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[发明专利]一种阵列基板及其制备方法-CN202110319917.8有效
发明人：罗成志 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述阵列基板包括位于显示区的金属氧化物薄膜晶体管以及位于非显示区的低温多晶硅薄膜晶体管；其中，所述金属氧化物薄膜晶体管和所述低温多晶硅薄膜晶体管均为底栅结构，且所述金属氧化物薄膜晶体管的栅极与所述低温多晶硅薄膜晶体管的栅极同层设置，所述金属氧化物薄膜晶体管的源漏极金属层与所述低温多晶硅薄膜晶体管的源漏极金属层同层设置。本发明通过将金属氧化物薄膜晶体管的栅极与低温多晶硅薄膜晶体管的栅极同层设置，将金属氧化物薄膜晶体管的源漏极金属层与低温多晶硅薄膜晶体管的源漏极金属层同层设置，可将制备混合TFT结构所需的光罩总数减少至8
一种阵列及其制备方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法-CN03122318.4有效
发明人：彭佳添;孙铭玮 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-04-25 - 公布日： 2004-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，此低温多晶硅薄膜晶体管包括一个信道区，其制造方法的特征在于对信道区进行电浆处理工艺，以调整低温多晶硅薄膜晶体管的激活电压。由于进行电浆处理即可调整低温多晶硅薄膜晶体管的激活电压，所以可增加工艺弹性。
低温多晶薄膜晶体管及其制造方法

[实用新型]低温多晶硅薄膜晶体管-CN200420073977.8无效
发明人：郭政彰 -专利权人：广辉电子股份有限公司
申请日： 2004-07-16 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种低温多晶硅薄膜晶体管，主要由顶盖层、多晶硅薄膜以及闸极所构成。其中顶盖层配置在基板上方，且其与基板间存在一间隙区。多晶硅薄膜配置在顶盖层上，并区分为通道区以及位于通道区两侧的源极/漏极区。由于通道区下方具有间隙区，因此在进行激光退火制程时，此处的热传导率较低，故硅原子具有较长的再结晶时间，以使通道区内形成较大尺寸的晶粒，进而减少通道区内的晶粒界面。且多晶硅薄膜中的晶粒的晶向均平行于电子在晶体管中的传输方向，所以能够提高晶体管的工作效能。
低温多晶薄膜晶体管

[发明专利]CMOS反相器及阵列基板-CN201710937121.2在审
发明人：周星宇;徐源竣;任章淳;吴元均;吕伯彦;杨伯儒;陈昌东;刘川 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：该CMOS反相器包括电性连接的P型低温多晶硅薄膜晶体管和N型金属氧化物薄膜晶体管；所述P型低温多晶硅薄膜晶体管和N型金属氧化物薄膜晶体管满足以下公式μP；其中，Cn和CP分别为N型金属氧化物薄膜晶体管的栅绝缘层电容和P型低温多晶硅薄膜晶体管的栅绝缘层电容，和分别为N型金属氧化物薄膜晶体管的沟道宽长比和P型低温多晶硅薄膜晶体管的沟道宽长比，μn和μP分别为N型金属氧化物薄膜晶体管的迁移率和P型低温多晶硅薄膜晶体管的迁移率
cmos 反相器阵列

[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、显示装置-CN201810667705.7在审
发明人：聂晓辉;张嘉伟 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、显示装置；所述低温多晶硅薄膜晶体管包括第一基板、形成于所述第一基板上的介电层、形成于所述介电层上的栅电极层、形成于所述栅电极层上的栅电极绝缘层、形成于所述栅电极绝缘层上的低温多晶硅层和掺杂层、以及形成于所述低温多晶硅层上的缓冲层。所述制作方法用于制作所述低温多晶硅薄膜晶体管，所述显示装置包括所述低温多晶硅薄膜晶体管。本发明克服了制作传统低温多晶硅薄膜晶体管时，其沟道遮光层金属薄膜图形化需要单独设计光罩而增加制作成本的缺陷。
低温多晶硅薄膜晶体管显示装置制作栅电极绝缘层低温多晶硅第一基板栅电极层介电层多晶硅薄膜晶体管金属薄膜图形传统低温掺杂层缓冲层遮光层沟道光罩

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置-CN201710297455.8有效
发明人：张斌;詹裕程;孙雪菲;周婷婷 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该低温多晶硅薄膜晶体管的有源层包括多个子单元，所述多个子单元中低温多晶硅的迁移率不同。该低温多晶硅薄膜晶体管可以有效降低漏电流同时迁移率保持较高水平。
低温多晶薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板-CN202110804401.2在审
发明人：王旭;徐洪远;江志雄;胡道兵 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括衬底和设置于衬底上的低温多晶硅薄膜晶体管。其中，低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层，第一有源层包括层叠设置的多晶硅层和非晶硅层。本发明通过将低温多晶硅薄膜晶体管的有源层设置为多晶硅层和非晶硅层的双层结构，因此无需传统的低温多晶硅薄膜晶体管制程中对有源层进行离子掺杂，可以减少光罩使用数量，从而精简制程，降低成本。
阵列及其制备方法显示面板

