[发明专利]一种深红-近红外发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202310722404.0 | 申请日： | 2023-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN116709797A | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 郭坤平;丑幸幸;唐喆;周桐;闫夏星;薛涛;张方晖 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H10K50/11 | 分类号： | H10K50/11;H10K85/10;H10K85/20;H10K71/12 |
| 代理公司： | 西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61263 | 代理人： | 李振瑞 |
| 地址： | 710000*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种深红‑近红外发光二极管及其制备方法，其中深红‑近红外发光二极管包括：从下而上依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、深红‑近红外发光层、电子传输层和阴极；阳极采用透明导电玻璃基片；空穴注入层采用有机注入材料；空穴传输层采用TFB；深红‑近红外发光层采用F8BT：PIDT‑2TPD；电子传输层采用富勒烯衍生物和n型共轭聚合物；阴极采用金属电极修饰层和金属电极。本申请提出的一种深红‑近红外发光二极管及其制备方法，降低了近红外二极管内部能量损耗，减轻了发光性能衰减。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深红 红外 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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