专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]有机栽培介质与其栽种结构及其栽种方法-CN200610003480.2无效
  • 赖景煌 - 帛鑫国际有限公司
  • 2006-02-10 - 2007-08-15 - A01G1/00
  • 本发明的有机栽培介质包含选自于一椰纤、一椰肉、一椰壳及上述的任意组合的其中之一,该介质是经干燥及压缩与水洗处理。如此让有机栽培介质具有良好的透气性及保水性,并避免栽培物的根部腐烂,且让有机栽培介质于运送时更节省空间,进而节省运输成本。而有机栽培介质的栽种结构包含一介质与一容器,该介质经干燥及压缩,并将该介质设置于一容器。而有机栽培介质的栽种方法;首先,提供一介质与一容器,介质经由干燥并压缩,介质设置于容器内;之后,注入水分于介质,使介质吸水膨胀;最后,设置一栽培物于介质
  • 有机栽培介质与其栽种结构及其方法
  • [实用新型]一种半导体加工设备的反应腔室-CN202222234419.6有效
  • 刘珊珊;高瑞 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2022-08-24 - 2023-04-14 - H01L21/67
  • 本实用新型公开了一种半导体加工设备的反应腔室,涉及半导体技术领域,包括:反应腔体,反应腔体的顶部设置有介质窗支撑板;介质窗,与介质窗支撑板转动密封连接;驱动组件,用于驱动介质窗转动并能够调节介质窗的转速;具有由驱动组件驱动旋转的介质窗,能够通过调节介质窗的转速使得介质窗表面的下表面的附着物减少,利用介质窗旋转产生的离心作用能够使得部分附着物脱离介质窗,并且由于介质窗的旋转能够使得介质窗被刻蚀的程度在介质窗的周向均匀化,避免出现介质窗局部被刻蚀严重的情况,延长介质窗的使用寿命。
  • 一种半导体加工设备反应
  • [发明专利]一种新型节能集成组合速热式加热器-CN201510121127.3在审
  • 田长乐 - 田长乐
  • 2015-03-16 - 2015-06-17 - F24H9/18
  • 一种新型节能集成组合速热式加热器,它由多级集成电加热器组成,每级集成电加热器主要由介质进口、外包介质流经道、中空环管形柱状体电热元件、中央介质流经道、介质连接通道、介质出口和电热元件外接引线组成;当介质从外包介质流经道的进口进入后,先被中空环管形柱状体电热元件预热,再由外包介质流经道的介质出口经介质连接通道进入本级中央介质流经道,再次被本级电热元件加热,再经本级中央介质流经道的介质出口和介质连接通道进入下一级集成电加热器,如此进行多级循环,使介质充分吸收各级集成电加热器中电热元件的热量后再从介质出口流出;采用本发明所述的集成组合速热式加热器,耗能少、介质即放即热且可以无限量供应温度较高的介质
  • 一种新型节能集成组合速热式加热器
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910027655.0在审
  • 张海洋;韩秋华;王梓 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2019-01-11 - 2020-07-21 - H01L21/768
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,包括衬底、位于衬底上的介质层、位于介质层上的介质掩膜材料层以及位于介质掩膜材料层上的图形定义层;在图形定义层上形成多个分立的图形掩膜层;以图形掩膜层为掩膜刻蚀图形定义层,形成金属阻断层;图形化介质掩膜材料层,形成介质掩膜层;形成介质掩膜层后,以金属阻断层和介质掩膜层为掩膜刻蚀介质层,在介质层中形成多个介质凹槽以及位于介质凹槽之间的介质隔层,介质隔层顶面与介质掩膜层底面齐平,且在刻蚀介质层的过程中,刻蚀工艺对介质层的刻蚀速率大于对金属阻挡层的刻蚀速率。后续填充在介质凹槽中的导电材料不易相接触,实现了器件的隔离,优化了半导体结构的电学性能。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]介质滤波器、收发信机及基站-CN202080107401.0在审
  • 郑清扩;黄炳文;俞熹;张晓峰;彭杰;梁丹 - 华为技术有限公司
  • 2020-12-15 - 2023-08-04 - H01P1/203
  • 本申请提供一种介质滤波器、收发信机及基站,能够解决介质滤波器排腔布局单一、带外抑制能力较差的问题,从而实现排腔布局灵活,提高介质滤波器的抑制能力。该介质滤波器包括介质本体以及设置在介质本体上的输入端口、输出端口、内置介质谐振器和外置介质谐振器,输入端口与输出端口之间设置有多个内置介质谐振器,多个内置介质谐振器形成耦合主通道级联谐振器,输入端口一侧设置有两个外置介质谐振器,外置介质谐振器与输入端口之间的耦合量大于外置介质谐振器与任一内置介质谐振器之间的耦合量;和/或,输出端口一侧设置有两个外置介质谐振器,外置介质谐振器与输出端口之间的耦合量大于外置介质谐振器与任一内置介质谐振器之间的耦合量
