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[实用新型]一种煤矿开采用的煤矿筛选设备-CN201920277430.6有效
发明人：徐洪波;姜威;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：徐洪波;姜威
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： F16M3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种煤矿开采用的煤矿筛选设备，属于煤矿筛选设备领域，一种煤矿开采用的煤矿筛选设备，包括复合型干法洗煤设备本体，复合型干法洗煤设备本体的下端设有与复合型干法洗煤设备本体相匹配的复合型干法洗煤设备机架，复合型干法洗煤设备机架的侧壁上连接有移动把手，复合型干法洗煤设备本体与复合型干法洗煤设备机架之间连接有橡胶减震垫，且橡胶减震垫与复合型干法洗煤设备本体和复合型干法洗煤设备机架均为固定连接，可以实现在不影响复合型干法选煤机正常工作的前提下，方便矿井工作人员在井下较为复杂的路面环境上移动复合型干法选煤机，跟进采矿进度，提高煤矿的开采效率。
洗煤设备干法筛选设备煤矿开采煤矿干法选煤机橡胶减震垫本实用新型路面环境移动把手上移动侧壁井下下端匹配采矿矿井进度

[实用新型]一种干法脱酸系统以及垃圾焚烧系统-CN201921643378.8有效
发明人：王丽霞;沈宏伟;吴穹;侯霞丽;郭无双;钱琨;邰扬 -专利权人：光大环保技术装备（常州）有限公司;光大环保技术研究院（南京）有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： B01D53/40 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种干法脱酸系统以及垃圾焚烧系统，所述干法脱酸系统包括：U型干法反应器、布袋除尘器、干法喷射单元、增湿单元以及产物再循环单元；其中，所述布袋除尘器的入口与所述U型干法反应器的出口相连接，所述干法喷射单元的出口与所述U型干法反应器上部的烟道相连接，所述增湿单元的出口与所述U型干法反应器中下部的烟道相连接，所述产物再循环单元的入口与所述布袋除尘器底部的出口相连接，所述产物再循环单元的出口与所述U型干法反应器下部的烟道相连接。
一种脱酸系统以及垃圾焚烧

[实用新型]一种白色耐黄变防污损鞋面革-CN202023344701.7有效
发明人：阳飞鸽 -专利权人：浙江聚得利合成革有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： D06N3/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种白色耐黄变防污损鞋面革，包括：基布，设置于基布下的磨皮层，设置于基布上的含浸层，设置于含浸层上的干法二液型粘合层，设置于干法二液型粘合层上的干法中层无黄变层，设置于干法中层无黄变层上的干法面层无黄变层，设置于干法面层无黄变层上的防污损涂层；通过选用干法中层无黄变层、干法面层无黄变层，贴合干法二液型粘合层，得到优良的抗紫外线照射性能，耐黄变性能优越的合成革半成品，再通过涂覆防污损涂层得到的鞋面革具有表面高防污损
一种白色耐黄变防污损鞋面

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201310369745.0有效
发明人：山田敦史;温井健司 -专利权人：富士通株式会社;富士通半导体股份有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法包括:在衬底上依次层叠并形成电子渡越层、电子供给层、蚀刻停止层以及p型膜，该p型膜由包含Al的掺杂有实现p型的杂质元素的氮化物半导体材料形成，该蚀刻停止层由包含GaN的材料形成;通过干法蚀刻来移除在除待形成栅电极的区域以外的区域中的p型膜，以在待形成栅电极的区域中形成p型层，在观察到干法蚀刻中的等离子体发射时进行干法蚀刻，在干法蚀刻开始之后且没有观察到源自Al的等离子体发射时停止干法蚀刻;以及在p型层上形成栅电极。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体发光元件的制造方法-CN201780073063.1有效
发明人：酒井遥人;丹羽纪隆;稻津哲彦 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：半导体发光元件(10)的制造方法包括在n型AlGaN系半导体材料的n型包覆层(24)上形成AlGaN系半导体材料的活性层(26)的工序、在活性层(26)上形成p型半导体层的工序、除去p型半导体层、活性层(26)及n型包覆层(24)的一部分，使得n型包覆层(24)的一部分区域露出的工序、以及在n型包覆层(24)所露出的一部分区域上形成n侧电极(32)的工序。进行除去的工序包含：第1干法刻蚀工序，其利用反应性气体及惰性气体这两者来进行干法刻蚀；以及第2干法刻蚀工序，其在第1干法刻蚀工序后，利用反应性气体来进行干法刻蚀。
半导体发光元件制造方法

