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[发明专利]一种细化过共晶铝硅合金中初晶硅的方法-CN201210272948.3有效
发明人：郭建;武晓霞;黄小婷 -专利权人：中原工学院
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：一种细化过共晶铝硅合金中初晶硅的方法，在过共晶铝硅合金熔铸时，通过TiB2颗粒相细化过共晶铝硅合金中初晶硅相。本发明是在过共晶铝硅合金熔配时，利用自生TiB2颗粒细化过共晶铝硅合金中初晶硅相，不需要高的浇铸温度可以使初晶硅相细化至50微米以下。由于TiB2颗粒在铝合金熔体中稳定性高，不与合金中的其它合金元素发生反应，具有细化效果长效性，不影响Sr元素或Na元素对合金中共晶硅的变质细化作用，可实现过共晶铝硅合金中初晶硅和共晶硅同时细化，显著提高合金性能
一种细化共晶铝硅合金中初晶硅方法

[发明专利]一种单晶高温合金共晶组织和粗大γ′相的图谱检测方法-CN201510800222.6在审
发明人：岳晓岱;喻健;李嘉荣;韩梅 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶高温合金共晶组织和粗大γ′相含量的图谱检测方法。其特征在于检测过程依次包括：1)建立单晶高温合金共晶组织和粗大γ′相含量的图谱；2)根据检测须要将待测试样进行切割、研磨、抛光、腐蚀，制成检测试样；3)将试样置于显微镜下观察，采集须要检测的视场图片；4)将采集的视场图片与比对，判断检测视场中共晶组织和粗大γ′相含量。本发明通过建立单晶高温合金共晶组织和粗大γ′相含量的检测图谱，实现了单晶高温合金中共晶组织和粗大γ′相含量的快速检测，操作简单易行，能较好地保证单晶高温合金共晶组织和粗大γ′相检测结果的准确性，特别适用于单晶高温合金共晶组织和粗大γ′相含量的批量检测。
一种高温合金组织粗大图谱检测方法

[发明专利]硅共晶合金组合物以及通过旋转浇铸制备其的方法-CN201280070604.2无效
发明人：扎迦利·鲍尔;杰里米·毕比;马修·加夫;达伦·罗伊尔;瓦斯根·莎玛米安;兰德尔·西格尔;约瑟夫·苏茨曼;詹姆斯·扬格 -专利权人：道康宁公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： C22C28/00 文献下载
摘要：本发明描述了为了进行制备硅共晶合金组合物的旋转浇铸方法，将硅和一种或多种金属元素M熔融在一起以形成包含所述硅和所述一种或多种金属元素M的共晶合金熔体。将含有所述共晶合金熔体的模具以足以形成与所述模具的内表面接触的旋转体积的所述共晶合金熔体的速度围绕其纵向轴线旋转。将热量从所述旋转体积的所述共晶合金熔体中定向地移除，以定向固化所述共晶合金熔体，并且形成共晶合金组合物，所述共晶合金组合物包括所述硅、所述一种或多种金属元素M，以及包含所述硅的第一相与式MSi₂的第二相的共晶聚集体，其中所述第二相为二硅化物相。
硅共晶合金组合以及通过旋转浇铸制备方法

[发明专利]一种三元相图绘制方法-CN202110623759.5在审
发明人：汤弢;段昌明;昂科科觉;张金玲;李文辉 -专利权人：南方科技大学;纯钧新材料（深圳）有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种三元相图绘制方法，所述三元相图绘制方法包括如下步骤：(1)测试三元复合相变材料中各相的熔点与潜热值；(2)依据范拉尔方程绘制三元复合相变材料中任意两相之间的二元相图，得到三组任意两相间的共晶点以及在共晶点处两相的质量分数，计算任意两相共晶点温度的潜热值；(3)将上述任意两相按照共晶点的质量比进行配置，作为新相，计算任意两相共晶点的潜热值；(4)在三元相图中连接三个共晶点的坐标点，完成三元相图的绘制；或(4')在三元相图中依次连接顶点和其余两相的共晶点
一种三元相图绘制方法

[发明专利]一种兼具高强度、高硬度及高热稳定性的Laves相共晶合金及其制备方法-CN202110253871.4有效
发明人：薛云龙;王玉轩;孙浩华;伍媛婷;刘长青;刘虎林;袁亮 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C22C27/06 文献下载
摘要：一种兼具高强度、高硬度及高热稳定性的Laves相共晶合金及其制备方法，步骤一、打磨清洗高纯金属原料，按化学成分Cr‑22.93Fe‑53.68Nb(at.％)配料；步骤二、将金属原料按照熔点由低到高的顺序依次放入非自耗电弧熔炼炉的水冷铜坩埚中将炉体真空度抽至3×10‑3～6×10‑3Pa，冲入高纯氩气并将炉内气压控制在0.05Pa，电弧熔炼过程中合金锭翻转重熔5次得到共晶合金产物所述的共晶合金，显微组织中枝晶内为全共晶Laves相/Nbss相，枝晶间为全共晶Laves相/μ相/Nbss相，共晶合金具有高强度、高硬度及高热稳定性，同时采用低成本的Fe替代Cr，材料成本低廉，制造工艺简单、快捷、高效；且本发明的共晶合金具备结晶温度间隔小、流动性好、成分偏析小等优点，适合制备成分与组织均匀的大尺寸高质量构件。
一种兼具强度硬度高热稳定性 laves 相共晶合金及其制备方法

