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- [发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310570939.7无效
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西森理人;今田忠纮;多木俊裕
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富士通株式会社
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2013-11-13
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2014-06-11
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H01L29/778
- 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。该化合物半导体器件包括第一化合物半导体层;形成在第一化合物半导体层的上侧上的第二化合物半导体层,并且第二化合物半导体层的带隙大于第一化合物半导体层的带隙;形成在第二化合物半导体层的上侧上的p型第三化合物半导体层;形成在第二化合物半导体层的上侧上穿过第三化合物半导体层的电极;形成为在第二化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第四化合物半导体层,并且第四化合物半导体层的带隙小于第二化合物半导体层的带隙;以及形成为在第四化合物半导体层的上侧处与第三化合物半导体层接触的第五化合物半导体层,并且第五化合物半导体层的带隙大于第四化合物半导体层的带隙。
- 化合物半导体器件及其制造方法
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