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[实用新型]发光二极管阵列-CN201220041925.7有效
发明人：邵世丰;刘恒 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型公开一种发光二极管阵列，主要包括有多个发光二极管单元，其中各个发光二极管单元形成一串联序列，该发光二极管阵列有n列及m行，且m及n至少一者为奇数。通过增加发光二极管单元串联的数量，可以提高发光二极管阵列所需要的驱动电压，以降低外部电压在电压转换的过程中所造成的能量损耗。
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN201110335039.5在审
发明人：邵世丰;刘恒 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明有关于一种发光二极管阵列，主要包括有多个发光二极管单元，其中各个发光二极管单元形成一串联序列，该发光二极管阵列有n列及m行，且m及n至少一者为奇数。
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN201210030544.3无效
发明人：邵世丰;刘恒 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管阵列，主要包括有多个发光二极管单元，其中各个发光二极管单元形成一串联序列，该发光二极管阵列有n列及m行，且m及n至少一者为奇数。
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN201210430788.0无效
发明人：田运宜;梁建钦 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管阵列在此揭露，其中发光二极管阵列包括导电基板、多个发光二极管芯片、多条导线以及绝缘结构。发光二极管芯片配置于导电基板上，导线连接发光二极管芯片，绝缘结构位于导线下方，其中当导线塌陷时，绝缘结构阻隔导线与导电基板，以避免导线接触导电基板。
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN201110258931.8无效
发明人：洪瑞华;卢怡安;郭佩芸 -专利权人：华夏光股份有限公司;财团法人成大研究发展基金会
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种发光二极管阵列，包括第一发光二极管装置以及第二发光二极管装置，其中两个发光二极管装置形成于一基底上，且一间隙位于两个发光二极管装置之间。此间隙被填入一聚合物以及多个微结构，该微结构用以将两个发光二极管装置的侧向光折射和/或反射至一发光面。
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN201210090270.7有效
发明人：冯玟菲;夏德玲 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管阵列，包括：一基板，其上设置有由多个发光二极管芯片依序排列所形成的阵列、一介电层、一插栓与一导电连接层。在一实施例中，每一发光二极管芯片均与位在其相邻列的其它发光二极管以一沟渠加以区隔。而介电层覆盖每一沟渠裸露的基板表面以及沟渠两侧的上述发光二极管芯片的侧壁及部分表面。而上述导电连接层位在该插栓和该介电层上，使得每一上述发光二极管分别与一位在其相邻列的其它上述发光二极管连接。
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN202010064109.7有效
发明人：张锺敏;蔡钟炫;李俊燮;徐大雄;金贤儿;卢元英;姜珉佑 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管阵列，包括：第一发光二极管和第二发光二极管，分别包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；第一上电极，形成在第一发光二极管的第二半导体层上，与第一发光二极管的第二半导体层绝缘；以及第二上电极，形成在第二发光二极管的第二半导体层上，与第二发光二极管的第二半导体层绝缘，其中，第一上电极具有从第一发光二极管侧向第二发光二极管侧突出的突出部，突出部延伸到第二发光二极管上部而与第二发光二极管的第二半导体层电连接，第二上电极具有收容第一上电极的突出部的槽部，第二上电极在彼此相隔的至少两个接触区域与第二发光二极管的第一半导体层接触，第一上电极的突出部向接触区域之间突出。
发光二极管阵列

[外观设计]发光二极管阵列-CN201630412706.9有效
发明人：叶慧君;杨智咏;沈建赋;柯淙凯 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： 26-04 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称发光二极管阵列。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于一种发光二极管阵列。3．本外观设计产品的设计要点在于主视图所示发光二极管阵列。
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN201210328231.6在审
发明人：杨宗宪;巫汉敏;王志贤;陈怡名;徐子杰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一发光二极管阵列，包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道；该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层；该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间，且包括一电极绝缘层；该电极连接层包覆该第一区域；该第二发光二极管包括一半导体叠层及一第二电性焊接垫；该第二电性焊接垫位于该半导体叠层之上；该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间，且包括一电性连接结构电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN201810358864.9有效
发明人：杨宗宪;巫汉敏;王志贤;陈怡名;徐子杰 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一发光二极管阵列，包括一第一发光二极管、一第二发光二极管及一第二隔绝道；该第一发光二极管包括一第一区域、一第二区域、一第一隔绝道及一电极连接层；该第一隔绝道位于该第一区域与该第二区域之间，且包括一电极绝缘层；该电极连接层包覆该第一区域；该第二发光二极管包括一半导体叠层及一第二电性焊接垫；该第二电性焊接垫位于该半导体叠层之上；该第二隔绝道位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间，且包括一电性连接结构电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN201110102886.7有效
发明人：周理评;杨於铮;叶瑞鸿 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管阵列，该发光二极管阵列由N个(N≥3)发光二极管单元所组成，包括：永久基板；粘结层位于永久基板之上；第二导电层位于粘结层之上；第二分隔层位于第二导电层之上；跨接金属层位于第二分隔层之上发光二极管单元间经跨接金属层彼此电性连接。
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN201610171733.0有效
发明人：周理评;杨於铮;叶瑞鸿 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种发光二极管阵列，该发光二极管阵列由N个(N≧3)发光二极管单元所组成，包括：永久基板；粘结层位于永久基板之上；第二导电层位于粘结层之上；第二分隔层位于第二导电层之上；跨接金属层位于第二分隔层之上发光二极管单元间经跨接金属层彼此电性连接。
发光二极管阵列

[实用新型]发光二极管阵列-CN201520344494.5有效
发明人：蔡钟炫;张锺敏 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L25/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种发光二极管阵列。本实用新型的发光二极管阵列包括：基板；发光二极管，位于上述基板，分别包括第一半导体层、活性层、第二半导体层及外露有上述第一半导体层的一部分的第一开口部；下部电极，配置于上述第二半导体层；上部电极，通过上述第一开口部与上述第一半导体层电气连接；以及第一层间绝缘膜，配置于上述发光二极管及上述上部电极之间，使上述上部电极与上述发光二极管的侧面相绝缘，上述第一开口部与上述第二半导体层的一侧并行地配置，上述上部电极的至少一个具有通过上述第一层间绝缘膜外露有上述下部电极的一部分的第二开口部本实用新型可提供具有改善结构的倒装芯片类型的发光二极管阵列。
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN03100373.7无效
发明人：行本富久 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2003-01-13 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： G03G15/04 文献下载
摘要：本发明涉及发光输出大的发光二极管阵列，特别是涉及能够适用于电子照片方式的打印机光源的发光二极管阵列。本发明的发光二极管阵列具有在基板上形成的导电层、在导电层上形成的各自独立的多个的发光部、在各发光部上面的至少一部分上形成的第一电极和接近发光部在导电层上形成的第二电极；其特征在于第二电极是启动多个发光部的通用电极，导电层中相邻接的发光部之间的区域被除去。
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管阵列-CN200610001107.3无效
发明人：行本富久;国武荣一;佐佐木幸男 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2006-01-11 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种在发光二极管阵列中即使采用LEC法的半绝缘性GaAs衬底，也不会发生由于p型GaAs导电层中的P型掺杂剂的扩散引起短路不良的外延结构。在半绝缘性GaAs衬底(30)上以p型GaAs导电层(11)为中间媒介外延生长多个化合物半导体层，经绝缘、分割后具有作为发光二极管而起作用的多个发光部(1)，在这样的发光二极管阵列中，在上述半绝缘性GaAs
发光二极管阵列

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