[发明专利]一种FeCoNiSnx-CN202110584167.7有效
发明人：王海丰;张建宝;林怡彤;张帆;崔德旭;贺一轩 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种FeCoNiSnx中熵合金及其制备方法，其组成元素Fe、Co、Ni、Sn含量按照原子比计为1：1：1：x，当x＝0.2，0.4，0.6，0.8时为亚共晶中熵体系，x＝0.9和1时为共晶中熵体系，当x＝1.1时为过共晶中熵体系；亚共晶成分初生相为FCC相，过共晶成分初生相为Laves相，共晶合金微观组织由BCC相和Laves相组成。此外，本发明中随着Sn含量的增加，相变产生的双硬质BCC相和Laves相显著提高了合金的硬度和强度。
一种 feconisn base sub

[实用新型]一种宽电流范围交流EMI滤波器-CN201620567387.3有效
发明人：杨宏江;涂善军 -专利权人：南京博纳威电子科技有限公司
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H03H5/00 文献下载
摘要：该滤波器包括密封的外壳以及固定于外壳内的滤波本体，所述滤波本体包括三相共模电抗器、差模电容、共模电容、电阻和用于连接所述三相共模电抗器、差模电容、共模电容、电阻的三相线，所述三相共模电抗器的铁芯包括硅钢铁芯和非晶/纳米晶铁芯，所述硅钢铁芯与非晶/纳米晶铁芯叠加在一起。本实用新型的三相交流EMI滤波器的三相共模电抗器铁芯由硅钢铁芯与非晶/纳米晶铁芯组成，在大电流和小电流下具有足够的电感值，因而具有较宽的电流通过能力和滤波能力。
一种电流范围交流 emi 滤波器

[发明专利]一种原位TiB2-CN202111089234.4有效
发明人：石增敏;邓李辰贵;谢镐;张大勇;李光宇;周起云;戴雷 -专利权人：三峡大学
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C22C38/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位TiB2颗粒强化含Ni共晶高模量钢材料及其制备方法，属于粉末冶金与合金钢技术领域。本发明制备的高模量高硬度钢材料，其特征在于通过控制原始料中的Ni、Cr配比量，抑制块状先共晶TiB2的析出，促进蠕虫状共晶TiB2强化相析出，形成先共晶铁素体相（α‑Fe）、少量先共晶TiB2及铁素体与TiB2的共晶相（α‑Fe+TiB2）三相组织合金。本发明所制备的合金采用粉末冶金方法，利用亚快速铸造工艺方法制备，所得TiB2强化相颗粒具有蠕虫状形貌，基体为bcc晶格铁素体相，避免了传统工艺方法中所形成的块状先共晶
一种原位 tib base sub

[发明专利]晶粒尺寸可控双峰分布的块体超细/纳米晶合金制备方法-CN200710025150.8有效
发明人：王经涛;夏少华 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2007-07-16 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C22C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶粒尺寸可控双峰分布的块体超细/纳米晶合金制备方法。首先选取双相的共析或共晶体系，由相图结合杠杆定律计算，通过合理选取合金成分，定量控制先共析相或先共晶相的比例；选定合金成分后，固溶加热后冷却，控制先共析相或先共晶相的尺寸；由剧烈塑性变形或常规塑性变形细化合金组织，得到完全的超细晶或纳米晶合金；在高于先共析相或先共晶相再结晶温度条件下对得到的合金短时退火，得到具有可控的晶粒尺寸双峰分布组织的块体超细或纳米晶合金。本发明在共析或共晶体系合金中实现晶粒尺寸的可控双峰分布，并定量精确控制微米晶的比例与分布；首次采用了合金成分设计+固态相变处理+塑性变形+退火的工艺组合，简单易于实现。
晶粒尺寸可控双峰分布块体纳米合金制备方法

[发明专利]过共晶Al-Cu系合金及其制备方法-CN202110670532.6有效
发明人：孙谦谦;韩梦霞;阎汐睿;于彦锋;刘相法 -专利权人：山东吕美熔体技术有限公司;山东大学;山东迈奥晶新材料有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C22C21/12 文献下载
摘要：本发明提供一种过共晶Al‑Cu系合金及其制备方法。所述过共晶Al‑Cu系合金包括初生Al2Cu相和TiCB@TiBC晶种，其中，基于100wt％的过共晶Al‑Cu系合金，Cu的含量为33.5wt％‑53.0wt％，TiCB@TiBC晶种的含量为0.005wt％～4.0wt％。根据本发明的过共晶Al‑Cu系合金具有改善的初生Al2Cu相的形貌，从而解决了因初生Al2Cu相的形貌导致的过共晶Al‑Cu
al cu 合金及其制备方法

