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[发明专利]半导体衬底、半导体封装结构及其制造方法-CN201410234083.0有效
发明人：李志成;苏洹漳;何政霖;吴崇铭;颜尤龙 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：半导体衬底包含第一图案化金属层、第二图案化金属层、第一电介质层、第二电介质层以及载体层。第二图案化金属层位于第一图案化金属层下方。第一电介质层位于第一图案化金属层与第二图案化金属层之间。第一电介质层包含至少一个导通孔。所述至少一个导通孔从第一图案化金属层延伸到第二图案化金属层。所述至少一个导通孔将第一图案化金属层电连接到第二图案化金属层。第二电介质层邻接于第一电介质层。第二电介质层包覆第二图案化金属层。第二电介质层具有多个第一开口以暴露所述第二图案化金属层。载体层邻接于第二电介质层并具有多个第二开口。
半导体衬底封装结构及其制造方法

[发明专利]形成用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构的方法-CN201880000872.4有效
发明人：肖莉红 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：在一个示例中，在衬底上形成第一电介质层，并且在第一电介质层上形成第一光刻胶层。通过修整蚀刻第一电介质层的循环将凹槽穿过第一电介质层图案化到衬底。将电介质/牺牲层对形成在第一电介质层上并填充在凹槽中。在电介质/牺牲层对上形成第二光刻胶层。通过修整蚀刻电介质/牺牲层对的循环来图案化电介质/牺牲层对。将第二电介质层形成在第一电介质层上，并覆盖图案化的电介质/牺牲层对。通过用导体层替换图案化的电介质/牺牲层对和凹槽中的电介质/牺牲层对中的牺牲层来形成包括导体/电介质层对的存储堆叠层。
牺牲层电介质层电介质蚀刻光刻胶层阶梯结构图案化侧布衬底修整电介质层图案三维存储器件图案化电介质导体存储器件导体层堆叠层填充三维替换存储穿过覆盖

[发明专利]微热板上的基于CMOS的半导体设备及其制造方法-CN201580011862.7有效
发明人： F·乌德雷亚;S·Z·阿里;J·加德纳 -专利权人： AMS传感器英国有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： G01N27/14 文献下载
摘要：半导体设备使用部分CMOS或基于CMOS的处理步骤制成，且其包括半导体衬底、在半导体衬底上的电介质区域、电介质区域内的加热器和电介质区域上的贵金属的图案化层。该方法包括：在电介质区域上沉积光阻材料，以及图案化光阻材料以形成电介质区域上的图案化区域。沉积光阻材料和图案化光阻材料的步骤可以使用与在CMOS工艺中使用的类似的光刻和蚀刻步骤按顺序执行。然后对得到的半导体设备进行进一步处理步骤，其保证电介质膜和该膜内的金属结构在电介质区域上的图案化区域中被形成。
微热板上基于 cmos 半导体设备及其制造方法

[发明专利]包括电介质材料的半导体构造及在延伸到半导体构造中的开口内形成介电填充的方法-CN201810479737.4在审
发明人： G·S·桑胡;S·L·莱特;J·A·斯迈思;S·瓦尔盖斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请涉及包括电介质材料的半导体构造及在延伸到半导体构造中的开口内形成介电填充的方法。一些实施例包含具有延伸到衬底中的一或多个开口的半导体构造。开口至少部分地填充有包括硅、氧及碳的电介质材料。该方法包含：在开口内且跨越上表面而形成光可图案化电介质材料；及使光可图案化电介质材料暴露于经图案化光化辐射。随后，使光可图案化电介质材料显影以将光可图案化电介质材料图案化成至少部分地填充开口的第一电介质结构，且从上表面上方移除光可图案化电介质材料。
半导体构造图案化电介质开口填充电介质材料上表面介电原子百分比延伸材料图案化电介质结构材料暴露填充开口图案化光衬底显影移除辐射申请

