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[实用新型]一种用于半导体器件的快速测试系统-CN201922490459.5有效
发明人：陈心满;钟智坚;蒋治国 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体器件的快速测试系统，包括：放置平台，用于放置待测半导体器件；半导体器件测试仪，用于对待测半导体器件进行测试；控制电路，用于发出开关选通信号；模拟开关电路，与待测半导体器件、控制电路以及半导体器件测试仪连接，用于获取开关选通信号并闭合，以使待测半导体器件与半导体器件测试仪连通。本实用新型将多个待测半导体器件放置在放置平台上，待测的半导体器件与模拟开关电路连接，模拟开关电路与半导体器件测试仪连接，通过开关选通信号使待测半导体器件与半导体器件测试仪连接，选通信号能实现多个半导体器件之间的快速切换，实现了对多个半导体器件的测试，从而提高了半导体器件测试的效率。
一种用于半导体器件快速测试系统

[发明专利]膜型半导体封装和方法,测试器件,半导体器件和方法-CN200610064300.1有效
发明人：许南重 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-28 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种使用被输出通道共用的测试垫的膜型半导体封装和方法、一种测试器件、以及使用被测试通道共用的图案的半导体器件和方法。该半导体器件包括膜型半导体封装和测试器件。该膜型半导体封装通过多个测试垫输出测试信号。该测试器件利用测试信号测试该膜型半导体封装。该测试器件的印刷电路板包括多个公共图案，其每个将多个测试通道中的至少两个连接到输入端子，该测试通道将该输入端子连接到测试引脚。当该膜型半导体封装、测试该膜型半导体封装的方法、该半导体器件和该测试器件、以及测试该半导体器件中的该膜型半导体封装的方法被使用时，该膜型半导体封装可以被测试而不替换现有的测试器件。
半导体封装方法测试器件半导体器件

[发明专利]一种3000A半导体器件的功率循环试验系统-CN201810565170.2在审
发明人：邓二平;赵志斌;陈杰;赵雨山;黄永章 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种3000A半导体器件的功率循环试验系统。该系统包括：焊接式半导体器件测试柜、压接式半导体器件测试柜、控制柜和水冷系统；控制柜与焊接式半导体器件测试柜或压接式半导体器件测试柜电连接；控制柜内的电源放置区设置3000A直流电源；水冷系统通过管道与测试柜连接；焊接式半导体器件测试柜的内部设置多组待测焊接式半导体器件组，每组所述待测焊接式半导体器件组均包括多个待测焊接式半导体器件；压接式半导体器件测试柜的内部设置多组待测压接式半导体器件组，每组待测压接式半导体器件组均包括多个待测压接式半导体器件本发明可同时测试三个以上数量的半导体器件，测试效率高；能够满足对不同封装形式的器件的测试的需求；操作简单。
半导体器件半导体器件测试焊接式控制柜压接式测压功率循环内部设置试验系统水冷系统测试测试效率封装形式直流电源测试柜电连接放置区电源

[实用新型]一种3000A半导体器件的功率循环试验系统-CN201820853898.0有效
发明人：邓二平;赵志斌;陈杰;赵雨山;黄永章 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种3000A半导体器件的功率循环试验系统。该系统包括：焊接式半导体器件测试柜、压接式半导体器件测试柜、控制柜和水冷系统；控制柜与焊接式半导体器件测试柜或压接式半导体器件测试柜电连接；控制柜内的电源放置区设置3000A直流电源；水冷系统与测试柜管道连接；焊接式半导体器件测试柜内设置多组待测焊接式半导体器件组，每组所述待测焊接式半导体器件组均包括多个待测焊接式半导体器件；压接式半导体器件测试柜内设置多组待测压接式半导体器件组，每组待测压接式半导体器件组均包括多个待测压接式半导体器件本实用新型可同时测试三个以上数量的半导体器件，测试效率高；能够满足对不同封装形式的器件的测试的需求；操作简单。
半导体器件半导体器件测试焊接式控制柜压接式测压本实用新型功率循环柜内设置试验系统水冷系统测试测试效率封装形式管道连接直流电源测试柜电连接放置区电源