[发明专利]一种基于高活性元素的共晶高熵合金及其应用-CN202210827220.6有效
发明人：唐宇;李顺;白书欣;沈柏行;张周然;叶益聪;朱利安 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于高活性元素的共晶高熵合金及其应用，该共晶高熵合金由Ti、Zr、Nb和Ni元素组成。共晶高熵合金的熔铸熔体，可在恒温下同时结晶出成分和结构皆不相同的金属间化合物相和固溶体相；金属间化合物相和固溶体相共同构成共晶组织；金属间化合物相富含Ti、Zr、Ni元素，主要由Ti与Ni以及Zr与Ni化合形成；固溶体相富含Nb元素，包括少量固溶到Nb基底的Zr、Ni等元素。该共晶高熵合金含典型的片层状共晶组织，熔点和凝固点都在1000℃左右，可实现通过简单铸造的方式进行复杂结构件的成型，避免因为铸造过程中合金成分先后凝固形成的成分偏析、缩松、缩孔等缺陷，能够极大的降低制备过程中的成本
一种基于活性元素共晶高熵合金及其应用

[发明专利]一种高强韧三相共晶高熵合金及其制备方法-CN202310258326.3在审
发明人：叶喜葱;刁忠恒;雷浩峰;冯家兴;陈俊超;方东;李波 -专利权人：三峡大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高强韧三相共晶高熵合金及其制备方法，该三相共晶高熵合金原子成分为Co、Cr、Fe、Ni、Nb和Al，其中CoCrFeNi：NiAl：Nb三组原子百分比分别为70%~87%：10%~24%：制备工艺如下：选用纯度高于99.95wt%的原料，先利用非自耗真空电弧熔炼炉对CoCrFeNi、NiAl和Nb原料熔炼，最终获得三相共晶高熵合金。本发明所述的三相共晶高熵合金相比较传统的高熵合金具有更好的综合力学性能。所述共晶高熵合金的具有良好的强塑性匹配，应用前景广阔。
一种强韧三相共晶高熵合金及其制备方法

[发明专利]具有耐磨超疏水表面的共晶高熵合金及其制备方法-CN202310917413.5在审
发明人：徐子祁;吴刚;黄贻苍;周小歆;钱家昌 -专利权人：中国船舶集团有限公司第七一九研究所
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有耐磨超疏水表面的共晶高熵合金及其制备方法，包括以下步骤：将共晶高熵合金置于腐蚀液中，腐蚀时间为0.5～1.5h，所述共晶高熵合金为由FCC相和B2相构成的AlCoCrFeNi2.1共晶高熵合金；将化学腐蚀后的共晶高熵合金作为阳极，进行阳极氧化反应；将经过电化学腐蚀后的共晶高熵合金浸在氟硅烷溶液中修饰、干燥，得到具有耐磨超疏水表面的共晶高熵合金本发明通过对AlCoCrFeNi2.1共晶高熵合金进行表面腐蚀以及表面硅烷化，得到具有多级微纳米结构的超疏水表面，得到的共晶高熵合金超疏水表面的水接触角＞150
具有耐磨疏水表面共晶高熵合金及其制备方法

[发明专利]一种四元共晶高熵合金及其制备方法-CN202111387504.X在审
发明人：文志勤;王鸣泽;周霜洁;刘俊霄;马博;邹正光 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明属于高熵合金技术领域，特别涉及一种四元共晶高熵合金及其制备方法。本发明提供的四元共晶高熵合金，包括以下元素：Al、Cr、Fe和Ni；所述Al、Cr、Fe和Ni的摩尔比为(1.72～1.78)：(0.8～1.1)：(0.8～1.1)：(0.8～1.1)；所述四元共晶高熵合金的相包括Cr‑Fe体心立方相和NiAl‑B2相。本发明提供的四元共晶高熵合金中Al元素含量高，触发钉扎效应，提高了合金的强度；Cr‑Fe的体心立方相和NiAl‑B2相的双强化相组合形成迷宫状织构，提高了四元共晶高熵合金的强度，而且Cr‑Fe体心立方相和NiAl‑B2相相互交叉排列组合，产生大量的晶界，提高了合金的延展性。
一种四元共晶高熵合金及其制备方法

[发明专利]一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料及其制备方法-CN202010221314.X有效
发明人：沓世我;王小舟;陈涛;刘芸;特里·詹姆士·弗朗科姆;付振晓;曹秀华;胡春元 -专利权人：广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电常数系列可调的低温共烧电介质材料，所述低温共烧电介质材料包含氧化锆主相和硅基非晶相填充料，所述氧化锆主相和硅基非晶相填充料的重量之比为：氧化锆主相：硅基非晶相填充料＝40～65：35～60；所述SiO2在所述硅基非晶相填充料中的重量百分含量≥50％。本发明通过控制氧化锆主相和硅基非晶相填充料的比例，所得材料的介电常数在7～12较宽的范围内连续可调，而且介电损耗可低至0.1％@1MHz。该材料体系可在800～900℃烧结，能够与银电极兼容共烧，可以用作低温共烧电介质材料。本发明还公开了所述介电常数系列可调的低温共烧电介质材料的制备方法。
一种介电常数系列可调低温电介质材料及其制备方法

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