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[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201910261130.3有效
发明人：崔海起 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器系统。存储器系统可以包括：非易失性存储器装置；写入缓冲器；以及控制器，适于：在写入缓冲器上执行清除操作的时间点检查是否已提交第一写入数据，根据检查结果将清除操作分为彼此不重叠但彼此连续的第一清除操作和第二清除操作，当分组为事务的第一写入数据和未分组为事务的第二写入数据混合并存储在写入缓冲器中时，执行第一清除操作和第二清除操作；在存储在写入缓冲器中的写入数据之中，控制器在第一清除操作期间可选择提交的第一写入数据并将提交的第一写入数据存储在非易失性存储器装置的第一存储区域中
存储器系统及其操作方法

[发明专利]用于写入持久性的自适应并发-CN201780056770.X有效
发明人：约翰·科尔格洛夫;罗伯特·李;柯蒂斯·斯克兰顿·麦克道尔;邵舒怡;伊戈·奥斯特洛夫斯基;石广宇;彼得·瓦耶尔 -专利权人：净睿存储股份有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供了一种由存储系统执行的用于该存储系统中的写入持久性的自适应并发的方法。该方法包括响应于接收到用于将数据写入存储系统的写入请求，从多个写入过程中选择写入过程，以及根据所选择的写入过程将数据写入存储系统。多个写入过程之一包括将数据传输到存储系统中，将与数据的文件信息相关联的inode锁定在存储器中，在锁定inode时更新inode中的文件信息，在锁定inode时提交数据，及解锁inode。
用于写入持久性自适应并发

[发明专利]图像数据显示控制设备-CN200710087400.0无效
发明人：森永博之;景山博行;榊原努;糸满辰夫;大坂直人 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：存储器访问切换电路转接写入控制电路对图像存储器的数据访问和显示控制电路对图像存储器的数据访问。消隐期改变控制电路在接收到写入控制电路对图像存储器的写入操作启动后，扩展在接收该写入操作启动的显示帧中的消隐期。写入控制电路在接收到图像数据的输入后，向存储器访问切换电路输出写入图像数据的请求。存储器访问切换电路在接收到写入请求时，从显示控制电路的数据访问切换到写入控制电路的数据访问。
图像数据显示控制设备

[发明专利]高带宽磁阻随机存取存储器装置及其操作方法-CN200710001785.4有效
发明人：洪建中;李元仁;高明哲 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-01-16 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种存取一磁阻随机存取存储器(MRAM)装置的存储单元的方法，其中存储单元包含多个存储器单元，所述方法包含通过识别其中已存储有与将要写入到其中的数据不同的数据的存储器单元中的多个存储器单元来写入存储单元；以及同时写入存储器单元中的多个存储器单元的全部。MRAM装置包含多个写入字线，多个写入位线以及多个存储单元。每一个存储单元包含多个存储器单元。每一个存储器单元包含：自由磁区，其具有不垂直于写入位线且不垂直于写入字线中的一条或一个以上磁性易磁化轴；固定磁区；以及自由磁区与固定磁区之间的隧道阻挡层。
带宽磁阻随机存取存储器装置及其操作方法

[发明专利]一种数据写入、读取方法及装置-CN201610028102.3有效
发明人：姜卫平;陈恒;李国华;殷松迁 -专利权人：北京市博汇科技股份有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据写入、读取方法及装置，该数据写入方法可以包括：获取新的TS流数据；按照排序从多个存储空间相同的预设存储区域中选择前一写入区域的下一预设存储区域作为当前写入区域；将TS流数据写入到当前写入区域，将开始写入的时刻作为当前写入区域的初始写入时间；判断当前写入区域是否被TS流数据写满；当当前写入区域被TS流数据写满时，将写满的时刻作为当前写入区域的结束写入时间，并将排序位于当前写入区域之后的下一预设存储区域作为目标写入区域，并将后续TS流数据写入目标写入区域内，将开始写入的时刻作为目标写入区域的初始写入时间。
一种数据写入读取方法装置

