[发明专利]用于半导体化合物光刻胶的剥离剂、其制备方法及用途有效
| 申请号： | 202211364958.X | 申请日： | 2022-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN115421361B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 侯军;任浩楠;吕晶;申海艳 | 申请（专利权）人： | 江苏奥首材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 大连大工智讯专利代理事务所(特殊普通合伙) 21244 | 代理人： | 崔雪 |
| 地址： | 215513 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于半导体化合物光刻胶的剥离剂、其制备方法及用途。所述用于半导体化合物光刻胶的剥离剂，包括重量配比如下的各组分：混合有机胺1‑20份；有机溶剂70‑90份；缓蚀剂0.01‑5份；水1‑20份；所述混合有机胺包括季铵氢氧化物和链烷醇胺，所述有机溶剂包含起溶解作用的环状结构溶剂和起剥离作用的链状结构溶剂。本发明用于半导体化合物光刻胶的剥离剂具有优异的剥离能力，在能有效的去除光刻胶的基础上，抑制对GaAs等三五族化合物的腐蚀。本发明剥离剂在半导体化合物芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 化合物 光刻 剥离 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
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