[发明专利]形成用于三维存储器件双侧布线的阶梯结构的方法-CN201880000948.3有效
发明人：肖莉红;胡禺石 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：在示例中，第一电介质层形成在衬底上，并且第一光刻胶层形成在第一电介质层上。通过由修整‑刻蚀所述第一电介质层构成的周期来图案化出穿过所述第一电介质层到达所述衬底的凹陷。形成填充所述凹陷的多个电介质/牺牲层对。在所述电介质/牺牲层对的顶表面上形成第二光刻胶层。通过由修整‑刻蚀所述电介质/牺牲层对构成的周期来使所述电介质/牺牲层对图案化。形成覆盖图案化的电介质/牺牲层对的第二电介质层。通过利用多个导体层替换所述图案化的电介质/牺牲层对中的牺牲层而在所述衬底上形成包括多个导体/电介质层对的存储器堆叠层。
电介质牺牲层电介质层图案化衬底光刻胶层阶梯结构凹陷侧布刻蚀修整三维存储器件存储器件存储器导体导体层顶表面堆叠层填充三维替换穿过覆盖

[发明专利]减小光阻剥离过程中对低k材料的损害-CN200980103460.4无效
发明人：肖恩·S·康;赵相俊;托马斯·S·蔡 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-01-27 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种在置于图案化有机掩模下方的多孔低k电介质层中形成特征的方法。将特征穿过该图案化有机掩模蚀刻到该多孔低k电介质层中，然后剥离该图案化有机掩模。该图案化有机掩模的剥离包括提供包含COS的剥离气体、从该剥离气体形成等离子体以及停止该剥离气体。帽层被提供在该多孔低k电介质层和该图案化有机掩模之间。该图案化有机掩模的剥离在该多孔低k电介质层上留下该帽层。
减小剥离过程材料损害

[发明专利]用于新兴存储装置的电介质修复-CN201510578075.2有效
发明人：尼莉莎·德雷格;索斯藤·利尔;黛安·海姆斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明总体上涉及用于新兴存储装置的电介质修复。提供了包括提供包含多个层的非易失性随机存取存储器(NVRAM)堆叠的系统和方法。该多个层包括电介质层和金属层。NVRAM堆叠的金属层被图案化。所述图案化对电介质层的横向侧部造成损害。所述电介质层的横向部分是通过沉积电介质材料在所述电介质层的横向侧部来修复的。
用于新兴存储装置电介质修复

[发明专利]介电常数恢复-CN201610213407.1在审
发明人： P·达什;D·帕迪 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了一种在经图案化的基板上的低k电介质层中形成特征的方法。可在低k电介质层中形成通孔、沟槽或双镶嵌结构。对低k电介质层的图案化也会增加介电常数。通过将UV光照射在低k电介质层上，同时使低k电介质层暴露于含碳和氢的前体来处理经图案化的基板以修复或降低介电常数。随后，在所述低k电介质层上形成共形的气密层。所述共形的气密层配置成在稍后的处理期间以及在所完成的器件的使用寿命期间将水和污染物保持在低k电介质层外部。
介电常数恢复

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN201710325964.7有效
发明人：陈春晖;熊涛;罗啸;刘钊;许毅胜;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上制备多条栅极线和多个选择管；在栅极线和选择管上远离衬底的一侧制备夹层电介质层，在单元阵列区域，夹层电介质层远离衬底的一侧形成多个第一类夹层电介质层图形，在周边逻辑区域，夹层电介质层远离衬底的一侧形成多个第二类夹层电介质层图形，对多个第一类夹层电介质层图形进行图案化制程，形成多个第三类夹层电介质层图形，对多个第二类夹层电介质层图形进行图案化制程，形成多个第四类夹层电介质层图形，对夹层电介质层进行平坦化制程。综上，位于栅极线上的夹层电介质层的高度与位于选择管上的夹层电介质层的高度相同或者相近，夹层电介质层较平坦。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]形成导电特征的方法-CN201510849369.4有效
发明人：黄建桦;吴杰翰;李忠儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明一实施例的方法包含：在导电层上形成图案化屏蔽层；在图案化屏蔽层和导电层上形成第一电介质层；选择性地蚀刻第一电介质层，由此而暴露图案化屏蔽层的上表面，其中第一电介质层的上表面低于图案化屏蔽层的顶面；移除图案化屏蔽层；以及选择性地蚀刻导电层，以形成具有楔形形状的导电特征。
形成导电特征方法

