[发明专利]使用由内部固件进行的自验证的NAND存储器的双重编程调试方法在审
| 申请号： | 202280000374.6 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN114586101A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 何有信 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 于景辉;李文彪 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种使用NAND自验证来调试闪存器件的方法。该方法可以包括根据第一和第二编程数据对NAND闪存器件的选定页进行编程。选定页可以包括与字线对应的多个存储单元。对选定页的编程可以包括多个编程操作和多个验证操作。多个验证操作中的验证操作可以在多个编程操作中的对应编程操作之后执行，以根据第一或第二编程数据确定选定页的已编程存储单元是否具有阈值电压电平。该方法还可以包括对选定页执行自验证以确定存储在选定页处的数据是否被过写了，并且在确定了存储在选定页处的数据被过写了时生成失败指示。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 内部 进行 验证 nand 存储器 双重 编程 调试 方法 | ||
【主权项】：
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