  • 介质滤波器收发基站
  • [发明专利]一种实验分析离心高梯度磁场旋转磁介质单丝捕获的方法-CN201810519811.0有效
  • 陈禄政;任朋;曾剑武;易凡;叶方平 - 昆明理工大学
  • 2018-05-28 - 2021-03-02 - G01R33/12
  • 本发明涉及一种实验分析离心高梯度磁场旋转磁介质单丝捕获的方法,属于高梯度磁选过程的磁介质研究技术领域。本发明制作若干个不同丝径的磁介质盒,磁介质盒上设置有3~5层同心环状分布的磁介质丝孔,每个同心环上的磁介质丝孔等距排列,不同同心环上的磁介质丝孔间距不同,每个磁介质盒安装一种直径的磁介质丝,磁介质丝可以在磁介质丝孔内自由装拆且磁介质丝与背景磁场方向垂直;每个磁介质盒的磁介质丝形状相同且材料相同;将磁介质盒放入周期式永磁离心高梯度磁选机中进行磁选实验,对磁介质丝的捕获情况进行准确分析,其中磁选实验包括离心高梯度磁场旋转磁介质单丝捕获实验、丝径匹配性实验、磁介质丝间距实验和选择性捕获实验。
  • 一种实验分析离心梯度磁场旋转介质单丝捕获方法
  • [发明专利]一种应用于全光开关和光存储器的光学双稳态器件-CN201910056543.8有效
  • 赵东 - 湖北科技学院
  • 2019-01-22 - 2022-03-11 - G02F3/02
  • 光学双稳态器件为八个电介质层一、八个电介质层二和十五个石墨烯层组成的多层结构,由上表面至下表面依次为电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一、石墨烯层、电介质层二、石墨烯层、电介质层一
  • 一种应用于开关存储器光学双稳态器件
  • [发明专利]介质循环式高梯度磁选机-CN201310421999.2有效
  • 周少川;陈宏武;许组交 - 岳阳大力神电磁机械有限公司
  • 2013-09-17 - 2013-12-25 - B03C1/031
  • 本发明涉及一种磁介质循环式高梯度磁选机,包括主体支架、电磁线圈、介质盒、连接管路及PLC程序控制和电器元器件,磁选机的磁介质在形成的介质流动通道内循环流动;所述的电磁线圈上固定设置有磁介质收集装置,磁介质收集装置通过设置的介质导入阀连接介质盒,介质盒底部设置介质导出阀,介质导出阀通过介质输送管连通至磁介质收集装置;所述的电磁线圈上方设置有上管阀、介质冲水阀和增压泵;电磁线圈下方设置精矿阀和中矿阀;磁介质收集装置的圆锥形接料斗一侧设置尾矿阀。本发明将磁介质输送到了磁选区外部,打散清洗更充分,磁选效果更好;星型磁介质可以产生很高的梯度磁场;其次清洗磁介质采用的是自动循环式,保证了清洗效果,提高了磁选效果。
  • 介质循环梯度磁选
  • [发明专利]介质基板集成介质谐振器天线-CN201610251478.0有效
  • 褚慧;陈建新;唐慧;周立衡;秦伟;陆清源 - 南通大学
  • 2016-04-21 - 2018-10-30 - H01Q13/10
  • 本发明提供一种介质基板集成介质谐振器天线,包括介质基板以及反射金属板,所述介质基板呈阶梯状,所述介质基板包括第一介质块以及第二介质块,所述第一介质块与所述第二介质块均呈长方体状,所述第二介质块形成于该第一介质块的正面上;所述反射金属板上开设有一矩形孔,所述反射金属板盖设于所述第一介质块的正面上并通过该矩形孔将第二介质块露出。本发明将介质基板集成介质谐振器天线设计于一块介质基板上,不另外采用其它介质进行设计,使得天线可以与馈电结构设计于同一块介质基板,实现了天线与馈电结构的无缝集成,因此具有定位精度高、集成损耗小的有益效果,
  • 介质集成谐振器天线
  • [发明专利]互连结构及形成方法-CN201610407462.4有效
  • 周鸣 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2016-06-12 - 2020-05-08 - H01L21/768
  • 一种互连结构及形成方法,形成方法包括:提供衬底,衬底内具有前层待连接件;形成第一介质层和替代介质层,替代介质层的介电常数小于第一介质层的介电常数;形成位于替代介质层上的介质叠层;形成开口;形成互连结构。本发明通过形成依次覆盖前层待连接件的第一介质层和替代介质层;之后在替代介质层上形成介质叠层;再在介质叠层、替代介质层以及第一介质层内形成互连结构。由于替代介质层的介电常数小于第一介质层的介电常数,与现有技术相比,相同介质层厚下,利用替代介质层代替部分厚度的第一介质层能减小介电常数,进而能够减小互连结构的寄生电容,提高所形成半导体器件的性能。
  • 互连结构形成方法

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