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[发明专利]工作在亚阈区高精度低功耗低电压带隙基准源-CN201710305181.2在审
发明人：吴晨健;戴晶星 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种工作在亚阈区高精度低功耗低电压带隙基准源，为了克服克服传统带隙基准源结构精度不足的问题而设计。本发明工作在亚阈区高精度低功耗低电压带隙基准源包括电流镜电路，产生正温度系数电压的PTAT产生电路，产生负温度系数电压的CTAT产生电路，线性补偿电路输出补偿值，将补偿值、正温度系数电压与负温度系数电压做和，产生基准电压VREF。本发明实现了在低电源电压情况下，稳定输出宽温度范围、高精度电压。
工作亚阈区高精度功耗电压基准

[发明专利]一种低电压带隙基准源产生电路-CN201010269350.X无效
发明人：汤华莲;庄奕琪;胡滨;赵辉;李勇强 -专利权人：国民技术股份有限公司
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种低电压带隙基准源产生电路，包括启动电路和与其电连接的带隙基准源产生电路，所述带隙基准源产生电路包括运算放大器、偏置电流产生电路和分压电路，所述运算放大器的输出端与偏置电流产生电路电连接，所述运算放大器的正相输入端和负相输入端与分压电路电连接，所述偏置电流产生电路与分压电路电连接，其中所述分压电路由多个电阻和三极管组成，通过分压电路中多个电阻进行分压，从而将部分电压加在三极管发射极上，将材料带隙电压中的一部分电压进行输出，从而产生低电压带隙基准源与对温度的高阶项进行补偿的基准源产生电路相比，本发明的低电压带隙基准源产生电路结构简单、功耗小，并节省了占用面积。
一种电压基准产生电路

[实用新型]工作在亚阈区高精度低功耗低电压带隙基准源-CN201720499527.2有效
发明人：吴晨健;戴晶星 -专利权人：苏州大学
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型具体涉及一种工作在亚阈区高精度低功耗低电压带隙基准源，为了克服克服传统带隙基准源结构精度不足的问题而设计。本实用新型工作在亚阈区高精度低功耗低电压带隙基准源包括：电流镜电路，产生正温度系数电压的PTAT产生电路，产生负温度系数电压的CTAT产生电路，线性补偿电路输出补偿值，将补偿值、正温度系数电压与负温度系数电压做和，产生基准电压VREF。本实用新型实现了在低电源电压情况下，稳定输出宽温度范围、高精度电压。
低电压带隙基准源本实用新型低功耗亚阈负温度系数电压正温度系数电压线性补偿电路带隙基准源低电源电压电流镜电路基准电压精度电压输出补偿稳定输出

[发明专利]低电压带隙基准源电路-CN201710668441.2在审
发明人：李天望;姜黎;袁涛;万鹏 -专利权人：湖南国科微电子股份有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种低电压带隙基准源电路，包括负温度系数电流产生电路，用于产生负温度系数电流；电压相减电路，用于对所述负温度系数电流产生的不同温度系数的电压进行相减运算。与相关技术相比，本发明提供的低电压带隙基准源电路具有如下有益效果可以输出1V以下的基准电压；工作电源电压低；基准电压的输出阻抗低，可以直接驱动阻性负载；省略了输出缓冲放大器。
电压基准电路

[发明专利]一种混合调整型温度补偿带隙基准电路-CN201810570003.7有效
发明人：张春茗;严展科;陈海峰 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开一种混合调整型温度补偿带隙基准电路，启动电路的启动信号的输出端接低电压带隙基准电路的启动信号的输入端口；所述启动电路的启动信号的输入端接低电压带隙基准电路的输出信号端口；启动电路用于保证低电压带隙基准电路正常工作；低电压带隙基准电路能够产生较低温度系数的参考基准电压，非线性补偿电路能够产生非线性补偿电流，温度曲率补偿电路能够产生温度曲率补偿电流，根据电流叠加原理，非线性补偿电路产生的非线性补偿电流和温度曲率补偿电路产生的温度曲率补偿电流加入到低电压带隙基准电路，大大减小了输出电压的温度系数，产生一个极低温漂的参考基准电压，提高了电路的精度。
一种混合调整温度补偿基准电路

[实用新型]低电压带隙基准电压源-CN201320192991.9有效
发明人：叶春 -专利权人：成都掌握移动信息技术有限公司
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低电压带隙基准电压源，包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管，本实用新型低电压带隙基准电压源的结构简单
电压基准

