[发明专利]一种对于多相cot架构产生Ton的方法有效
| 申请号： | 202310248627.8 | 申请日： | 2023-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN116362181B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 余韬;方鹏程 | 申请（专利权）人： | 武汉景捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 武汉天领众智专利代理事务所(普通合伙) 42300 | 代理人： | 杨建军 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九峰街道九峰一路88号全球公共采购交*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对于多相cot架构产生Ton的方法，包括以下步骤：步骤一，搭建减法器；步骤二，Vchg连接；步骤三，开始充电；步骤四，Ton值计算；步骤五，公式改进；步骤六，数据拟合；所述步骤一中，产生的电压Vchg＝k(vin‑vout)，且Vchg正比于vin‑vout，本发明相较于现有的多相cot架构中Ton产生方法，通过采用运放搭建减法器，然后连接Vchg，最后充电通过R对C充电的方式，规避掉各相之间电流镜的失配以及单相内部电流镜转换引起的失配，唯一的mismatch来源来自于各相之间的R和C，产生的新的ton core是一个有较好的相间match的CRC Ton core。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对于 多相 cot 架构 产生 ton 方法 | ||
【主权项】：
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