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- [发明专利]具有作用区的半导体结构-CN200580003601.7无效
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W·本施
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RWE太空太阳能有限责任公司
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2005-01-26
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2007-02-14
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H01L33/00
- 本发明涉及一种具有作用区的半导体结构,如发光二极管或者光电二极管(10、16、24、26、36、46、54、68、74、80),它包括一个具有至少两个作用区(AZ1-AZn)的基底(SUB),其中每个作用区发出或吸收不同波长的光线为了实现多波长二极管,第一(下部)作用区(AZ1)在基底(SUB)的表面上生长,其中一个或者多个其它作用区(AZ1-AZn)上下依次取向附生地生长,并且其中作用区(AZ1-AZn)通过作为低欧姆电阻的隧道二极管(TD1-TDn)从下部作用区(AZ1)直到上部作用区(AZn)进行串联。
- 具有作用半导体结构
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