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[发明专利]同步整流器电路及使用该电路的多输出电源装置-CN200810086766.0无效
发明人：马昌秀;郑智勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-03-20 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H02M3/28 文献下载
摘要：本发明提供一种同步整流器电路及使用该电路的多输出电源装置，所述同步整流器电路包括：半导体开关，控制同步整流器电路的电流；开关控制器，根据同步整流控制信号和通过反馈同步整流器电路的输出电压生成的输出控制信号来控制半导体开关同步整流器电路可以控制输出电压，降低功率损失，从而提高了同步整流器电路的效率，并降低了同步整流器电路的成本。
同步整流器电路使用输出电源装置

[发明专利]静电放电保护电路及具有此电路的半导体电路-CN200510069108.7有效
发明人：赖纯祥;叶彦宏;吕佳伶 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-05-10 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种静电放电保护电路，适用于具有第一电压源与第二电压源的集成电路中，包括第一半导体硅控整流器、第二半导体硅控整流器、以及寄生二极管。第一半导体硅控整流器的第一控制闸极与电压源相接。而上述的第二半导体硅控整流器的第二控制闸极也与上述的电压源相接。
静电放电保护电路具有半导体

[发明专利]静电放电保护电路-CN01110181.4无效
发明人：陈伟梵;俞大立 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-03-28 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明为一种静电放电保护电路，包含有一半导体控整流器以及一非挥发性内存。半导体控制整流器包含有一阳极、一阴极以及一阳极栅，而阳极与阴极是分别连接于一第一和一第二电路接点。非挥发性内存包含有一浮动栅以及一对源/漏极，源/漏极分别连接于半导体控制整流器的阴极与阳极栅，且浮动栅内存有预定量电荷，以降低半导体控制整流器呈负顺向偏压的触发电压。
静电放电保护电路

[发明专利]静电放电保护器件-CN201510632924.8有效
发明人：霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯;汉斯-马丁·里特 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：所述静电放电保护器件可以包括：半导体控制型整流器以及p‑n二极管。在半导体衬底的主表面上横向一体布置所述半导体控制型整流器和所述二极管；并且所述半导体控制型整流器的电流通路与所述二极管的电流通路相分离。
静电放大保护器件

[发明专利]高压电气开关-CN201310722068.6有效
发明人：皮特·杰勒德·斯蒂内肯;阿努德·彼得·范德威 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H03K17/56 文献下载
摘要：一种高压电气开关，包括多个串联连接的半导体开关；多个整流器，其中每个整流器被连接到其中一个半导体开关的半导体开关控制输入端；射频信号发生器；和多个电流隔离器，其中每个电流隔离器连接射频信号发生器到多个整流器中的一个，其中多个半导体开关彼此隔离。
高压电气开关

[发明专利]具有并联整流器元件的集成开关装置-CN201310115890.6有效
发明人：罗尔夫·维斯;安德烈亚斯·施皮策 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有并联整流器元件的集成开关装置。一种集成电路包括：半导体本体，具有第一半导体层以及在半导体本体的垂直方向与第一半导体层相邻的第二半导体层。所述集成电路进一步包括开关装置和整流器元件，所述开关装置具有控制端以及位于第一负载端和第二负载端之间的负载路径，所述整流器元件与所述负载路径的至少一部分并联。所述开关装置被集成在所述第一半导体层内，并且所述整流器元件被集成在所述第二半导体层内。
具有并联整流器元件集成开关装置

[发明专利]带有制动斩波器的多点整流器-CN201210488635.1有效
发明人：罗兰·雅各布;托马斯·布鲁克纳 -专利权人： GE能源电力转换有限公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H02M7/12 文献下载
摘要：描述了一种用于整流器的电路。该电路设置有多个半导体开关和电容器，它们用于驱动整流器。设置有用于减低能量的制动电阻器，其与存在的半导体开关连接，而没有附加的开关。整流器的运行和通过制动电阻器的电流可以借助存在的半导体开关来控制。
带有制动斩波器多点整流器

[发明专利]高速整流器电路-CN201080042908.9有效
发明人： R·卡拉南;F·赫斯纳 -专利权人：克里公司
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：提供了一种整流器电路，该整流器电路包括：耗尽模式半导体，其具有连接到整流器电路的整流信号输出节点的输出端；以及热载流子半导体二极管，其具有连接到耗尽模式半导体的源极节点的阴极和连接到耗尽模式半导体的栅极节点的阳极该整流器可以包括交流(AC)输入节点，该AC输入节点连接到热载流子半导体二极管的阳极和耗尽模式半导体的栅极节点，并且被配置成接收AC输入信号。
高速整流器电路