[实用新型]低电压带隙基准电路、芯片、移动电源及行车记录仪-CN201720189748.X有效
发明人：莫昌文 -专利权人：建荣集成电路科技（珠海）有限公司;建荣半导体（深圳）有限公司;珠海煌荣集成电路科技有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种低电压带隙基准电路、芯片、移动电源及行车记录仪。该低电压带隙基准电路包括用于产生偏置电压的基准源电路，基准源电路包括第一节点与第二节点；用于为基准源电路提供偏置电流的基准源镜像电路，其分别与基准源电路的第一节点、第二节点连接；用于根据偏置电压产生正温度系数电流的正温度系数电流电路通过增加独立的正温度系数电流电路，其能够简单地镜像复制出正温度系数电流以提供给外围电路，并且当外围电路不需要正温度系数电流而关闭正温度系数电流电路时，此时的基准源电路及基准源镜像电路的电路功能未受到干扰
电压基准电路芯片移动电源行车记录仪

[发明专利]一种全MOSFET亚阈值带隙基准电压源-CN202010020223.X有效
发明人：王政;赵琦伟;谢倩;庄哲瀚;李云昊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明属于模拟集成电路技术领域，具体为一种全MOSFET亚阈值带隙基准电压源，用以克服现有的基于亚阈值技术的低电压带隙基准电压源需要用到BJT或二极管、导致占用芯片面积较大的问题。本发明在全MOSFET条件下，PTAT电压产生电路与CTAT电压产生电路均采用由栅极、衬底及源极相接的PMOS管与二极管接法的PMOS管串联的结构；巧妙的通过调节PTAT电压产生电路与CTAT电压产生电路中作为亚阈值电流源的PMOS的沟道长度，从而调节PTAT电压产生电路与CTAT电压产生电路中栅漏电流的大小，使得PTAT电压产生电路产生PTAT电压，CTAT电压产生与PTAT电压温漂系数互补的CTAT电压，进而得到了全MOSFET的低电压、低功耗亚阈值带隙基准电压源。
一种 mosfet 阈值基准电压

[发明专利]高压带隙基准电压源及其产生方法、高压固定电源及其应用-CN202110027830.3有效
发明人：陈华;孟真;张兴成;阎跃鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本公开提供了一种高压带隙基准电压源，包括：带隙基准核模块，包括零温度系数电流产生模块，其用于在所述高压带隙基准电压源稳定工作时，产生一与温度成正比的电流和一与温度成反比的电流，该两路电流以一定比例关系叠加后，以使带隙基准核模块输出一零温度系数的带隙基准电流；高压输出模块，用于根据输出电阻R3将零温度系数的带隙基准电流转换为高压带隙基准电压输出。本公开还提供了一种高压带隙基准电压源产生方法、高压固定电源及其应用。
高压基准电压及其产生方法固定电源应用

[发明专利]低电压下能降低功耗和提高精度的CMOS低压带隙基准电压源-CN201910762985.4有效
发明人：谢程益;王野;闫守宝;于翔 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：低电压下能降低功耗和提高精度的CMOS低压带隙基准电压源，通过给出PTAT电流产生的新方式，能够精简掉原有结构中的运放及电流镜，并采用电阻在带隙基准源的输出端对PTAT电流进行分流，从而有利于实现低成本、低功耗、高精度的CMOS低压带隙基准电压源，其特征在于，包括带隙基准电压输出端，所述带隙基准电压输出端分别连接第一电阻的一端，第二电阻的一端，第三电阻的一端，和第二三极管的基极，所述第一电阻的另一端分别连接第六PMOS管的漏极和第一三极管的基极，所述第六PMOS管的源极连接电源电压端，所述第二电阻的另一端连接第三三极管的集电极，所述第三三极管的集电极与基极互连，所述第三三极管的发射极连接接地端，所述第三电阻的另一端连接接地端
压下降低功耗提高精度 cmos 低压基准电压

[发明专利]低电压带隙基准源的安全启动电路-CN200810043689.0有效
发明人：何剑华;李兆桂 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-08-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电压带隙基准源的安全启动电路，包括电流源产生电路，带隙基准源的启动电路，带隙基准源主体电路，带隙基准源的启动电路包括M42，其栅极与电流源产生电路的输出相连接，源极接电源电压Vdd，漏极与M30的漏极以及M35的栅极相连接，M30的源极与Q3的发射极相连接，M30的栅极与M35的源极相连接，M30的衬底和源极短接并接入Q3的发射极，其基极和集电极短接并与地相连，M35的漏极接Vdd，且衬底接地，M32的衬底接地，漏极接M35的源极，并与M30的栅极相连接，M32的源极与INN相连接。本发明能在极低的电压下保证带隙基准源的安全启动。
电压基准安全启动电路