[发明专利]半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法-CN201210205024.1有效
发明人：柳弘俊;尹芸重 -专利权人：宰体有限公司
申请日： 2011-04-11 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法，本发明的半导体器件检测装置包括：装载部，用于装载半导体器件；加热板部，从装载部接收半导体器件并对其进行加热；测试部，用于对由加热板部加热的半导体器件进行电特性测试；反转装载部，在将半导体器件从加热板部传递至测试部之前，使其反转成半导体器件的底面朝向上侧；反转卸载部，从测试部接收半导体器件，使其反转成半导体器件的底面朝向下侧；卸载板部，从反转卸载部接收半导体器件而进行加载；以及卸载部，根据测试部的测试结果，从卸载板部分类出半导体器件而进行加载。
半导体器件检测装置以及方法

[发明专利]半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法-CN201110089753.0无效
发明人：柳弘俊;尹芸重 -专利权人：宰体有限公司
申请日： 2011-04-11 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法，本发明的半导体器件检测装置包括：装载部，用于装载半导体器件；加热板部，从装载部接收半导体器件并对其进行加热；测试部，用于对由加热板部加热的半导体器件进行电特性测试；反转装载部，在将半导体器件从加热板部传递至测试部之前，使其反转成半导体器件的底面朝向上侧；反转卸载部，从测试部接收半导体器件，使其反转成半导体器件的底面朝向下侧；卸载板部，从反转卸载部接收半导体器件而进行加载；以及卸载部，根据测试部的测试结果，从卸载板部分类出半导体器件而进行加载。
半导体器件检测装置以及方法

[发明专利]一种半导体功率器件斩波测试电路及方法-CN200810212231.3有效
发明人：黄长强;曹怀志;刘长清;蹇芳;张宁 -专利权人：铁道部运输局;株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率器件斩波测试电路，采用电感作为测试负载，在对第一半导体功率器件的恢复电压进行测试时，连接电感和电源正极，在对第二半导体功率器件的恢复电压进行测试时，连接电感和电源负极。本发明还公开了一种半导体功率器件斩波测试方法，当对第一半导体功率器件进行测试时，控制第二半导体功率器件动作，测得第一半导体功率器件的恢复电压值，当对第二半导体功率器件进行测试时，控制第一半导体功率器件动作，测得第二半导体功率器件的恢复电压值。本发明所提供的测试电路及方法可以实现对半导体功率器件中续流二极管的恢复电压的有效测试。
一种半导体功率器件测试电路方法

[发明专利]一种半导体器件测试装置-CN202010565348.0在审
发明人：林俊 -专利权人：扬州虹扬科技发展有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件技术领域内的一种半导体器件测试装置，包括：测试机，用以测试半导体器件性能；探针固定单元，探针固定单元用以固定测试机的探针并带动探针在竖直方向位移；承载单元，位于探针固定单元下方，承载单元用以承载半导体器件，并带动半导体器件在水平方向位移；PLC控制器，PLC控制器电连接分别与测试机、探针固定单元、承载单元电连接并控制测试机、探针固定单元、承载单元工作。该半导体器件测试装置通过PLC控制器控制测试机对经过探针下方的半导体器件一一进行测试，实现大批量多种封装半导体器件的自动测试，节约半导体器件测试时的装卸时间，提升大批量半导体器件的测试效率，节约人力成本
一种半导体器件测试装置

[发明专利]一种半导体器件测试方法及装置-CN202111272589.7在审
发明人：冯宇翔;左安超;潘志坚;张土明;谢荣才 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件测试方法及装置，应用于智能功率模块的性能测试，半导体器件测试方法包括：将半导体器件与耐压测试仪通过耐压测试连接导线短接至一起进行耐压测试；在耐压测试后，基于引脚间连筋对所述半导体器件的连接引脚进行切脚成型；在切脚成型后，对所述半导体器件进行电参数测试。本发明技术方案避免半导体器件测试时先切脚成型，再耐压测试时，造成半导体器件失效的问题，降低了测试失效成本。
一种半导体器件测试方法装置

[实用新型]一种半导体器件栅偏测试装置-CN202221433436.6有效
发明人：李尧圣;陈艳芳;李金元;陈中圆;李翠;杨晓亮 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件栅偏测试装置，半导体器件栅偏测试装置包括：加热装置，用于放置待进行半导体器件栅偏测试的半导体器件以及用于为半导体器件提供预设温度的环境；正栅压施加电路，用于为半导体器件施加正向电压；负栅压施加电路，用于为半导体器件施加负向电压；电流检测装置，用于测量在半导体器件栅偏测试的过程中半导体器件的栅极泄漏电流；测试控制端，与正栅压施加电路、负栅压施加电路和电流检测装置分别连接，并用于控制正栅压施加电路和负栅压施加电路交替工作本实用新型在半导体器件栅偏测试的过程中实时监控并实时记录半导体器件的栅极泄漏电流，半导体器件栅偏测试装置的测试可靠性高。
一种半导体器件测试装置