[发明专利]电子器件-CN201180062771.8有效
发明人： M·杰克逊;C·罗穆斯黛尔;J·卓迈尔 -专利权人：造型逻辑有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：一种包括晶体管阵列的器件，该器件包括：位于衬底上的层堆叠中的下层级和上层级处的图案化导电层，所述图案化导电层限定所述晶体管阵列的栅极导体和源-漏电极；其中，所述层堆叠还包括在所述下层级之下的电介质层以及在所述电介质层之下的另一图案化导电层；其中，所述另一图案化导电层既经过所述电介质层提供所述晶体管阵列中的电功能，又限定开口，所述电介质层经由所述开口用于增加所述器件衬底与在所述下层级处的所述图案化导电层之间的粘接强度。
电子器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110748104.0在审
发明人：许佳桂;游明志;赖柏辰;叶书伸;林柏尧;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：公开了具有改进的凸块下金属化布局的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括IC芯片；互连结构，耦合到IC管芯并包括金属化图案，金属化图案包括延伸穿过电介质层的通孔部分；第二电介质层，与IC管芯相对的位于电介质层上方；以及第二金属化图案，耦接至金属化图案，并包括位于电介质层中的线部分和延伸穿过第二电介质层的第二通孔部分；以及UBM，位于第二金属化图案和第二电介质层上方，UBM耦合到第二金属化图案，通孔部分的中心线和第二通孔部分的第二中心线与UBM的第三中心线未对准
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于电容器边缘场效应的柔性电容型接近传感器及传感方法-CN201910721237.1在审
发明人：汪慧婷;潘力佳;施毅 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G01V3/08 文献下载
摘要：基于电容器边缘场效应的柔性电容型接近传感器，包括平面薄膜状上表面具有微结构的柔性电介质材料，附着于所述柔性电介质材料上表面的图案化电极，附着于所述柔性电介质材料下表面图案化电极；所述柔性电介质材料、所述柔性电介质材料上表面的电极、柔性电介质材料下表面的电极通过以下步骤提供对外界物体接近距离的电学响应，外界接近物体拦截部分所述柔性电介质材料、所述柔性电介质材料上表面的电极、柔性电介质材料下表面的电极构成的电容器边缘电场，所述电容器的电场强度降低
柔性电介质材料电容器电极上表面下表面边缘场效应接近传感器图案化电极电学响应柔性电容附着物体接近距离边缘电场距离接近平面薄膜微结构电容传感减小拦截

[发明专利]宽带反射镜-CN201780023785.6有效
发明人： T.洛佩斯;J.法洪 -专利权人：亮锐控股有限公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明描述了一种宽带反射镜（1），包括：外表面层（10）；和布置在外表面层（10）下方的电介质层叠层（11A、11B、12）；其特征在于，该电介质层叠层（11A、11B、12）包括在电介质层叠层（11A、11B、12）的相邻电介质层（11A、12）之间的界面处的至少一个图案化表面（110、120）。本发明还描述了一种制造宽带反射镜（1）的方法，该方法包括下列步骤：提供外表面层（10）并在外表面层（10）下方应用多个电介质层（11A、11B、12）以构建电介质层叠层（11A、11B、12），其特征在于下列步骤：在将后续电介质层（11B、12）应用到图案化表面（110、120）之前，图案化至少一个电介质层（11A、12）的表面。
宽带反射

[发明专利]具有包括掩埋晶粒停止层的顶侧金属化结构的功率半导体装置-CN202080021107.8在审
发明人： S·萨布里;D·J·里施顿瓦尔纳;E·R·范布朗特;S·T·艾伦;B·胡尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：在栅极指上形成金属间电介质图案，所述金属间电介质图案包括覆盖相应栅极指的多个电介质指。在金属间电介质图案上以及在宽带隙半导体层结构的上表面的暴露部分上设置顶侧金属化。顶侧金属化包括在金属间电介质图案上以及在宽带隙半导体层结构的上表面的暴露部分上的第一导电扩散阻挡层、在第一导电扩散阻挡层的上表面上的导电接触层和掩埋在导电接触层内的晶粒停止层。
具有包括掩埋晶粒停止金属化结构功率半导体装置

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