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[发明专利]半导体光电器件-CN98100637.X有效
发明人：大泽胜市;老邑克彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-02-23 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：在由N型杂质区域构成的受光部形成在其中的P型半导体衬底上，形成第1P型杂质区域来作为消除电磁噪声的屏蔽部。该屏蔽部呈网格状覆盖受光部的一部分表面，以防止因它和受光部相互接触而引起的自发噪声过大。并且，形成比受光部深的第2P型杂质区域来包围第1P型杂质区域，以便消除来自半导体衬底侧面的电磁噪声。
半导体光电器件

[发明专利]半导体光电器件-CN200710096171.9有效
发明人：孙重坤;柳汉烈;司空坦;白好善;李成男 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-04-18 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体光电器件，包括：有源层，包括量子阱和势垒层；上和下波导层，分别形成在所述有源层之上和之下；上和下包层，分别形成在所述上和下波导层之上和之下；衬底，支承所得堆叠结构；上光学约束层OCL
半导体光电器件

[发明专利]半导体光电器件-CN03164912.2无效
发明人： 原君男;川崎和重 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-09-26 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件，具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率n_i
半导体光电器件

[发明专利]半导体光电器件-CN200610091595.1无效
发明人： 原君男;川崎和重 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-09-26 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率n_i
半导体光电器件

[发明专利]半导体光电器件-CN200610099681.7无效
发明人： 原君男;川崎和重 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-09-26 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种宽广波长频带范围内，备有低反射率反射膜的半导体光电器件。半导体光电器件具备包括由有源层和夹着上述有源层的2张包层构成的波导层的叠层构造体，以及在所述叠层构造体的一对相对端面部的至少其一端面部上形成的多层反射膜；上述多层反射膜各自膜的折射率n_i
半导体光电器件

[发明专利]一种半导体缺陷分布成像检测装置及检测方法-CN202111237891.9有效
发明人：王岩;徐鹏飞;罗帅;季海铭 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体缺陷分布成像检测装置及检测方法，其不同之处在于：检测装置包括电流电压源、三维平移台、连续激光光源、凸透镜、分束镜、滤光片和CCD相机；电流电压源用于给半导体光电器件样品施加正向电压或正向电流，以使半导体光电器件样品表面发出光信号；连续激光光源依次经过透镜和分束镜后聚焦至半导体光电器件样品表面，用于使半导体光电器件样品内的缺陷电子态饱和；三维平移台用于调节半导体光电器件样品的位置，使连续激光光源在半导体光电器件样品表面进行完整扫描；半导体光电器件样品的光信号依次经过分束镜和滤光片后投射到CCD相机上。本发明能有效检测半导体光电器件深能级缺陷的位置分布信息。
一种半导体缺陷分布成像检测装置方法

[发明专利]光电组件、光源池、光电交换设备和光电组件的控制方法-CN202210658297.5在审
发明人：林志远;陈寰;李刚;吴小帆;宋小鹿 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H04B10/564 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电组件、光源池、光电交换设备和光电组件的控制方法，涉及光通信领域，用于提高光电组件的效率。光电组件包括：电压变换电路、半导体光电器件、光电探测电路和控制器；电压变换电路用于向半导体光电器件提供偏置电压，通过改变偏置电压来调节半导体光电器件输出的出光光功率；其中，半导体光电器件在目标光功率范围下的微分电阻值Rdiff满足0.1Ω≤Rdiff≤50Ω，微分电阻值指电压变化量与电压变化量对应的电流变化量的比值；光电探测电路，用于探测半导体光电器件输出的出光光功率，并向控制器输出探测信号；控制器，用于根据探测信号确定控制信号
光电组件光源交换设备控制方法

[发明专利]一种用于光电器件封装的半导体载体-CN03139121.4无效
发明人：何晓光 -专利权人：厦门三安电子有限公司
申请日： 2003-08-14 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光电器件封装的半导体载体，此半导体载体用于封装在同一侧有两个电极的光电器件，如氮化镓基发光二极管。在一个方向，两个电极间的电隔离由反向偏置半导体结或肖特基结形成；另一方向正向半导体结或肖特基结对光电器件反向偏置短路，保护光电器件免受反向击穿，使用半导体结或肖特基结电隔离，较介质膜隔离有较好的导热系数
一种用于光电器件封装半导体载体

