专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种金属相硫化钼纳米结构及其制备方法-CN201810264903.9有效
  • 江瑞斌;王晶 - 陕西师范大学
  • 2018-03-28 - 2021-02-26 - C01G39/06
  • 本发明提供一种金属相硫化钼纳米结构及其制备方法,方法包括;1.将钼酸盐和含硫小分子按照大于硫化钼中硫与的摩尔比比例溶解在去离子水中,搅拌形成均相溶液;2.将均相溶液加热到180~200℃的温度下保温6~30小时,反应停止后自然冷却到室温;3.将反应后得到的沉淀离心分离,反复洗涤后去上清液,得到金属相硫化钼纳米结构。本发明实现较小尺寸的纯金属相硫化钼纳米结构的水热合成,并且合成的金属相硫化钼表面有较多的边缘态、缺陷等能较多的活性位点。
  • 一种金属二硫化钼纳米结构及其制备方法
  • [发明专利]一种具有富勒烯结构的纳米硫化钼的制备方法-CN200810017532.0无效
  • 赵鹏;李东林 - 长安大学
  • 2008-02-22 - 2008-08-06 - C01G39/06
  • 本发明公开了一种具有富勒烯结构的纳米硫化钼的制备方法。依次按下述步骤进行:以工业三氧化为原料,以氩气为载气,氢气为还原剂,经过气相反应生成纳米的氧化颗粒;将纳米的硫化钼和单质硫在高温自加压的条件下反应,生成具有富勒烯结构的纳米硫化钼粉体材料;所述的氧化是三氧化在700-1000℃气化后,与氢气在400-950℃反应直接生成的纳米颗粒,其次,富勒烯结构的硫化钼是纳米的氧化和单质硫在容器内于500-950℃的温度下通过自加压反应合成硫化钼。本发明工艺简单,生产效率高,原料及产品成本低,反应时间短,氧化纳米颗粒尺寸容易控制。
  • 一种具有富勒烯结构纳米二硫化钼制备方法
  • [发明专利]一种蠕虫状硫化钼及其制备方法-CN201510345221.7有效
  • 卢轮;王慧远;王栋;王邦勇;马银龙 - 吉林大学
  • 2015-06-19 - 2017-02-22 - C01G39/06
  • 本发明公开了一种蠕虫状硫化钼及其制备方法,本发明属于微纳米功能材料领域,通过本发明方法制备的蠕虫状硫化钼长度为0.5‑2微米,由纳米硫化钼片层定向生长而成,片层直径为100‑250纳米,厚度为5‑20纳米,片层间距约为0.64纳米;制备方法选用钼酸钠和硫脲为原料,以酒石酸钾钠作为结构导向剂,通过水热反应制备,获得蠕虫状硫化钼。本发明通过以酒石酸钾钠的加入使本发明可在较低温度下合成具有蠕虫状形貌的硫化钼。该方法工艺简单,低温高效,而且还可以用于设计和制备其他层状金属硫化物和氧化物。制得的蠕虫状硫化钼可应用于润滑、化学传感、催化、光伏、极管、锂电池等诸多领域。
  • 一种蠕虫二硫化钼及其制备方法
  • [发明专利]一种三氧化硫化钼复合材料的制备方法-CN201610252480.X在审
  • 杨蓉;炼铮;韩秋森;王田;王琛 - 国家纳米科学中心
  • 2016-04-21 - 2016-08-17 - B01J27/051
  • 本发明公开了一种三氧化硫化钼复合材料的制备方法,该制备方法包括步骤如下:选取基底片,清洗选取的基底片,以三氧化粉末为生长源,利用物理气相沉积的方法,以清洗干净的基底片为基础制备三氧化纳米片,得到三氧化纳米片;以得到的三氧化纳米片作为基片,以硫粉作为硫源,利用化学气相沉积法高温硫化制备三氧化硫化钼复合材料,得到三氧化硫化钼复合材料。本发明的三氧化硫化钼复合材料的制备方法简单易行。本发明制备的三氧化硫化钼复合材料可实现在可见光区域的光催化响应,大大提高了太阳光的利用率。
  • 一种氧化钼二硫化钼复合材料制备方法
  • [发明专利]一种可控制备单层分形硫化钼的方法-CN201510204543.X在审
  • 张艳锋;张玉;史建平 - 北京大学
  • 2015-04-27 - 2016-11-23 - C23C16/30
  • 本发明公开了一种可控制备单层分形硫化钼的方法。该方法包括如下步骤:在惰性气氛中,按照气路由上游至下游的顺序,依次放置硫粉、的氧化物和基底钛酸锶单晶,由室温升温后进行化学气相沉积,沉积完毕降温,即在所述基底上得到硫化钼。本方法利用了钛酸锶单晶基底强的吸附性,并兼容比较宽的生长条件,实现单层分形硫化钼的生长且可以很好地转移到任意基底上。转移到金箔上的边缘分形的硫化钼实现了高效的电催化析氢效能。该发明在首次实现了钛酸锶单晶基底上,单层分形硫化钼的可控生长,对于单层硫化钼形貌控制生长的基础研究及特定性应用都具有重大意义。
  • 一种可控制备单层二硫化钼方法
  • [发明专利]一种硫化钼纳米片及其大规模制备方法-CN202310880792.5在审
  • 王亮;胡冰洁;郭华章 - 上海大学
  • 2023-07-18 - 2023-09-19 - C01G39/06
  • 本发明涉及一种硫化钼纳米片及其大规模制备方法,制备方法包括如下步骤:将磺酸基前驱物与三硝基芘超声溶解于水中,进行水热反应,将初产物进行过滤、透析和干燥,获得石墨烯量子点粉末;石墨烯量子点粉末与硫化钼粉末进行混合球磨反应,离心分离及洗涤,得到硫化钼纳米片复合片。在球磨过程中,石墨烯量子点由于具有丰富的表面官能团,增加硫原子和原子的电子密度进而调控硫化钼结构形成纳米片。与现有技术相比,本发明的制备方法简单易行、成本低、反应温和、毒性小且后处理简单,可制备宏量(克量级)、质量好、胶体态稳定的硫化钼纳米片,制备纳米尺寸的硫化钼纳米片的方法既适用于实验室研究也适用于工业化大批量生产
  • 一种二硫化钼纳米及其大规模制备方法

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