[发明专利]用于使线圈通电和放电的电路装置和方法-CN201780076425.2有效
发明人： K.施特劳斯;T.基尔希纳 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于使线圈（140）通电和放电的电路装置（100），其具有整流器（110）、第一电阻（R1）、半导体开关（150）和线圈（140），整流器尤其包括四个二极管（D1，D2，D3，D4），其中，整流器（110）通过第一输入连接端（111）和第二输入连接端（112）与交变电压源（120）能连接，其中线圈（140）的第一连接端（141）与整流器（110）的第一输出连接端（115）连接且线圈（140）的第二连接端（142）通过半导体开关（150）与整流器（110）的第二输出连接端（116）连接，其中半导体开关（150）的控制连接端（153）通过第一电阻（R1）与整流器（110）的第一输出连接端（116）连接，其中设置在线圈（140）的第二连接端（142）和半导体开关（150）的控制连接端（153）之间接通的放电单元（130）和在整流器（110）的第二输出连接端（116）和半导体开关（150）的控制连接端
用于线圈通电放电电路装置方法

[发明专利]一种降低母线电压纹波的PWM控制方法和双向电源装置-CN202310929317.2在审
发明人：夏劲雄;熊小兵 -专利权人：江苏吉泰科电气有限责任公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H02M1/12 文献下载
摘要：本发明涉及双向电源技术领域，具体涉及一种降低母线电压纹波的PWM控制方法和双向电源装置，包括包括双向直流电源，所述双向直流电源包括AC/DC整流模块、母线电容、DC/DC变换模块，所述AC/DC整流模块包括电感L1、三相桥式整流器，三相桥式整流器上桥臂包括功率半导体开关器件S1、功率半导体开关器件S3、功率半导体开关器件S5，三相桥式整流器下桥臂包括功率半导体开关器件S2、功率半导体开关器件S4、功率半导体开关器件本发明，通过AC/DC整流模块和DC/DC变换模块的PWM同步控制，有效降低母线电压纹波，从而提高直流输出侧的控制精度，降低电网输入侧的谐波含量，并延长电容的使用寿命。
一种降低母线电压 pwm 控制方法双向电源装置

[实用新型]单层引线框架整流器-CN201020522079.1无效
发明人：俞建;赵强;李治刿;李驰明;范德忠;魏广乾 -专利权人：四川太晶微电子有限公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体整流器。本实用新型针对现有技术整流器厚度大不利于小型化的缺点，公开了一种采用平面PN结结构的整流器，降低整流器管芯厚度，提高器件的小型化水平并改善芯片散热效果。本实用新型的技术方案是，单层引线框架整流器，包括引线框架，电极、4只芯片和基片，每只芯片包括相交的P型半导体和N型半导体，所述P型半导体和N型半导体分别通过电极与引线框架连接，4只芯片连接成桥式整流电路，其特征在于，每只芯片中P型半导体和N型半导体均位于芯片正面，4只芯片正面朝上，所有电极位于芯片正面并与引线框架连接，4只芯片背面位于同一平面并直接与基片相连。
单层引线框架整流器

[发明专利]半导体装置-CN202010566601.4在审
发明人：宫崎利裕 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H02M7/155 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及一种半导体装置，该半导体装置包括：对AC输入电压进行整流的整流器电路、检测AC输入电压过零的过零检测电路、在通过过零检测电路所检测到的过零以及预定相位角所确定的定时导通整流器电路的控制电路，并且该相位角被设置为使得整流器电路的输出电压逐渐增加。
半导体装置

[发明专利]保护互补金属氧化物半导体器件免受静电放电影响的方法-CN200610000367.9有效
发明人：张智毅 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2003-04-30 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种保护互补金属氧化物半导体器件免受静电放电影响的方法，包括：在互补金属氧化物半导体电路中提供双向可控硅整流器；使双向可控硅整流器与互补金属氧化物半导体电路的衬底相隔离；提供一个连接到双向可控硅整流器上的信号焊盘，以便接收静电放电；以及用双向可控硅整流器保护器件免受静电放电的影响。
保护互补金属氧化物半导体器件免受静电放电影响方法

[发明专利]组合半导体整流器件和使用该组合半导体整流器件的电功率转换器-CN201010150673.7有效
发明人：森本哲弘 -专利权人：富士电机系统株式会社
申请日： 2010-03-16 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供一种组合半导体整流器件和使用该组合半导体整流器件的电功率转换器。根据本发明的组合半导体整流器件1包括PN结硅二极管1b和肖特基势垒二极管1a，该肖特基势垒二极管1a具有的击穿电压高于PN结硅二极管1b的击穿电压，而且肖特基势垒二极管1a由半导体制成，该半导体的带隙比硅的带隙宽根据本发明的组合半导体整流器件1具有缩短的反向恢复时间、低反向漏电流特性和高击穿电压。根据本发明的组合半导体整流器件1在电功率转换器中有利地使用。
组合半导体整流器件使用电功率转换器

[发明专利]一种超势垒整流器及其制备方法-CN201610540473.X有效
发明人：陈茜;胡玮;黄晓橹 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体整流器，尤其涉及一种超势垒整流器及其制备方法。本发明中超势垒整流器SBR开态时，高浓度的半导体漂移区201为超势垒整流器SBR提供了大量的多数载流子，形成了多个低阻电流通道，极大地减小了超势垒整流器SBR的导通电阻，从而大大的降低工艺成本。
一种超势垒整流器及其制备方法

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