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[实用新型]一种可控硅触发电流测试装置-CN201821467550.4有效
发明人：高翔凌 -专利权人：海盐电器厂
申请日： 2018-09-09 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可控硅触发电流测试装置，包括：零序电流互感器，其连接于主开关与负载之间，用于检测线路上有无漏电情况并对主开关进行分断；触发电流报警器，连接于主开关，用于进行报警提示；可控硅触发电流检测电路，分别通过引线与零序电流互感器、触发电流报警器相连，用于检测触发电流，并且当触发电流报警器报警时显示当前的可控硅触发电流；触发电流控制信号电路，与可控硅触发电流检测电路相连，用于向可控硅触发电流检测电路提供触发电流，并且触发电流可调节；本实用新型结构简单、操作方便。
触发电流可控硅触发电流报警器检测电路主开关零序电流互感器本实用新型测试装置控制信号电路报警提示漏电可调节检测分断报警

[发明专利]采用正温度系数热敏电阻补偿的可控硅触发电路-CN201810269318.8有效
发明人：卢振亚;胡杰;阮嘉祥;陈志武;王歆 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：本发明公开了采用正温度系数热敏电阻补偿的可控硅触发电路，在可控硅触发回路中串联用于补偿可控硅触发电流的正温度系数热敏电阻，利用热敏电阻的正温度系数特性补偿可控硅导通所需触发电流随温度变化的特性；所述正温度系数热敏电阻串联在可控硅的控制极本发明解决了可控硅由于温度变化，产生温度漂移，引起的高温误触发以及正常信号低温不触发的问题，提高了可控硅的使用温度区间，扩大触发电流可选择范围。
采用温度系数热敏电阻补偿可控硅触发电路

[发明专利]一种增大单向微触发可控硅触发电流的方法-CN201510563657.3在审
发明人：陈祖良;岳巍;王华明;章月红;李兆龙 -专利权人：浙江省能源与核技术应用研究院
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明涉及一种增大单向微触发可控硅触发电流的方法。本发明的目的是提供一种增大单向微触发可控硅触发电流的方法，主要实现两个目的，1、作为常规方法生产结束后可控硅晶圆片触发电流偏小的补救措施；2、可控硅晶圆片触发电流档位与客户需求不匹配时一种快速调节的方法本发明的技术方案是：该方案包括了两种，一种是在常规生产结束后发现某些可控硅晶圆片的触发电流偏小而采取的补救措施，另一种是已经分档入库的产品但是可控硅晶圆片的触发电流档位与客户需求不符时的快速调节方法。
一种增大单向触发可控硅电流方法

[实用新型]一种智能节电控制器-CN200720002965.X无效
发明人：于泽川 -专利权人：于泽川
申请日： 2007-02-01 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能节电控制器，它由可控硅模块、移相触发电路板、可调电阻和电流控制器构成。所述可控硅模块的电源输入端与交流电源相连，输出端穿过穿芯式的电流控制器的感应线圈与用电负荷相连；所述移相触发电路板的触发信号与可控硅模块的触发极相连；所述可调电阻与移相触发电路板的控制端相连。本实用新型通过电流控制器感应线圈对用电负荷和可控硅模块输出电流采样信号的采样，控制可控硅模块的工作状态，负荷电流较小时，可控硅模块不工作，负荷电流增大时，可控硅模块投入工作，工作时通过可调电阻对移相触发电路板的调节，改变了可控硅模块的触发角，降低了用电负荷的工作电压和电流，减小了用电设备的耗电量。
一种智能节电控制器

[发明专利]电容器等电位投切可控硅触发电路-CN200410025382.X无效
发明人：常越;姜宁;陈刚;陈伟;王春宁;李长益;杨爱华 -专利权人：上海交通大学;江苏省电力公司南京供电公司
申请日： 2004-06-24 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H03K17/13 文献下载
摘要：一种电容器等电位投切可控硅触发电路，包括被触发后导通主电路的高压可控硅、为高压可控硅提供被触发条件的控制光耦以及为高压可控硅提供触发电流的辅助电源，并采用了触发电流控制三极管、放大三极管、电压过零检测三极管及触发电流旁路三极管主电路电压经过整流后加到高压可控硅两端，辅助电源是交流供电经整流滤波后的直流电源，加在与触发电流控制三极管集电极相连的电阻上而产生高压可控硅的触发电流，高压可控硅在同时满足控制光耦导通和主电路电压过零两个条件时被触发本发明实现了在高压下的主电路电压过零触发的功能，不需要接入等待时间，使电容器等电位投切得以实现，避免了电容器接入电网时的冲击电流。
电容器电位可控硅触发电路