[发明专利]用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法-CN202210426585.8在审
发明人：迟延庆 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构和测试方法。一种用于半导体器件高压测试装置的辅助机构，半导体器件高压测试装置包括用于放置半导体器件的测试台和用于对半导体器件进行高压测试的探针组件；辅助机构包括包围框以及连接部件。连接部件的一端设置于包围框的开口端，另一端与测试台和放置在测试台上的半导体器件中的其中之一密封连接，以界定出一密封空间。其中，探针组件的探针位于密封空间内，且密封空间内填充具有预设压力值的气体。在密封空间内利用探针组件对半导体器件进行高压测试的过程中，半导体器件的放电电压会小于半导体器件在高压测试所需的电压，半导体器件就不易出现放电打火现象。
用于半导体器件高压测试装置辅助机构方法

[发明专利]半导体器件虚拟测试平台及半导体器件虚拟测试方法-CN201910265898.8在审
发明人：李曼;郭宇锋;李泽锴;桂佳濠;姚佳飞;杨可萌;张珺 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件虚拟测试平台及半导体器件虚拟测试方法，用于对半导体器件进行电学性能测试，所述半导体器件虚拟测试平台包括运用VI技术开发的虚拟测试程序及虚拟测试界面，所述虚拟测试程序包括：数据输入及存储模块，测试程序运行模块，测试结果显示模块，参数提取模块及停止模块。本发明通过联合TCAD和VI技术，构建半导体器件并编译不同半导体器件的不同电学性能测试程序，无需配备昂贵的测试仪器，节省实验成本，而且所述半导体器件虚拟测试平台简单易懂，操作方便。
半导体器件虚拟测试电学性能测试参数提取模块测试程序运行测试结果显示测试仪器存储模块技术开发实验成本停止模块构建编译配备联合

[发明专利]半导体器件及其形成方法和工作方法-CN201810179409.2在审
发明人：熊鹏;胡友存 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法和工作方法，其中半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括器件区和非器件区，半导体衬底器件区内具有相互电连接的器件主体与互连结构；位于半导体衬底表面的连接衬垫、测试衬垫和导线，连接衬垫与互连结构相连接，连接衬垫与测试衬垫通过导线电学连接，连接衬垫位于半导体衬底器件区，测试衬垫位于半导体衬底非器件区；所述导线用于在探针测试后进行熔断，使连接衬垫和测试衬垫断开。所述半导体器件的性能得到提高。
连接衬垫半导体器件测试衬垫器件区衬底半导体半导体衬底器件互连结构半导体衬底表面熔断导线电学器件主体探针测试电连接断开

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、测试方法-CN202211153764.5在审
发明人：刘沙沙;李寒骁;毛晓明;高晶;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法、测试方法。所述半导体器件包括：位于半导体层上的器件区和位于所述器件区外围的切割道区；其中，所述切割道区内设有半导体测试结构；所述半导体测试结构包括位于所述半导体层上的堆叠结构和贯穿所述堆叠结构的测试孔结构；所述半导体测试结构包括多个测试区，每个所述测试区内的所述测试孔结构的孔径不同。
一种半导体器件及其制造方法测试

[发明专利]检测半导体器件的方法及装置-CN200710044385.1无效
发明人：张峻豪;杜璇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-07-30 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测半导体器件的方法包括，预设待测半导体器件所在晶圆信息参数、测试信息参数以及测试步骤；根据预设的待测半导体器件所在晶圆信息参数确定待测半导体器件，并根据预设的测试信息参数将测试装置接触到晶圆上与待测半导体器件的端口对应的测试引脚；执行预设测试步骤对于待测半导体器件进行测试；输出待测半导体器件的测试结果。相应地，本发明公开了一种检测半导体器件的装置。本发明检测半导体器件的方法及装置由于解决了现有技术手动检测检测数量少、检测过程不方便并且精度不高的问题，因而检测数量多，检测过程方便，并且检测精度高。
检测半导体器件方法装置

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