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- [发明专利]膜厚测定装置及膜厚测定方法-CN201080038809.3有效
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大塚贤一;中野哲寿;渡边元之
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浜松光子学株式会社
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2010-07-27
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2012-05-30
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G01B11/06
- 膜厚测定装置(1A)包括:测定光源(28),其将包含遍及规定波段的波长成分的测定光供给至半导体膜(15);分光光学系统(30)及光检测器(31),其针对每个波长检测来自半导体膜(15)的上表面及下表面的反射光所重叠而成的输出光的在各时间点的强度;以及膜厚解析部(40),其求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。根据在彼此不同的时刻(T1、T2)所检测出的输出光的各光谱波形,求出来自上表面的反射光与来自下表面的反射光相互干涉而生成的干涉光的强度成为极大或极小的峰值波长、或相当于相邻的峰值波长的间隔的数值,并根据该数值的时间变化求出半导体膜(15)的膜厚(d)的时间变化。由此,实现一种膜厚测定装置及膜厚测定方法,其即使是如不满干涉光强度的峰值的1个周期那样的微小的膜厚的相对变化量,也可高精度地测定该膜厚变化量。
- 测定装置方法
- [发明专利]基板温度测定方法-CN200410047644.2无效
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赤堀浩史;佐俣秀一
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株式会社东芝
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2002-03-28
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2004-11-10
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H01L21/66
- 当使用具有反应炉的CVD(化学水蒸气沉积)装置在上述反应炉内的基板上形成薄膜时,在上述反应炉的外部测定来自上述反应炉内的辐射光,获得上述辐射光的辐射率的变化与形成于上述基板上的薄膜的膜厚变化的关系。当在获得上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系后使用上述CVD装置在基板上形成薄膜时,测定上述辐射光的上述辐射率的变化。根据获得的上述辐射率变化与上述膜厚变化的关系,从所测定出的上述辐射光的上述辐射率的变化,推定形成于上述反应炉内的基板上的上述薄膜的膜厚。
- 温度测定方法
- [发明专利]检查系统和检查系统中的温度测定方法-CN201880033005.0有效
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望月纯;山崎祯人
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东京毅力科创株式会社
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2018-03-01
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2022-12-06
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H01L21/66
- 具备:检查装置(30),其具有用于载置基板(W)的载置台(21),检查装置(30)用于对载置台(21)上的基板(W)进行检查;调温机构(63),其用于对载置台(21)进行调温;基板收容部(17a);温度测定基板等待部(17c),其使温度测定基板(TW)等待;搬送装置(18),其用于将基板(W)和温度测定基板(TW)搬送至载置台(21)上;以及照相机(16),其用于载置台(21)上的基板(W)的对准。温度测定基板(TW)在表面具有状态根据温度而变化的温度测定构件(52),由搬送装置(18)将温度测定基板(TW)搬送至所述载置台,并由照相机(16)拍摄温度测定构件(52),根据温度测定构件(52)的状态变化来测定温度测定基板
- 检查系统中的温度测定方法
- [发明专利]测定装置以及测定方法-CN202110430016.6在审
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松下友纪
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精工爱普生株式会社
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2021-04-21
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2021-10-26
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G01B11/00
- 本发明涉及测定装置以及测定方法。在基于干涉光对测定对象的形状进行测定且测定对象的凹凸尺寸大于波长的情况下,无法实施高精度的形状测定。测定装置具备:光源部,射出光;分光元件,使从所述光源部射出的光中预定波长的光透射,且能够变更在预定的波长范围内透射的所述光的波长;干涉光学系统,将从所述分光元件射出的光分离为照射到测定对象的测定光和由参照体反射的参照光,并生成将由所述测定对象反射后的所述测定光和由所述参照体反射后的所述参照光合成而得的干涉光;受光部,接收所述干涉光;以及位置计算部,基于光谱信息计算所述测定对象的位置,所述光谱信息是使从所述分光元件透射的光的波长变化时在所述受光部的受光量的变化
- 测定装置以及方法
- [发明专利]显示方法和基板处理装置-CN202110777046.4在审
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植松治志;今井乡
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东京毅力科创株式会社
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2021-07-09
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2022-01-18
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G06T1/20
- 该显示方法用于显示表示与基板处理有关的信息的多个参数,包括以下工序:获取以预先设定的周期进行采样得到的多个所述参数的测定值、以及与所述测定值的采样时间有关的信息;基于与所述测定值的采样时间有关的信息,以进行了采样的顺序在多个所述参数的测定值中提取发生了随时间变化的测定值,或者提取所述发生了随时间变化的测定值和在紧挨该测定值之前进行采样得到的测定值;将提取出的多个所述参数的测定值同与所述测定值的采样时间有关的信息相关联地存储于存储器部;基于存储器部中存储的与所述测定值的采样时间有关的信息,将多个所述参数的测定值绘制成曲线图;以及显示绘制出的所述曲线图。
- 显示方法处理装置
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