[发明专利]半导体光电器件及其制备方法-CN202111074526.0在审
发明人：李耀耀 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体光电器件及其制备方法，通过在半导体衬底中形成凹槽，以及在凹槽中填充金属填充层，从而将半导体衬底划分为具有不同厚度的区域，其中，半导体衬底较厚的区域，可满足半导体衬底良好的支撑作用，同时半导体衬底局部被减薄的区域，以及位于凹槽内的具有良好导热性能的金属填充层，可提高半导体光电器件的热学特性，且进行局部刻蚀，可减少半导体衬底所承受的应力；进一步的，与金属电极相接触的具有良好导电性能的金属填充层，还可增加金属电极的有效接触面积，降低半导体光电器件的接触电阻，从而可提高半导体光电器件的电学特性。
半导体光电器件及其制备方法

[发明专利]光电器件及其制备方法-CN202080103793.3在审
发明人：张丽旸;程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本申请提供一种光电器件及其制备方法。该光电器件包括依次层叠设置第一半导体层、有源层、第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第二半导体层中设有一层纳米金刚石结构，所述纳米金刚石结构与所述第二半导体层的导电类型相同该光电器件的其制备方法用于制作该光电器件。本申请通过在第二半导体层中设置一层纳米金刚石结构，可以有效避免吸收有源层发出的UV光线，达到大幅度提升UV LED的光提取效率的有益效果。
光电器件及其制备方法

[发明专利]一种通过等离子体处理调控有机半导体及其光电器件性能的方法-CN202111106465.1在审
发明人：李立强;黄忆男;陈小松;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体技术领域，具体涉及一种通过等离子体处理调控有机半导体及其光电器件性能的方法，具体包括：在还原性或惰性气氛下，使用等离子体处理有机半导体薄膜，通过对等离子体功率、气压和处理时间的控制实现对有机半导体及其光电器件性能的调控；所述有机半导体性能包括电导率和极型，所述光电器件性能包括迁移率、开关比和阈值电压。本发明提供一种通过等离子体处理调控有机半导体及其光电器件性能的方法，创新性地采用低压低功率等离子体技术，实现了对器件性能精确、有效地调控。
一种通过等离子体处理调控有机半导体及其光电器件性能方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法和通信设备-CN202010260213.3在审
发明人：李志伟;王谦;曾金林;任民 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法和通信设备。所述半导体器件包括半导体基板及设于所述半导体基板上的光电器件和传导件，所述光电器件和所述传导件耦合对准，所述半导体基板的安装面设有至少三个限位支撑柱，其中至少三个限位支撑柱围设形成至少一个三角形区域，所述光电器件包括与所述限位支撑柱一一对应的限位槽，所述限位支撑柱远离所述安装面的端部收容在所述限位槽内，通过与所述限位槽的内壁接触以支撑及限位所述光电器件。本申请的半导体器件用以避免有源芯片在高温焊接下会产生位移，导致焊接后的有源芯片与无源器件的耦合对准精度较差的问题。
半导体器件及其制备方法通信设备

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201810505082.3有效
发明人：何延强;林宗德;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底分为若干区域，各区域的半导体衬底内分别形成有光电器件；所述半导体衬底的各区域分别具有凸出表面，所述凸出表面的宽度与所述光电器件的尺寸相适应；浅沟槽隔离结构，形成在所述半导体衬底内、且位于所述光电器件之间；器件结构，形成在所述半导体衬底上及所述半导体衬底内；反射层，形成在具有凸出表面的半导体衬底上，且暴露出所述浅沟槽隔离结构和器件结构。
图像传感器及其形成方法

[发明专利]图像传感器及其形成方法-CN201910705010.8在审
发明人：魏代龙;杨帆 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立排列的光电器件；沟槽隔离结构，形成于所述半导体衬底中且位于所述光电器件之间；第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，形成于所述光电器件上的半导体衬底内且位于所述沟槽隔离结构之间；传输栅极，形成于所述光电器件一侧的沟槽隔离结构中，所述传输栅极的两端分别与所述第一浮置扩散区和光电器件接近；控制栅极，形成于所述光电器件上的半导体衬底的第一表面上
光电器件浮置扩散区图像传感器衬底半导体沟槽隔离结构传输栅极控制栅极第一表面高灵敏度高动态分立申请

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110656632.3在审
发明人：吴旭升;陈文磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，其中所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻的逻辑区和光电区，其中所述逻辑区形成有逻辑器件，在所述逻辑区和所述光电区的半导体衬底上形成有第一介质层；在所述光电区的第一介质层中形成光电材料层，且所述光电材料层与所述第一介质层的表面共面；在所述光电材料层中或者所述光电材料层下方的半导体衬底中形成光电器件。本申请技术方案的半导体结构的形成方法能够将光电器件和逻辑器件同时制作在同一芯片上。
半导体结构及其形成方法

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