[发明专利]一种文件数据的多副本存储方法及多副本存储系统-CN202011448185.4在审
发明人：黎海兵 -专利权人：北京金山云网络技术有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G06F16/182 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种文件数据的多副本存储方法及多副本存储系统，包括：控制节点对客户端发送的第二写入请求进行校验，在校验成功时选取第一预设数量个存储节点，将第一预设数量个存储节点对应的地址信息发送给客户端；客户端选取待写入存储节点，向待写入存储节点发送第一写入请求，确定预设超时时间段内接收到的表示写入成功的写入结果信息个数不为零时，将写入成功的存储节点对应的信息确定为存储结果信息发送给控制节点；控制节点在写入成功的存储节点的个数与第二预设数量不同时，将目标文件对应的数据，备份至除待写入存储节点之外的存储节点，对目标文件对应的元数据信息更新。本发明实施例，能够能够提高文件数据的多副本存储效率。
一种文件数据副本存储方法存储系统

[发明专利]存储装置-CN202210163781.0在审
发明人：滋贺秀裕;高岛大三郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够在写入动作中抑制并非写入对象的存储单元中的数据的写入的存储装置。存储装置具备：存储单元阵列，排列着存储器串，所述存储器串包含将与第1电位施加电极建立对应的单元晶体管和阻变存储区域并联连接而成的多个存储单元；以及电位设定电路，设定第1电位施加电极的电位。电位设定电路在将写入对象的存储单元的第1电位施加电极设定为单元晶体管成为断开状态的电位之前，将并非写入对象的存储单元的第1电位施加电极的电位设定为在写入动作中单元晶体管维持接通状态的电位。电位设定电路在将写入对象的存储单元的第1电位施加电极设定为单元晶体管成为接通状态的电位之后，将并非写入对象的存储单元的第1电位施加电极的电位设定为写入动作之前的电位。
存储装置

[发明专利]制造MRAM单元的阵列的方法、写入该MRAM单元的方法-CN201910635581.9有效
发明人：应继锋;王仲盛;牛宝华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种制造磁性随机存取存储器单元的阵列的方法包括写入磁性随机存取存储器单元。写入存储器单元包括确定所述存储器单元的阵列的最佳写入电流；以及将所述最佳写入电流应用于所述阵列中的第一存储器单元。将第一读取电流应用于第一存储器单元以响应于应用所述最佳写入电流，确定第一存储器单元的磁取向是否已经改变。当第一存储器单元的磁取向没有改变时，将第二写入电流应用于第一存储器单元。第二写入电流不同于最佳写入电流。将第二读取电流应用于第一存储器单元，以响应于应用第二读取电流，确定第一存储器单元的磁取向是否改变。本发明实施例还涉及写入磁性随机存取存储器单元的方法。
制造 mram 单元阵列方法写入

[发明专利]用于产生写入命令的方法、控制器和半导体系统-CN201910998982.0在审
发明人：朴珉秀;金东均;尹相植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供一种用于产生写入命令的方法、控制器和半导体系统。半导体系统包括半导体器件和控制器。半导体器件包括第一存储排，并且被配置为响应于接收到第一写入命令而执行将第一数据写入到第一存储排的第一写入操作。半导体器件包括第二存储排，并且被配置为响应于接收到第二写入命令而执行将第二数据写入到第二存储排的第二写入操作。控制器被配置为接收至少一个写入请求，并且响应性地产生在时间上分开的第一写入命令和第二写入命令，以使得在第一写入命令的产生与第二写入命令的产生之间的过渡时间间隔基于第二存储排不同于第一存储排并且基于写入前导码时段与写入后导码时段的比较
用于产生写入命令方法控制器半导体系统

[发明专利]存储卡-CN03147161.7有效
发明人：中西清二;鸟居高志;古田敬明;阪本孝广;矢野正义 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-08-21 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： G06K19/073 文献下载
摘要：一种存储卡包括：存储卡的一个主体，其上形成有一个凹口部分；一个半导体存储器；以及一个写入/非写入设置器件，用于对所述半导体存储器内的数据的写入/非写入状态进行设置，所述写入/非写入设置器件可以滑动匹配安装于所述凹口部分内，其中所述存储卡的主体包括一个上主体和一个下主体；所述上主体和所述下主体中的至少一个具有形成于所述凹口部分内的一个弹性导杆；所述写入/非写入设置器件沿着弹性导杆滑动，以便对半导体存储器内的数据的写入/非写入状态进行设定；以及一个弹性导杆具有一个接合部分，用于与所述写入/非写入设置器件进行接合制动，以便依据所述弹性导杆，选择所述写入/非写入设置器件的所述位置。
存储

