二次插层产物；二次插层产物在液相中机械剥离利用碳酸钾和碳酸锂的组合与体相材料进行煅烧，使材料变为层状材料，能够被有效剥离；随后通过与质子酸的混合将氢离子插入层间，并进一步将有机碱插入层间，最大程度削弱层间作用力；最后将其在液相中施加机械力剥离，
二维材料制备组装方法人工神经元器件中的应用

[发明专利]一种高可膨胀性低硫石墨插层化合物的制备方法-CN201611210604.4在审
发明人：李晓霞;马德跃;郭宇翔;冯云松;程正东;朱斌;邓潘 -专利权人：中国人民解放军电子工程学院
申请日： 2016-12-24 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C01B32/22 文献下载
摘要：本发明提供一种高可膨胀性低硫石墨插层化合物的制备方法，涉及石墨技术领域。本发明制备方法包括将天然鳞片石墨水浴加热；加入插层剂浸泡天然鳞片石墨；再加入氧化剂反应得到反应产物；反应产物水洗、过滤、干燥得到酸化石墨；再将酸化石墨水浴加热；加入高氯酸和乙酸浸泡酸化石墨；再加入氧化剂反应得到产物本发明制备高可膨胀性低硫石墨插层化合物过程无硫元素引入，降低了膨胀产物膨胀石墨中的硫含量，而且制得的产物具有优良的可膨胀性能。
一种膨胀性低硫石墨化合物制备方法

[发明专利]一种石墨烯及其制备方法-CN201410020035.1在审
发明人：周旭峰;刘兆平;秦志鸿 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯的制备方法，包括以下步骤：a)、将石墨、酸和氧化剂混合后进行第一反应，得到石墨插层化合物，所述酸包括浓硫酸，所述氧化剂包括氯酸盐；b)、将所述石墨插层化合物与过氧化物进行第二反应，本发明中的浓硫酸和氯酸盐对石墨氧化的程度较弱；而且本发明中的浓硫酸与过氧化氢反应放出大量的热量和气体，使石墨插层化合物膨胀、剥离；另外上述浓硫酸与过氧化氢反应产生大量的OH自由基和HSO₄自由基，这些自由基能够脱除上述石墨插层化合物片层上的含氧官能团；因此本发明得到的石墨烯的片层结构被破坏的程度较小。
一种石墨及其制备方法

[发明专利]一种层状MoS2‑SnO2纳米复合材料的制备方法-CN201610144308.2有效
发明人：胡平;王快社;杨帆;胡卜亮;宋瑞;陈震宇;李秦伟;戴晓庆 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： B01J27/051 文献下载
摘要：本发明提供了一种层状MoS2‑SnO2纳米复合材料的制备方法，将二硫化钼粉末加入分层溶液中进行分层反应，形成混合液；在混合溶液中加入氧化剂进行氧化插层反应，然后搅拌下加入SnO2纳米粉末，继续搅拌均匀后得到插层MoS2‑SnO2混合粉末；将插层MoS2‑SnO2混合粉末与爆炸剂混合，进行爆炸反应，冷却至室温后取出爆炸反应产物，即得到层状MoS2‑SnO2纳米复合材料。本发明利用芳香族硫醚的亲硫特性，降低二硫化钼原料粉末的层间范德华力，结合爆炸冲击对其进行插层剥离。本发明制备的产物为具有高载流子迁移率的层状二硫化钼与SnO2纳米颗粒复合的纳米材料，且SnO2纳米颗粒均匀附着在单层二硫化钼片层上，提升了其催化加氢和润滑性能，大大扩展了二硫化钼的应用范围。
一种层状 mos sub sno 纳米复合材料制备方法

[发明专利]一种草酸插层膨胀高岭土的制备方法及吸附应用-CN202210517523.8有效
发明人：邓昭平;窦薇莎;范建平 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： B01J20/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种草酸插层膨胀高岭土的制备方法及吸附应用。该方法首先通过二次取代液相插层法成功让草酸插入高岭土层间，再将高岭土/草酸插层复合物与草酸、碳酸钠快速煅烧，利用中和反应提供的能量使高岭土层间的草酸热分解产生大量气体，得到一种处于扩展和剥离状态间的膨胀高岭土本发明首次将草酸在室温和大气环境下与高岭土/二甲基亚砜插层复合物进行插层反应，并巧妙地利用高岭土层间草酸热分解得到高岭土/草酸插层膨胀纳米复合材料，克服了高岭土层间由于强氢键作用而吸附效率低的问题，显著地提高了高岭土的吸附性能
一种草酸膨胀高岭土制备方法吸附应用