[发明专利]一种以粉煤为燃料的高效节能环保热能利用方法及其系统-CN201410124895.X无效
发明人：张志斌;张华民;杨以鹏;刘敬之 -专利权人：张志斌
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： F23K5/00 文献下载
摘要：本发明一种以粉煤为燃料的高效节能环保热能利用方法及其系统的方法把粉煤送入型煤加工设备，通过两段式固定床煤气发生炉将型煤转化为两段热脏煤气，上段热脏煤气经干法脱焦设备进行干法脱焦，下段热脏煤气经干式除尘设备进行干式除尘，然后分别或混合后进入热煤气脱硫装置，锅炉排出的高温烟气经干法热烟气脱硫装置及干法热烟气除尘装置后，经末级换热器组换热后然后排放。本发明的系统包括型煤加工设备，型煤加工设备连接两段式固定床煤气发生炉，两段式固定床煤气发生炉经干法脱焦设备和干式除尘设备连接热煤气脱硫装置，煤气脱硫装置连接锅炉，锅炉经干法热烟气脱硫装置和干法热烟气除尘装置连接末级换热器组
一种粉煤燃料高效节能环保热能利用方法及其系统

[实用新型]仿真皮焦感革-CN201120273424.7有效
发明人：俞金英;谭明林;吴平;顾春刚;倪爱平;王志明 -专利权人：昆山协孚人造皮有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： D06N3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种仿真皮焦感革，包括基布层、湿法贝斯层和干法贴面层，以使用状态为基准，湿法贝斯层固定贴合于干法贴面层内侧表面，基布层位于湿法贝斯层背向干法贴面层的一侧面，还设有压花花纹层和蜡感处理层，压花花纹层固定贴设于干法贴面层背向湿法贝斯层的外侧表面，蜡感处理层固定贴设于压花花纹层背向干法贴面层的外侧表面，本实用新型通过在干法贴面层外侧固定贴合压花花纹层和蜡感处理层使得合成革表面有蜡感效果，且花型的顶、底光泽对比强烈，花型饱满，产品还有双色效果、焦感强。
真皮焦感革

[发明专利]聚氨酯干法中层、聚氨酯合成革及其制备方法-CN201610027582.1有效
发明人：任志军;任志营;冯海钊 -专利权人：鹤山市新科达企业有限公司
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： D06N3/00 文献下载
摘要：本发明提出了聚氨酯干法中层、聚氨酯合成革及其制备方法。一种聚氨酯干法中层，按照重量份数计算，包括以下组分耐水解型聚氨酯70‑100份，填料30‑60份，聚氨酯固化剂2‑10份以及有机溶剂30‑60份。一种聚氨酯合成革，包括聚氨酯干法面层、聚氨酯干法中层以及基材层，所述聚氨酯干法中层位于所述聚氨酯干法面层与所述基材层之间。其制备方法为将聚氨酯干法面层的浆料涂布在离型纸上，然后加热烘干，烘干后在聚氨酯干法面层上涂布聚氨酯干法中层的粘合料，再进行加热烘干，烘干后经过贴合轮将基材压合在聚氨酯干法中层上面，再加热烘干熟成，最后冷却该聚氨酯干法中层不仅结构紧密与无泡孔，而且该中层能够与基材层渗透，大大提高合成革耐磨性能。
聚氨酯中层合成革及其制备方法

[实用新型]双面革-CN201220304797.0有效
发明人：张凤;吴平;倪爱平;陈利安 -专利权人：昆山协润人造皮有限公司
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： D06N3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面革，包括基布层、湿法贝斯层和干法贴面层，以使用状态为基准，基布层、湿法贝斯层和干法贴面层依次顺序固定贴合，还设有转移膜，转移膜固定贴设于基布层背向湿法贝斯层的外侧表面，本实用新型通过在基本层背向湿法贴面层的一侧设置转移膜，在转移膜上设置花型，干法贴面层的花型饱满，转移膜的花型不易脱落，这就产生了双面双花型效果的双面人造革，其双面可用，双面不同效果。
双面

[发明专利]闪存单元及其浮栅的形成方法-CN201110069308.8有效
发明人：曾贤成;李绍彬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种闪存单元及其浮栅的形成方法，所述闪存单元浮栅的形成方法包括如下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成掺有第一型离子的浮栅层；在所述掺有第一型离子的浮栅层上形成图形化的第一光刻胶；干法刻蚀所述图形化的第一光刻胶，所述干法刻蚀后的第一光刻胶的图形的尺寸小于所述干法刻蚀前的第一光刻胶的图形的尺寸；以所述干法刻蚀后的第一光刻胶为掩膜对所述掺有第一型离子的浮栅层进行第二型离子注入形成具有双掺杂结构的浮栅层，所述第一型离子与所述第二型离子反型
闪存单元及其形成方法

