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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]镶嵌内连线结构与双镶嵌工艺-CN200710008111.7有效
发明人：黄俊仁;赖育聪;姚志成;廖俊雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双镶嵌工艺，首先提供一衬底，其具有一底层介电层、形成在该底层介电层中的下层导电层，及覆盖住该下层导电层及该底层介电层的盖层，接着，于该盖层上沉积一介电层，再于该介电层上沉积一硅氧层，再于该硅氧层上形成一金属硬掩模
镶嵌连线结构工艺

[发明专利]双镶嵌布线和方法-CN200510056297.4有效
发明人：托马斯·L.·麦克德维特;安东尼·K.·斯坦博 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-04-05 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种结构和制备双镶嵌互连结构的方法，该结构包括电介质层中的双镶嵌布线，双镶嵌布线以一个距离延伸进入电介质层，该距离小于电介质层的厚度，并且双镶嵌通道条从双镶嵌布线的下表面延伸至电介质层的下表面并与之形成一体
镶嵌布线方法

[发明专利]微电子装置及其制造方法-CN201510731901.2有效
发明人：李纪敦;金珍硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：所述微电子装置包括双镶嵌互连结构和直接位于双镶嵌互连结构上的单镶嵌线结构。所述双镶嵌互连结构和所述单镶嵌线结构均可以包括以砖墙图案布置的多条线段。砖墙图案还可以用于两个或更多个单镶嵌线结构。
微电子装置及其制造方法

[发明专利]制作双镶嵌结构的方法-CN201710058124.9在审
发明人：蒋欣妤;张峰溢;李甫哲 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种制作双镶嵌结构的方法，其步骤包含形成一导孔穿过介电层、在该介电层上形成一牺牲层填满该导孔、以光致抗蚀剂进行一蚀刻制作工艺以在该介电层中形成一沟槽，其中该蚀刻制作工艺对于该介电层以及该牺牲层的蚀刻选择比为1:1，而该沟槽与该导孔共同构成一双镶嵌凹槽。
介电层导孔蚀刻制作工艺双镶嵌结构牺牲层光致抗蚀剂蚀刻选择比双镶嵌填满制作穿过

[发明专利]双镶嵌结构制作方法-CN200910194919.8有效
发明人：周鸣;牛孝昊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双镶嵌结构制作方法，包括：在基底上依次形成第一介电材料层和第二介电材料层，其中，所述第二介电材料层覆盖所述第一介电材料层，且所述第二介电材料的硬度大于所述第一介电材料的硬度；分别在所述第一介电材料层和所述第二介电材料层中
镶嵌结构制作方法

[发明专利]制备双镶嵌结构的方法-CN200610144473.4有效
发明人： M·E·科尔伯恩;D·L·戈德法布 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制备双镶嵌结构的方法，所述方法包括：提供包括第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层的多层光致抗蚀剂叠层，其中每个光致抗蚀剂层具有独特的清晰剂量值；将所述光致抗蚀剂叠层曝露在一个或多个预定光线图形下；以及显像所述光致抗蚀剂层以在所述光致抗蚀剂层中形成多层结构。
制备镶嵌结构方法

[发明专利]双镶嵌结构的制造方法-CN200910198556.5有效
发明人：马莹;车永强;郭伟凯 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种双镶嵌结构的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成覆盖层、介质层、介质抗反射层以及隔离层；在隔离层上形成具有通孔图形的抗蚀剂层，刻蚀所述隔离层、介质抗反射层以及介质层形成通孔并去除所述通孔内的部分填充层；在隔离层上形成具有沟槽图形的抗蚀剂层，刻蚀隔离层、介质抗反射层以及部分介质层形成沟槽；去除具有沟槽图形的抗蚀剂层；去除通孔内剩余的填充层，并去除通孔内的覆盖层；在通孔和沟槽内形成金属层，以形成双镶嵌结构
镶嵌结构制造方法