[实用新型]一种带隙基准电路-CN201920627731.7有效
发明人：吕英杰 -专利权人：天津鹏翔华夏科技有限公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带隙基准电路，包括第一带隙基准电压源hv_bandgap、第二带隙基准电压源lv_bandgap、模拟电源模块avdd_47v、第一参考电压模块vref_24v、第二参考电压模块vref_33v和第一基准电压模块vreg_33v；所述第一带隙基准电压源hv_bandgap输出高压带隙基准电压和高压pmos偏置电压输出至模拟电源模块avdd_47v，所述模拟电源模块avdd_47v输出模拟电压至第二带隙基准电压源lv_bandgap，所述第二带隙基准电压源lv_bandgap输出低压带隙基准电压和低压pmos偏置电压输出至第一参考电压模块vref_24v。本实用新型通过设置第二参考电压模块vref_33v和第一基准电压模块vreg_33v，能够实现为MCU(单片机或主控芯片)提供准确的参考电压和基准电压。
带隙基准电压源参考电压模块模拟电源模块基准电压模块本实用新型基准电压偏置电压输出带隙基准电路带隙基准电压输出模拟电压参考电压高压pmos 输出高压主控芯片单片机低压带

[实用新型]低电压带隙基准电路、芯片、移动电源、行车记录仪及电子设备-CN201720189599.7有效
发明人：莫昌文 -专利权人：建荣集成电路科技（珠海）有限公司;建荣半导体（深圳）有限公司;珠海煌荣集成电路科技有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是涉及低电压带隙基准电路、芯片、移动电源、行车记录仪及电子设备。其中，低电压带隙基准电路包括基准源电路，基准源电路包括第一PNP三极管、第二PNP三极管及第一电阻，第一PNP三极管的发射极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端为第一节点，第一PNP三极管的基极及集电极接地，第二PNP三极管的发射极为第二节点；基准源镜像电路，其分别与第一节点、第二节点连接；正温度系数电流电路，其与第二节点连接，并且复用第一PNP三极管。
电压基准电路芯片移动电源行车记录仪电子设备

[实用新型]带斩波低温度系数的带隙基准电压源电路-CN201120024715.2有效
发明人：廖红伟;宁骏;张宁 -专利权人：武汉光华芯科技有限公司
申请日： 2011-01-26 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： G05F3/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带斩波低温度系数的带隙基准电压源电路，包括振荡器、电平转移电路、带隙基准电压源、低电压输出部分，振荡器产生的两路正交时钟分别与电平转移电路连接，电平转移电路与带隙基准电压源连接，带隙基准电压源产生的带隙电压与低电压输出部分连接，最后由低电压输出部分产生的电压提供振荡器的电源，并形成一个整体。本实用新型采用放大器斩波稳定原理，消除运放输入端的等效失调和1/F噪声；源级跟随器反馈到带隙电阻串，相比直接第二级放大器反馈到带隙电阻串，增大输出跨导和环路增益带宽，使放大器输入端电压失配减小；同时在电源电压变化很大的情况下，源跟随输出能够得到较稳定的增益，避免驱动不足可能导致的不启动问题。
带斩波低温度系数基准电压电路

[发明专利]低电压CMOS带隙基准电压源-CN200910304881.5无效
发明人：范涛;袁国顺 -专利权人：中国科学院微电子研究所;北京中科微电子技术有限公司
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电压CMOS带隙基准电压源，属于电源及微电子技术领域。所述CMOS带隙基准电压源包括：低电压放大器，用于在低电源电压下实现负反馈；一阶温度补偿产生电路，与低电压放大器相连，用于在低电源电压下，产生能够进行一阶温度补偿的电流项；高阶温度补偿产生电路，与低电压放大器相连，用于在低电源电压下，产生能够进行高阶温度补偿的电流项；输出电压产生电路，用于产生输出电压。本发明提供的在低电源电压下工作CMOS带隙基准电压源，将低电压放大器分别引入基准电压源的一阶补偿项和高阶补偿项中，然后比例求和并输出参考电压，从而保证了整个电路工作在很低的电源电压下。
电压 cmos 基准

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