[发明专利]一种基于高浓度有机盐水溶液电化学插层制备石墨烯的方法-CN201910747764.X有效
发明人：阎兴斌;杨娟;王正军 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于高浓度有机盐水溶液电化学插层制备石墨烯的方法，属于石墨烯制备技术领域。本发明以高浓度有机盐水溶液作为电解液，以石墨作为阳极，以惰性导电贵金属材料作为阴极，进行电化学插层反应，得到石墨烯聚集体。本发明使用高浓度有机盐水溶液作为电解液，能够抑制水的快速分解，可以实现石墨的持续可控插层。同时，本发明中的有机盐为含氟的大分子有机盐，在电压作用下仍然具有稳定的结构，在电化学插层反应过程中能够有效避免插层离子与石墨的化学反应，保持石墨的晶型结构不受破坏，从而制备得到高质量的石墨烯。
一种基于浓度有机盐水溶液电化学制备石墨方法

[发明专利]一种有机酸阴离子插层水滑石的制备方法-CN201010279412.5无效
发明人：矫庆泽;崔文甲;赵芸 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C01B13/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机酸阴离子插层水滑石的制备方法，属于功能材料技术领域。针对现有技术中无法一步得到单一有机酸阴离子插层水滑石的问题，以二价、三价金属元素的氧化物或氢氧化物为原料，以原料中二价金属元素：三价金属元素的摩尔比2∶1～4∶1混合后，加入过量待插层的有机酸固体，得到混合物，将混合物加入到已去除CO2的去离子水中，充分搅拌均匀，得到悬浮液；将悬浮液置于压力反应釜中反应或置于容器中加热回流反应后的产物过滤、洗涤、干燥，得到所述的一种有机酸阴离子插层水滑石。本发明原料来源广泛、价格低廉，工艺流程简单，只需一步即可制备有机阴离子插层的水滑石。
一种有机酸阴离子插层水滑石制备方法

[发明专利]利用气体分子辅助插层-剥离制备纳米片的方法及纳米片-CN202110588030.9在审
发明人：张晓东;刘文秀;王辉;谢毅 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种利用气体分子辅助插层‑剥离制备纳米片的方法及纳米片，其中，该方法包括以下步骤：将层状体相材料与溶剂混合，配置成悬浊液；向悬浊液中加入插层气体，加热并搅拌；对产物进行超声，得到层状体相材料经插层以及剥离处理后的纳米片此方法不需要大型设备和苛刻的反应条件，生产成本低，工艺简单，反应体系洁净易于大批量生产。
利用气体分子辅助剥离制备纳米方法

[发明专利]一种石墨烯的制备方法-CN201210137318.5无效
发明人：周明杰;袁新生;王要兵 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯的制备方法，包括以下步骤：取插层石墨，置于密封反应器内，该插层石墨层间的插入物质为爆炸性物质，插层石墨按与反应器容积为1~5g/L的比例加入；将密封的反应器加热至280~500℃，使爆炸性物质发生爆炸反应，达到加热温度后，保持1~5分钟，停止加热，冷却，排气，收集固体产物，该固体产物即为石墨烯。
一种石墨制备方法

[发明专利]一种插层水滑石阻燃剂及其制备方法-CN201210112551.8无效
发明人：董延茂;朱玉刚;姚社春 -专利权人：苏州科技学院;张家港金瑞奇精细化工有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C08L61/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种插层水滑石阻燃剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)由三聚氰胺与低聚合度多聚甲醛反应获得三聚氰胺甲醛预聚体的溶液A；(2)配置含有铝离子和镁离子的水溶液B，铝离子和镁离子的摩尔比为1∶3，配置碱溶液C；(3)向溶液A中同时滴加溶液B和溶液C，反应获得柱撑水滑石，最后调节pH值为5～7，继续反应，使之聚合成三聚氰胺甲醛树脂插层水滑石，得到所述插层水滑石阻燃剂。本发明将聚合物插入水滑石层间合成一种无机/有机复合的插层水滑石阻燃剂，与高分子的相容性要比水滑石好，能提高高分子的强度和阻燃性能。
一种插层水滑石阻燃及其制备方法

[发明专利]一种通过快速泄压剥离石墨制备石墨烯的装置及方法-CN201610987884.3在审
发明人：李永峰;巫家业;李耿辉;陈卓 -专利权人：中国石油大学(北京)
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过快速泄压剥离石墨制备石墨烯的装置及方法，其包括以下步骤其包括以下步骤打开反应釜，向反应釜内加入石墨，关闭反应釜；向所述反应釜中通入气态插层介质，并通过调节气态插层介质的进气量使反应釜内压力控制在1‑200atm，在该压力条件下，将体系温度升至室温‑500℃以进行分子插层反应，反应结束后，再进行快速泄压以使反应釜内压力在0.1s内迅速降低至反应釜内压力的一半或一半以下，得到所述石墨烯。
一种通过快速剥离石墨制备装置方法