[发明专利]离子注入参数优化方法、装置、电子设备及存储介质在审
| 申请号： | 202310985687.8 | 申请日： | 2023-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN116936008A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 阳王东;戚瑞轩;李肯立;肖国庆;李鸿露 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | G16C60/00 | 分类号： | G16C60/00;G06F30/27;G06F119/14 |
| 代理公司： | 苏州衡创知识产权代理事务所(普通合伙) 32329 | 代理人： | 王睿 |
| 地址： | 410012 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请公开了一种离子注入参数优化方法、装置、电子设备及存储介质，属于半导体材料技术领域，其中，离子注入参数优化方法包括：获取目标靶材的初始注入参数；基于初始注入参数利用训练好的网络模型重复模拟离子注入，得到模拟仿真结果；将模拟仿真结果与实际运行结果进行对比，并根据对比结果对初始注入参数进行调优，得到优化注入参数。该方法利用训练好的网络模型进行模拟注入得到模拟仿真结果，并利用实际生产过程检测数据和模拟仿真结果来训练深度学习网络模型，从而得到优化的离子注入参数，该方法可以对离子注入过程进行精准调控，进而大大提高离子掺杂质量。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 参数 优化 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南大学，未经湖南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310985687.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
