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[发明专利]集成半导体器件-CN201610207661.0在审
发明人： G·库拉托拉;F·卡尔曼 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请涉及集成半导体器件。半导体器件包括第一半导体器件、第二半导体器件和第三半导体器件。第一半导体器件和第二半导体器件被集成以形成半桥。第三半导体器件是与半桥串联设置的常关型半导体器件。
集成半导体器件

[发明专利]半导体器件和方法-CN201510464823.4在审
发明人：余振华;张宏宾;陈怡秀;杨固峰;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供了半导体器件和制造方法。在实施例中，在半导体晶圆内形成第一半导体器件和第二半导体器件，并且图案化第一半导体器件和第二半导体器件之间的划线区。然后，在划线区内利用分割工艺以将第一半导体器件与第二半导体器件分割开。然后将第一半导体器件和第二半导体器件接合至第二半导体衬底并且被减薄以从第一半导体器件和第二半导体器件去除延伸区。本发明涉及半导体器件和方法。
半导体器件方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN202010598629.6在审
发明人：余振华;张宏宾;陈怡秀;杨固峰;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了半导体器件和制造方法。在实施例中，在半导体晶圆内形成第一半导体器件和第二半导体器件，并且图案化第一半导体器件和第二半导体器件之间的划线区。然后，在划线区内利用分割工艺以将第一半导体器件与第二半导体器件分割开。然后将第一半导体器件和第二半导体器件接合至第二半导体衬底并且被减薄以从第一半导体器件和第二半导体器件去除延伸区。本发明涉及半导体器件和方法。
半导体器件方法

[实用新型]一种用于半导体器件的快速测试系统-CN201922490459.5有效
发明人：陈心满;钟智坚;蒋治国 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体器件的快速测试系统，包括：放置平台，用于放置待测半导体器件；半导体器件测试仪，用于对待测半导体器件进行测试；控制电路，用于发出开关选通信号；模拟开关电路，与待测半导体器件、控制电路以及半导体器件测试仪连接，用于获取开关选通信号并闭合，以使待测半导体器件与半导体器件测试仪连通。本实用新型将多个待测半导体器件放置在放置平台上，待测的半导体器件与模拟开关电路连接，模拟开关电路与半导体器件测试仪连接，通过开关选通信号使待测半导体器件与半导体器件测试仪连接，选通信号能实现多个半导体器件之间的快速切换，实现了对多个半导体器件的测试，从而提高了半导体器件测试的效率。
一种用于半导体器件快速测试系统

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010579349.0在审
发明人：陈明发;叶松峯;刘醇鸿;史朝文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本揭露实施例是有关于一种半导体结构及其制作方法。一种半导体结构包括第一半导体器件、第二半导体器件、连接器件以及重布线路结构。第一半导体器件接合在第二半导体器件上。连接器件接合在第二半导体器件上且排列在第一半导体器件旁边，其中连接器件包括第一衬底及多个导通孔，导通孔穿透过第一衬底且电连接到第二半导体器件。重布线路结构位于第二半导体器件之上，其中第一半导体器件及连接器件位于重布线路结构与第二半导体器件之间。重布线路结构及第一半导体器件通过连接器件的导通孔电连接到第二半导体器件。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种选择性转移半导体器件的方法和基板-CN201811620158.3在审
发明人：陈亮;马非凡;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性转移半导体器件的方法和基板，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供一半导体器件阵列，半导体器件阵列包括多个半导体器件，多个半导体器件包括第一半导体器件和第二半导体器件；将多个半导体器件转移到临时基板上，临时基板与多个半导体器件之间通过粘结层固定连接；去除多个半导体器件之间的粘结层，粘结层分成多个粘结块；在各个半导体器件和对应的粘结块上铺设保护层，第一半导体器件对应的粘结块上保护层的铺设面积小于第二半导体器件对应的粘结块上保护层的铺设面积；通过未铺设保护层的区域湿法腐蚀粘结块；利用拾取头转移第一半导体器件，留下第二半导体器件。
半导体器件粘结块粘结层铺设半导体器件阵列选择性转移临时基板上保护层保护层半导体技术领域湿法腐蚀拾取头基板去除

[发明专利]半导体器件、半导体器件模块及半导体器件模块制造方法-CN200910141500.6有效
发明人：青木大 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件、半导体器件模块及半导体器件模块制造方法。该半导体器件可包括多个半导体元件。在半导体器件的生产过程中或者在把半导体器件安装在衬底上之后出现故障时，能够容易地测试每个半导体元件的特性，从而能够很好地管理质量，并能够可靠地分析故障。当半导体器件未安装在衬底上时，半导体器件具有这样的连接结构，在该连接结构中多个半导体元件彼此电独立，使得能够通过独立地对这些半导体元件加电而容易地测试和分析其特性。在其上安装了半导体器件的半导体器件模块中，该连接结构可以包括多个半导体元件的并联电路。因此，能够通过在置于半导体器件安装衬底上的一对焊料接合电极焊盘之间施加电压来驱动全部半导体元件。
半导体器件模块制造方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202111316238.1在审
发明人：胡思平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，用于降低半导体结构的设计难度及制备成本。半导体结构包括多个半导体器件。半导体器件包括衬底和参考图形。相邻两个半导体器件中，位于下层的为第一半导体器件，位于上层的为第二半导体器件。第二半导体器件的衬底中至少与第一半导体器件的参考图形相对应的部分的透光率，小于或等于预设透光率。预设透光率为在从第二半导体器件远离第一半导体器件一侧无法识别第一半导体器件的参考图形的情况下，第二半导体器件的衬底中与第一半导体器件的参考图形相对应的部分的最大透光率。第二半导体器件的参考图形和第一半导体器件的参考图形的正投影至少部分重合。上述半导体结构用于实现数据的读取和写入操作。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件模型的建模方法及相关设备-CN202211336724.4在审
发明人：王成成;卜建辉;高立博;闫珍珍;郭燕萍;许婷;赵发展;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请公开一种半导体器件模型的建模方法及相关设备，涉及半导体技术领域，能够提高建模得到的电子半导体器件模型的适用温度范围。半导体器件模型的建模方法，包括：根据对半导体器件实际测试得到的器件高温数据，对已有半导体器件模型进行参数提取，得到半导体器件高温模型，其中，所述器件高温数据对应的测试环境温度范围超出所述已有半导体器件模型对应的环境温度范围；在所述半导体器件高温模型中嵌入亚阈值漏电温度模型，得到优化版半导体器件高温模型；根据所述器件高温数据，对所述优化版半导体器件高温模型进行温度参数的提取，得到终版半导体器件高温模型。
一种半导体器件模型建模方法相关设备