[实用新型]直流电源可控硅放电监测及可靠过零分断电路-CN201922197713.2有效
发明人：余振;董银东;颜云飞 -专利权人：安徽合凯电气科技股份有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直流电源可控硅放电监测及可靠过零分断电路，属于直流供电技术领域，包括直流电源、充电电容、可控硅、可控硅触发电路和触发闭锁延时电路，所述直流电源的正极通过开关与充电电容的正极电连接，所述充电电容的负极与直流电源的负极电连接，所述充电电容的正极通过负载与可控硅的正极电连接，本实用新型设置的可控硅放电过零分断可靠准确，通过触发信号同时进入触发闭锁延时电路和可控硅触发电路，触发闭锁延时电路5断开开关停止对充电电容充电，同时可控硅触发电路产生可控硅触发信号，对可控硅进行触发放电，直到充电电容的放电电流低于可控硅保持电流，则可控硅实现自然过零分断，可靠准确。
直流电源可控硅放电监测可靠零分断电

[发明专利]可控硅驱动电路、可控硅驱动应用电路及电气/电器设备-CN202111184307.8在审
发明人：陈健;吴桢生;曾金芳;赵怀阳 -专利权人：苏州汇川控制技术有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：本发明公开一种可控硅驱动电路、可控硅驱动应用电路及电气/电器设备，该可控硅驱动电路包括：控制信号接收端，用于接入控制信号；当控制信号接收端接收到无效电平时，开关触发电路截止，以断开可控硅的门极回路，使可控硅处于截止状态；当控制信号接收端接收到有效电平时，开关触发电路导通，并向可控硅的门极提供触发电流，以在可控硅的阳极与阴极之间接入正向电压时，触发可控硅导通；当可控硅的阳极与阴极之间接入反向电压时，单向导通元件截止，以断开开关触发电路所在回路，使开关触发电路截止。本发明提高了可控硅驱动可靠性，同时还提高了可控硅的保护时效性。
可控硅驱动电路应用电气电器设备

[实用新型]可控硅驱动电路、可控硅驱动应用电路及电气/电器设备-CN202122445434.0有效
发明人：陈健;吴桢生;曾金芳;赵怀阳 -专利权人：苏州汇川控制技术有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可控硅驱动电路、可控硅驱动应用电路及电气/电器设备，该可控硅驱动电路包括：控制信号接收端，用于接入控制信号；当控制信号接收端接收到无效电平时，开关触发电路截止，以断开可控硅的门极回路，使可控硅处于截止状态；当控制信号接收端接收到有效电平时，开关触发电路导通，并向可控硅的门极提供触发电流，以在可控硅的阳极与阴极之间接入正向电压时，触发可控硅导通；当可控硅的阳极与阴极之间接入反向电压时，单向导通元件截止，以断开开关触发电路所在回路，使开关触发电路截止。本实用新型提高了可控硅驱动可靠性，同时还提高了可控硅的保护时效性。
可控硅驱动电路应用电气电器设备

[发明专利]一种可控硅驱动电路-CN201310754123.X在审
发明人：华红坤 -专利权人：深圳市英威腾电气股份有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：本发明公开的可控硅驱动电路，通过方波产生电路根据控制芯片输出的使能信号生成并输出方波信号，强触发电路根据所述方波信号生成并输出强触发电流信号，所述强触发电流信号具有较高的前沿，使可控硅导通后的阳极电流迅速超过其擎住电流；然后隔离传输电路根据所述强触发电流信号生成并输出隔离驱动信号；再经门极驱动电路根据所述隔离驱动信号生成并输出驱动信号；使得所述可控硅接收到具有较高前沿的驱动信号，使其导通后的阳极电流迅速超过其擎住电流，保证了所述可控硅的可靠导通；同时，所述驱动信号的平台部分只需维持所述可控硅的导通即可，不会因电流过大而导致所述可控硅门极发热严重，相比现有技术提高了其可靠性。
一种可控硅驱动电路

[发明专利]一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器-CN202211418292.1有效
发明人：林善平;林虹灏;潘卓睿 -专利权人：福建顺昌虹润精密仪器有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H03K17/082 文献下载
摘要：本发明公开了一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器，包括处理器、模拟量输入电路、单相线路可控硅触发单元、反馈电流输入电路、报警电路和功率限制电路，所述单相线路可控硅触发单元包括可控硅触发电路和缺相采集电路，所述模拟量输入电路、所述反馈电流输入电路、所述报警电路、所述单相线路可控硅触发单元的所述可控硅触发电路和所述缺相采集电路均分别与所述处理器连接，所述单相线路可控硅触发单元的所述可控硅触发电路和所述缺相采集电路连接本发明通过所述功率限制电路的功率限制和所述反馈电流输入电路的功率调节的双重设置，可有效避免负载回路上的电流过大，而导致的负载或线路的损坏，其适用于各类感性负载的控制中。
一种功率调节限制触发控制器