[发明专利]一种GaN基p型栅结构的制备方法-CN201811190170.5有效
发明人：徐哲;周阳 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN基p型栅结构的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基材料表面涂敷光刻胶并光刻待刻蚀区域图形；采用干法刻蚀以光刻胶为掩膜，刻蚀暴露区域的GaN cap层和~90%厚度的p型栅层，去除剩余光刻胶；对处理后的氮化镓基材料进行氧化处理；将氮化镓基材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀，得到GaN基p型栅结构。该方法采用干法和湿法混合刻蚀，完成GaN基p型栅结构的制备；其中的湿法腐蚀解决了干法刻蚀引起的表面损伤问题，其自停止特性保证了刻蚀深度的均匀性；其中的干法刻蚀将湿法腐蚀需要刻蚀的厚度明显缩小，可大大减小单纯采用湿法腐蚀所需氧化和腐蚀时间
一种 gan 结构制备方法

[发明专利]多晶硅干法刻蚀的方法及半导体结构的制备方法-CN202211256544.5有效
发明人：石卓 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L21/3215 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅干法刻蚀的方法及半导体结构的制备方法，多晶硅干法刻蚀的方法包括：提供半导体基底；于半导体基底表面形成多晶硅层；于多晶硅层表面形成光阻层，并对光阻层进行图形化，以使光阻层形成打开区与阻止区，且打开区贯穿光阻层；基于打开区对其下方的多晶硅层进行N型元素离子注入，以实现对打开区下方的多晶硅层的N型离子掺杂；对阻止区的特征尺寸进行微缩调整，得到预设特征尺寸的阻止区；基于打开区，干法刻蚀多晶硅层形成多晶硅过孔本发明通过对多晶硅层进行N型元素掺杂，使得对多晶硅层的干法刻蚀速率大幅度增加，大大降低了干法刻蚀的时间，降低了物理轰击对半导体基底的影响。
多晶硅干法刻蚀方法半导体结构制备

[发明专利]一种Ⅲ晶型盐酸普拉克索片剂及其制备方法-CN201210525806.3有效
发明人：蒲洪;林树;李长生;欧世荣;张西彪 -专利权人：成都欣捷高新技术开发有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： A61K9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ⅲ晶型盐酸普拉克索片剂及其制备方法，包括如下步骤：粉碎、混合、干法制粒、总混和压片。采用与品牌药品公布的Ⅲ晶型进行投料，保障产品的晶型稳定，不存在晶型的转换；并且采用干法制粒可以避免盐酸普拉克索一水合物在其他湿法生产工艺下的固态不稳定性，避免光敏性产生杂质降解。采用本发明的干法制粒工艺生产的产品与品牌药品的溶出行为是相似的。
一种盐酸普拉片剂及其制备方法

[发明专利]一种种养结合型干湿耦合产沼气发酵装备-CN202010596709.8在审
发明人：冯晶;于佳动;刘新鑫;梁依;申瑞霞 -专利权人：农业农村部规划设计研究院
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种种养结合型干湿耦合产沼气发酵装备，包括湿法发酵反应器和干法发酵反应器；湿法发酵反应器通过喷淋管与干法发酵反应器连接，所述湿法发酵反应器湿法发酵产生的沼液经由所述喷淋管进入所述干法发酵反应器内喷淋；所述干法发酵反应器内由顶部到底部依次设置有物料区、隔离室和渗滤液生物碳床，所述物料区与所述隔离室之间设置有渗滤网，所述隔离室的一侧设置有出液口，所述出液口与所述渗滤液生物碳床的一侧相对，所述渗滤液生物碳床另一侧的所述干法发酵反应器上设置有渗滤液排放口；本发明中的种养结合型干湿耦合产沼气发酵装备，能够达到湿法沼液充分利用、提高产气量、减少环境污染、干法沼液可直接排放到农田使用的目的。
种种结合干湿耦合沼气发酵装备

[实用新型]一种用于水下干法焊接的密封结构-CN202222743008.X有效
发明人：王军;孙苑恒;张雪娟;吴晶晶;江涛 -专利权人：上海打捞局芜湖潜水装备厂有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： F16J15/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于水下干法焊接的密封结构，属于水下焊接技术领域，包括马鞍型密封圈、P型橡胶圈、橡胶平台板和气室，橡胶平台板在气室的外围设置一圈，橡胶平台板底面设置两圈P型橡胶圈，P型橡胶圈中心与气室的中心重合，马鞍型密封圈设置在P型橡胶圈的外围，马鞍型密封圈、P型橡胶圈均设置在橡胶平台板的底面上，两个P型橡胶圈和马鞍型密封圈的内径由内向外依次增大。本实用新型的密封结构提供了能够在水下进行有效密封的方式，密封圈尺寸可以根据实际需要进行调整，满足不同状况下的水下密封，确保水下干法焊接工作高质量进行，提高水下干法焊接的焊接质量。
一种用于水下焊接密封结构

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