[发明专利]数据存储方法、装置-CN201910958812.X有效
发明人：李创锋;陈柏轩 -专利权人：深圳市金泰克半导体有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种数据存储方法、装置，该方法包括：分别根据每个待写入子数据的逻辑地址和第一队列、第二队列的当前负载状态、当前排序状态，获取每个待写入子数据和变化的已写入子数据的所在队列和在所在队列的排序；根据每个待写入子数据和变化的已写入子数据的所在队列和在所在队列的排序，获取每个待写入子数据的数据类型和队列改变的已写入子数据的数据类型；分别将每个待写入子数据写入到对应的存储区，将队列改变的已写入子数据写入到对应的存储区或更新队列改变的已写入子数据在所在存储区的数据类型通过对待写入子数据排序获取所在队列以确定数据类型，进而写入到硬盘中对应的存储区，实现了热数据、冷数据、温数据的分类存储。
数据存储方法装置

[发明专利]非易失性半导体存储装置和它的数据写入方法-CN03138198.7无效
发明人：田中智晴 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-05-29 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供能缩短把预先写入期间和写入期间合计的写入期间的非易失性半导体存储装置，包括：能电改写数据的第一、第二非易失性半导体存储单元(M)；在所述第一、第二存储单元上同时施加多个写入脉冲，进行写入的写入控制电路写入控制电路(3～8)不依存于第一、第二存储单元的写入状态，在其上同时施加第一预先写入脉冲；在施加后，不依存于它们的写入状态，在第一、第二存储单元上同时施加比第一预先写入脉冲高出第一电位差的第二预先写入脉冲然后，在第一、第二存储单元上同时施加具有比第二预先写入脉冲低的初始电压且以比第一电位差小的第二电位差使电压不断升高的写入脉冲列。
非易失性半导体存储装置数据写入方法

[发明专利]存储卡-CN00811933.3有效
发明人：中西清二;鸟居高志;古田敬明;阪本孝广;矢野正义 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-08-21 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： G06K19/073 文献下载
摘要：一种存储卡包括存储卡的一个主体，其上形成有一个凹口部分；一个半导体存储器；以及一个写入/非写入设置器件，用于对所述半导体存储器内的数据的写入/非写入状态进行设置，所述写入/非写入设置器件可以滑动匹配安装于所述凹口部分内，其中所述存储卡的主体包括一个上主体和一个下主体；所述上主体和所述下主体中的至少一个具有形成于所述凹口部分内的一个弹性导杆；所述写入/非写入设置器件沿着弹性导杆滑动，以便对半导体存储器内的数据的写入/非写入状态进行设定；以及一个弹性导杆具有一个接合部分，用于与所述写入/非写入设置器件进行接合制动，以便依据所述弹性导杆，选择所述写入/非写入设置器件的所述位置。
存储

[发明专利]多位存储单元非易失性存储器的写入方法及系统-CN201410013953.1在审
发明人：刘伯彦;张哲玮 -专利权人：擎泰科技股份有限公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种写入填充数据至多位存储单元非易失性存储器的系统及方法，在将主机数据写入至多位存储单元非易失性存储器时，以填充数据写入至少一个较低有效位（LSB）页。对于写入命令，写入有主机数据的每一LSB页所对应的较高有效位（MSB）页也写入有主机数据。
存储单元非易失性存储器写入方法系统

[发明专利]存储器控制器和用于对存储器写入的方法-CN200380107943.4有效
发明人： J·胡格布鲁格 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-11-26 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明提供一种用于具有至少一个存储单元的存储器的控制器，其对于写入比对于读出涉及更高的成本。所述存储单元被分配至第一地址信息，并适于存储存储器数据，本发明的存储器控制器包括寄存器。与所述寄存器连接的写入控制器适于接收包括所述第一地址信息和其被分配的第一写入数据的写入请求，确定所述第一地址信息是否存储于所述寄存器中。如果是，写入控制器对所述第一写入数据与被分配至所述第一地址信息的所述寄存器中的较早写入请求的第二写入数据进行比较。如果不是，它对所述第一写入数据与被分配至第一地址信息的所述存储器数据进行比较。所述写入控制器进一步分别传送所述第一地址信息和所述第一写入数据至所述寄存器，并且如果第一或第二写入数据分别不同于所述存储器数据，就分别初始化所述第一或第二写入数据从所述寄存器至所述存储器的写入操作。利用本发明的存储器控制器，可在节省写入功率的同时，提供对存储器的连续访问。
存储器控制器用于写入方法