[发明专利]一种多路高压大电流可控硅开关装置-CN200410027180.9有效
发明人：胡锦铨;黄群英;梁乒;张建华 -专利权人：中科院广州电子技术有限公司
申请日： 2004-05-13 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H03K17/94 文献下载
摘要：一种多路高压大电流可控硅开关装置，包括CPU单片机，功率驱动电路，大电流脉冲形成电路，多个触发电路和多个可控硅，CPU单片机的一个输出口经功率驱动电路接大电流脉冲形成电路的输入端，大电流脉冲形成电路的输出端接多个可控硅的多个阳极，所述的多个可控硅的相应的多个阴极分别接对应的多个输出端，所述的多个触发电路分别接在CPU单片机相应的多个输出口和多个可控硅相应的多个控制级之间。所述的多个触发电路和CPU单片机相应的多个输出口之间还可以接有输出口扩展电路。本发明可方便的开通、切断多路可控硅的电流，实现了可控硅的大电流通断可控输出，省去了复杂的大功率关断电路。
一种高压电流可控硅开关装置

[实用新型]可控硅投切开关辅助电路-CN201621005340.4有效
发明人：杜英俊 -专利权人：科布伦茨（杭州）电气有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H03K17/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可控硅投切开关辅助电路，包括电源电路、控制器和可控硅触发电路，还包括与可控硅触发电路连接的报警触发电路，以及与报警触发电路和控制器连接的报警电路，可控硅触发电路包括过零触发光耦组件、串联设置了第一过零触发光耦和第二过零触发光耦一来达到分压的作用，二来能够控制可控硅在电压过零时接通，电流过零点断开，不产生合闸涌流；阻容吸收电路的设置，可防止可控硅阳极电压上升率过高而误触发，起缓冲作用；设置了报警电路，能够提醒人们可控硅被触发，使人们更加清楚可控硅投切开关中可控硅被触发的情况，即信号的输入情况。
可控硅切开辅助电路

[实用新型]一种可控硅开关装置-CN200420045706.1无效
发明人：胡锦铨;黄群英;梁乒;张建华 -专利权人：中科院广州电子技术有限公司
申请日： 2004-05-13 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：一种可控硅开关装置，包括CPU单片机，功率驱动电路，大电流脉冲形成电路，多个触发电路和多个可控硅，CPU单片机的一个输出口经功率驱动电路接大电流脉冲形成电路的输入端，大电流脉冲形成电路的输出端接多个可控硅的多个阳极，所述的多个可控硅的相应的多个阴极分别接对应的多个输出端，所述的多个触发电路分别接在CPU单片机相应的多个输出口和多个可控硅相应的多个控制级之间。所述的多个触发电路和CPU单片机相应的多个输出口之间还可以接有输出口扩展电路。本实用新型可方便的开通、切断多路可控硅的电流，实现了可控硅的大电流通断可控输出，省去了复杂的大功率关断电路。
一种可控硅开关装置

[实用新型]一种照明节电控制器-CN200520005634.2无效
发明人：于泽川 -专利权人：于泽川
申请日： 2005-03-14 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种照明节电控制器，它由可控硅模块、移相触发电路板、可调电阻组、选择开关、电流控制器、延时继电器组和经纬仪构成。可控硅模块的电源输入端与交流380V电源相连，其电源输出端穿过电流控制器的感应线圈与用电设备的电源输入端相连；所述移相触发电路板的触发信号与可控硅摸块的触发极相连，可调电阻组与移相触发电路板的控制极相连本实用新型通过电流控制器感应线圈对用电负荷和可控硅模块输出电流采样信号的采样，根据其电流的大小，电流控制器输出控制端控制延时继电器组工作电源接通和断开，延时继电器组的工作电源接通时，经过延时继电器组的延时后接通可控硅模块和移相触发电路板的工作电源，可控硅模块通过移相触发电路板的触发和可调电阻组的调节，使可控硅模块的触发角发生变化，使可控硅模块的输出电压也随之发生变化，通过对可调电阻组的调节可以使可控硅模块的输出电压在0～220V之间平滑调整，采用这种方式就可以降低用电设备的工作电压延时继电器组的工作电源断开时，延时继电器组的延时触点又可以把380V电源进线与用电负荷接通，可控硅模块和移相触发电路板停止工作。
一种照明节电控制器

[发明专利]具有将可控硅用作保护元件的静电保护电路的半导体装置-CN200510060154.0无效
发明人：佐藤項一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明涉及具备将可控硅用作保护元件的静电保护电路的半导体装置。该半导体装置具备可控硅、触发电路以及浪涌检测/泄漏减少电路。上述可控硅的阳极连接于第1端子，阴极连接于第2端子。使上述触发电路形成对上述第1端子施加浪涌电压时触发上述可控硅的结构。使浪涌检测/泄漏减少电路形成设置在可控硅的栅极和上述第2端子之间，在常规动作时切断从上述触发电路流向上述第2端子的电流，在施加浪涌电压时设定与上述触发电路一起触发所述可控硅用的触发电压的结构。
具有可控硅用作保护元件静电电路半导体装置

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