专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]输送打印介质片材-CN201810743089.9有效
  • 尤瓦尔·迪姆;阿历克斯·韦斯 - 惠普赛天使公司
  • 2018-07-09 - 2021-02-12 - B41J11/00
  • 在此所述的某些示例涉及输送打印介质片材。在一个示例中,一种介质输送设备具有多个介质输送部分,包括第一介质输送部分和在介质输送方向上偏离所述第一介质输送部分的第二介质输送部分。所述介质输送设备具有保持部分,该保持部分被布置为接收来自所述第一介质输送部分的打印介质片材。所述保持部分可移动,以将所述打印介质片材放置在所述第二介质输送部分上。
  • 输送打印介质
  • [实用新型]隔噪音式玻璃窗扇密咬合左窗框-CN201620369288.4有效
  • 郑杰 - 湖北幸福铝材有限公司
  • 2016-04-28 - 2016-10-19 - E06B3/263
  • 隔噪音式玻璃窗扇密咬合左窗框,内侧空心方管内沿设内密封介质、内安装介质,外侧空心方管内沿设外密封介质、定位筋、外安装介质,内侧空心方管、外侧空心方管与实心第一凹形介质、实心第二凹形介质互相咬合连接;实心第一凹形介质、实心第二凹形介质具有良好的隔噪音功能,以内密封介质、内安装介质、外密封介质、定位筋、外安装介质,与玻璃窗扇对应构件紧密咬合,同时达到隔噪音的目的;本技术的有益效果是:不变形,不裂缝,有良好的隔噪音功能
  • 噪音玻璃窗扇咬合窗框
  • [实用新型]一种洗牙器喷头-CN202020214903.0有效
  • 任锋 - 任锋
  • 2020-02-27 - 2021-01-05 - A61C17/02
  • 本实用新型涉及保健牙具领域,更具体的说是一种洗牙器喷头,包括介质进道、介质顶部通道、介质侧边通道、介质喷口Ⅰ和介质喷口Ⅱ。所述的介质进道与介质顶部通道或者介质侧面通道相连接,所诉的介质顶部通道和介质侧面通道均含有若干介质喷口Ⅰ以及介质喷口Ⅱ。
  • 一种洗牙器喷头
  • [发明专利]金融设备-CN201280004604.2有效
  • 李昌镇 - 乐金信世股份有限公司
  • 2012-01-04 - 2013-09-25 - G07D11/00
  • 根据一实施方式的金融设备包括:介质出入部,其用于介质的引入或取出;鉴别部,其用于检测引入或取出的介质;一个或多个介质保管盒,通过上述介质出入部引入的介质保管将通过上述介质出入部取出的介质;回收保管盒,其用于保管被上述鉴别部判断为不良介质介质或顾客未收取的介质;以及单一的保险柜,为了安全而收容上述一个或多个介质保管盒及上述回收保管盒。
  • 金融设备
  • [发明专利]一种降低介质材料等效介电常数的方法-CN201610119634.8在审
  • 刘国;李芳 - 电子科技大学
  • 2016-03-03 - 2016-07-06 - H01J9/00
  • 本发明属于微波、毫米波真空电子器件领域,涉及电磁波传输领域中的多层介质匹配结构,具体为一种降低介质材料等效介电常数的方法,用以解决现有的具有优良性能的介电材料在实际应用中,其介电常数与要求不匹配的问题。该方法基于指定的多层介质匹配结构中的基准介质层,设置与基准介质层的介电常数相匹配的匹配介质层时,对匹配介质层沿电场分布开孔,得到包括多个通孔的匹配介质层;或者将所述匹配介质层的通孔位置用介质柱替换,介质柱材料与匹配介质层的材料相同,同时将匹配介质层的非通孔位置的介质材料替换为空气。本发明能够对介质材料等效介电常数做到精确调整,实现多层介质匹配结构的介电常数完美匹配;大大提高器件性能。
  • 一种降低介质材料等效介电常数方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010363181.X在审
  • 胡连峰 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2020-04-30 - 2021-11-02 - H01L49/02
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底;在基底上形成第一电极层;在第一电极层上形成电容介质层、以及位于电容介质层上的第二电极层,电容介质层包括由下而上依次堆叠的底部高k介质层、防漏电介质层和顶部高k介质层,底部高k介质层和顶部高k介质层具有预设总沉积厚度,底部高k介质层的沉积厚度占预设总沉积厚度的比例大于顶部高k介质层的沉积厚度占预设总沉积厚度的比例。本发明调整底部高k介质层和顶部高k介质层各自占预设总沉积厚度的比例,使得底部高k介质层和顶部高k介质层的有效厚度均较小,从而改善底部高k介质层和顶部高k介质层的结晶问题,进而提高电容结构的可靠性。
  • 半导体结构及其形成方法

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