[发明专利]双镶嵌结构的制造方法-CN200610029908.0有效
发明人：宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-10 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供一表面具有第一介质层的半导体衬底；在所述第一介质层中形成金属互连线；在所述第一介质层和所述导电结构层表面形成覆盖层；在所述覆盖层上形成第二介质层并在所述第二介质层中形成连接孔；在所述第二介质层上形成底部抗反射层、遮挡层和光致抗蚀剂层；刻蚀所述底部抗反射层、遮挡层和光致抗蚀剂层，以及所述覆盖层直至露出所述金属互连线；填充金属材料形成双镶嵌结构。
镶嵌结构制造方法

[发明专利]双镶嵌结构的制造方法-CN200510084847.3有效
发明人：王志荣 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-07-19 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双镶嵌结构的制造方法，首先，在衬底上依序形成阻障层、第一介电层、第二介电层、多层掩模层、第一底部抗反射层与图案化第一光致抗蚀剂层。接着。以图案化第一光致抗蚀剂层为掩模，进行蚀刻以得到第一沟槽结构。然后，形成第二底部抗反射层，以填满第一沟槽结构，并且覆盖多层掩模层的表面。接着，在第二底部抗反射层上形成图案化第二光致抗蚀剂层，并以图案化第二光致抗蚀剂层为掩模，进行蚀刻以得到第一介质窗结构。之后，蚀刻第一沟槽结构与第一介质窗结构，以得到第二沟槽结构与第二介质窗结构。
镶嵌结构制造方法

[发明专利]双镶嵌结构的制造方法-CN200610116879.1有效
发明人：汪钉崇;王仁杰;杨小明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成介质层；在所述介质层上旋涂第一光刻胶层，并选择性曝光所述第一光刻胶层，通过显影冲洗去除被曝光的光刻胶；刻蚀所述未被第一光刻胶层覆盖的介质层该方法中的清洗能够去除双镶嵌结构制造工艺中产生的光刻胶残渣。
镶嵌结构制造方法

[发明专利]双镶嵌结构的制造方法-CN201010192417.4无效
发明人：韩秋华;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种双镶嵌结构的制造方法，该双镶嵌结构的制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成阻挡层和介质层；刻蚀介质层形成通孔，所述通孔暴露阻挡层表面；在通孔侧壁形成通孔侧墙；在通孔内以及介质层上形成填充层，所述填充层填满通孔；刻蚀部分填充层和部分介质层形成沟槽，沟槽的位置与通孔的位置对应；刻蚀剩余的填充层和通孔内的阻挡层，直至暴露半导体衬底；去除所述通孔侧墙；在通孔和沟槽内形成金属层，以形成双镶嵌结构。
镶嵌结构制造方法

[发明专利]双镶嵌结构及其制造方法-CN201010261552.X无效
发明人：张海洋;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种双镶嵌结构及其制造方法，所述双镶嵌结构的制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一低介电常数介质层以及形成于所述第一低介电常数介质层中的沟槽和通孔；在所述第一低介电常数介质层上以及沟槽和通孔内形成金属材料
镶嵌结构及其制造方法

[发明专利]双镶嵌结构及其制造方法-CN201010285728.5无效
发明人：张海洋;胡敏达 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种双镶嵌结构及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一介质层和中间层；刻蚀所述中间层以形成图形化中间层；形成覆盖所述第一介质层和图形化中间层的第二介质层；刻蚀所述第二介质层与现有技术相比，所述图形化中间层的面积较小，可最大程度的降低该图形化中间层对双镶嵌结构整体的介电常数值的影响，进而改善器件的操作速度。
镶嵌结构及其制造方法

[发明专利]双镶嵌结构及其制造方法-CN200610026758.8无效
发明人：陈玉文 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-05-22 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种双镶嵌结构及其制造方法。该双镶嵌结构具有金属间介质层，覆盖于金属间介质层上的掩埋覆盖层以及形成于所述金属间介质层和掩埋覆盖层中的通孔和沟槽。
镶嵌结构及其制造方法

[发明专利]双镶嵌结构的制造方法-CN200610029915.0无效
发明人：杨小明;汪钉崇;蓝受龙;易义军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-10 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供一具有器件层的半导体基底；将所述基底表面曝露于第一等离子体环境中；在所述半导体基底上形成第一介质层；将所述第一介质层表面曝露于第二等离子体环境中；在所述第一介质层上形成第二介质层
镶嵌结构制造方法

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