[发明专利]图案化过程的配置在审
申请号: | 202280018003.0 | 申请日: | 2022-02-25 |
公开(公告)号: | CN116940896A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 徐祯焄;朴成云;雷馨;郑镇雄;赵荣阔;徐端孚;李小阳 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/70 | 分类号: | G03F1/70 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 毕杨 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 描述了用于基于另一图案化过程的结果来配置图案化过程的方法。所述方法包括通过使用处于第一定向的设计布局模拟第一图案化过程来获得轮廓的第一集合。所述轮廓满足与所述设计布局相关联的设计规格,并且对应于过程窗口条件的第一集合。基于所述设计布局的第二定向、过程窗口条件的所述第一集合和轮廓的第一集合来配置第二图案化过程。所述第二图案化过程与影响轮廓的第二集合的一个或更多个设计变量(例如,源、掩模)相关联。所述配置包括调整一个或更多个设计变量直到轮廓的所述第二集合与轮廓的所述第一集合的匹配度位于期望的匹配阈值内。 | ||
搜索关键词: | 图案 过程 配置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202280018003.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备