[发明专利]一种半导体器件制造方法及装置-CN202210796209.8在审
发明人：杨阳 -专利权人：苏州华星光电技术有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制造方法及装置。半导体器件制造方法包括：提供待刻蚀的半导体器件材料，将半导体器件材料置于反应腔内，半导体器件材料形成有预处理沟道区；将半导体器件材料进行预刻蚀处理，清除预处理沟道区中的杂质，得到预刻蚀半导体器件；将预刻蚀半导体器件进行主刻蚀处理，得到主刻蚀半导体器件，主半导体器件中形成有主刻蚀沟道区；将主刻蚀沟道区进行后刻蚀处理，清除主刻蚀沟道区中的杂质，得到刻蚀后的半导体器件。本发明对半导体器件进行预刻蚀处理、主刻蚀处理及后刻蚀处理，通过这三次刻蚀处理，可以清除半导体器件沟道区内的杂质，改善刻蚀选择比，以提高制程洁净度和刻蚀均匀性，最终提升半导体器件的电学性能。
一种半导体器件制造方法装置

[发明专利]具有有源漂移区带的半导体布置-CN201380007424.4在审
发明人： R.魏斯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种半导体器件布置包括：半导体层；和至少一个串联电路，具有第一半导体器件和n多个第二半导体器件，其中，n＞1。所述第一半导体器件具有负载路径以及在所述半导体层中所集成的有源器件区域。每个第二半导体器件具有在所述半导体层中所集成的有源器件区域以及在第一负载端子和第二负载端子与控制端子之间的负载路径。所述第二半导体器件使得其负载路径串联连接并且串联连接到所述第一半导体器件的负载路径。每个第二半导体器件使得其控制端子连接到其它第二半导体器件之一的负载端子。所述第二半导体器件之一使得其控制端子连接到所述第一半导体器件的负载端子之一。所述布置还包括：边沿端接结构。
具有有源漂移半导体布置

[发明专利]叠层封装结构及其形成方法-CN202011073389.4在审
发明人：余振华;蔡柏豪;林俊成;郑礼辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明实施例提供的方法包括形成半导体器件，该半导体器件包括由模塑材料围绕的半导体管芯，其中，半导体器件的接触金属件具有暴露的边缘，将半导体器件置于具有内壁和外壁的托盘内，其中，该内壁位于半导体器件下面并且位于半导体器件的外边缘和半导体器件的凸块的外边缘之间，在半导体器件和托盘上沉积金属屏蔽层，其中，金属屏蔽层与接触金属件的暴露的边缘直接接触，然后将半导体器件与托盘分开。本发明的实施例还提供了叠层封装半导体器件。
封装结构及其形成方法

[发明专利]叠层封装结构及其形成方法-CN201710191262.4有效
发明人：余振华;蔡柏豪;林俊成;郑礼辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明实施例提供的方法包括形成半导体器件，该半导体器件包括由模塑材料围绕的半导体管芯，其中，半导体器件的接触金属件具有暴露的边缘，将半导体器件置于具有内壁和外壁的托盘内，其中，该内壁位于半导体器件下面并且位于半导体器件的外边缘和半导体器件的凸块的外边缘之间，在半导体器件和托盘上沉积金属屏蔽层，其中，金属屏蔽层与接触金属件的暴露的边缘直接接触，然后将半导体器件与托盘分开。本发明的实施例还提供了叠层封装半导体器件。
封装结构及其形成方法

[发明专利]垂直型半导体器件-CN200910221278.0有效
发明人：李升埈;李云京 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-11-11 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直型半导体器件，包括在半导体基板上的第一垂直半导体器件，在第一垂直半导体器件上的第二垂直半导体器件，和在第一垂直半导体器件和第二垂直半导体器件之间的互连。
垂直半导体器件

[发明专利]用于具有多个半导体器件层的半导体结构的系统和方法-CN201410032391.5有效
发明人：林以唐;蔡俊雄;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种在不同半导体器件层上具有不同电路功能的多层半导体器件结构。半导体结构包括在块状衬底上所制造的第一半导体器件层。第一半导体器件层包括用于执行第一电路功能的第一半导体器件。第一半导体器件层包括不同材料的图案化顶面。半导体结构还包括在绝缘体上半导体衬底上所制造的第二半导体器件层。第二半导体器件层包括用于执行第二电路功能的第二半导体器件。第二电路功能不同于第一电路功能。接合表面连接在第一半导体器件层的图案化顶面和SOI衬底的底面之间。SOI衬底的底面经由接合表面接合至第一半导体器件层的图案化的顶面。本发明提供了用于具有多个半导体器件层的半导体结构的系统和方法。
半导体器件层电路功能半导体结构衬底图案化顶面半导体器件接合表面底面半导体器件结构绝缘体上半导体接合多层制造

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