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法-CN200810203243.X有效
发明人：高孝裕;李喜峰;李俊峰 -专利权人：上海广电光电子有限公司
申请日： 2008-11-24 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，该制造方法利用灰阶光罩形成低温多晶硅薄膜晶体管的源极和漏极。本发明提供的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，与现有非晶硅薄膜晶体管生产工艺相兼容，无需注入工艺，而且不需要购入额外的设备完成整个工艺过程。
低温多晶薄膜晶体管制造方法

[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器及其制备方法-CN201110339484.9有效
发明人：邱承彬;叶宇诚;刘琳 -专利权人：上海奕瑞影像科技有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器及其制备方法，所述低温多晶硅薄膜晶体管探测器利用低温多晶硅薄膜晶体管工艺制作。先利用化学气相沉淀，在玻璃基板上沉积非晶硅薄膜层，利用准分子激光煺火的方法将非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜，并制作多晶硅薄膜晶体管。
一种低温多晶薄膜晶体管探测器及其制备方法

[发明专利]驱动背板和显示面板-CN202010099955.2有效
发明人：黄鹏;高涛;贵炳强;詹裕程 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述驱动背板，包括：衬底、氧化物薄膜晶体管与低温多晶硅薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管位于衬底上，氧化物薄膜晶体管位于低温多晶硅薄膜晶体管远离衬底的一侧；氧化物薄膜晶体管包括第一有源层与至少三个栅极，至少三个栅极位于第一有源层的至少一侧根据本发明的实施例，可以提高氧化物薄膜晶体管的均一性和稳定性。
驱动背板显示面板

[发明专利]轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法-CN02123086.2有效
发明人：石安 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2002-06-13 - 公布日： 2003-01-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种轻掺杂漏极(Lightlydopeddrain)结构的低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。本发明以埋入式轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管来取代公知的表面式轻掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管。运用本发明,可有效地降低公知低温多晶硅薄膜晶体管的热电子效应,使得低温多晶硅薄膜晶体管在工作时的稳定性能够有明显的改善。
掺杂结构低温多晶薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及显示装置-CN201510035832.1有效
发明人：陆小勇;刘政;李小龙;田慧;孙亮;王祖强 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。其中，低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法包括：利用低温多晶硅薄膜形成包括源区和漏区的有源层，所述源区用于与薄膜晶体管的源电极相接触，所述漏区用于与薄膜晶体管的漏电极相接触；在所述源区和漏区的低温多晶硅薄膜表面形成非晶硅层；对表面形成有所述非晶硅层的低温多晶硅薄膜进行离子注入。本发明的技术方案能够减少沟道效应、使得离子注入的深度均匀性较佳，薄膜晶体管的阈值电压的均匀性较好，并实现源漏超浅结。
低温多晶硅薄膜晶体管低温多晶硅薄膜薄膜晶体管漏区源区表面形成非晶硅层显示装置阵列基板离子制作深度均匀性沟道效应阈值电压超浅结均匀性漏电极源电极源层源漏

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN201911273331.1在审
发明人：王选芸 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：阵列基板设有显示区和阵列基板行驱动区，阵列基板包括衬底基板、低温多晶硅薄膜晶体管单元、金属氧化物晶体管单元、第一电容以及第二电容；所述低温多晶硅薄膜晶体管单元位于所述衬底基板上且位于所述显示区和所述阵列基板行驱动区内；所述第一电容与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元相对应设置；所述金属氧化物晶体管单元位于所述衬底基板上且位于所述阵列基板行驱动区内，并与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元间隔设置；所述第二电容与所述金属氧化物晶体管单元相对应设置本发明通过在一个阵列基板的显示区内采用低温多晶硅薄膜晶体管单元电路结构，实现了超窄边框，并且简化了工艺、生产成本低。
一种阵列及其制造方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及薄膜晶体管基板-CN201410856640.2有效
发明人：陈秋权 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管及薄膜晶体管基板，该低温多晶硅薄膜晶体管包括：基底；第一栅极，设置在基底上；多晶硅层，设置在基底上并覆盖第一栅极，其中，多晶硅层包括源极区域、漏极区域以及形成在源极区域与漏极区域之间的沟道区域；第二栅极，设置在多晶硅层上；其中，低温多晶硅薄膜晶体管在驱动时，第一栅极与第二栅极分别施加极性相反的第一电压和第二电压。
低温多晶硅薄膜晶体管多晶硅层基底漏极区域源极区域薄膜晶体管基板薄膜晶体管沟道区域回踢电压极性相反施加驱动覆盖

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置-CN201510158315.3有效
发明人：田宏伟;牛亚男;王祖强;孙亮 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括形成栅极、源极和漏极以及有源层的步骤，形成所述有源层包括分步形成第一多晶硅层以及位于所述第一多晶硅层上方的第二多晶硅层，以及在所述第二多晶硅层中和所述第一多晶硅层的上表层加入掺杂离子该薄膜晶体管的制备方法能减少薄膜晶体管中的界面缺陷态及不稳定因素，从而提升低温多晶硅薄膜晶体管的稳定性，获得更稳定的阵列基板和显示装置性能。
薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

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