[发明专利]半导体存储器件和包括所述半导体器件的电子系统在审
| 申请号： | 202211496656.8 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN116171046A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张允瑄;崔茂林;成政泰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯;范心田 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体存储器件具有外围逻辑结构，该外围逻辑结构包括外围逻辑衬底和外围逻辑衬底上的外围逻辑绝缘膜。单元阵列结构包括顺序堆叠在外围逻辑结构上的单元衬底和源极结构。旁路过孔将单元衬底和外围逻辑衬底电连接。旁路过孔在单元衬底上具有在第一方向和第二方向中的至少一个方向上延伸的线形。第一方向和第二方向平行于单元衬底的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 包括 半导体器件 电子 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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