[发明专利]一种抑制铜钴电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法在审
| 申请号： | 202211345251.4 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115678439A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 段欣雨;万传云;吴兆键;刘佳旗 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术大学 |
| 主分类号： | C09G1/18 | 分类号： | C09G1/18;C23F3/04 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 201418 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种抑制铜钴电偶腐蚀的碱性抛光液及其制备方法，该碱性抛光液包括以下质量分数的原料组分：包括以下质量分数的原料组分：氨基多羧酸型螯合剂0.3‑2％、BTA抑制剂0.03‑0.15％、过氧化氢氧化剂0.05‑0.2％，其余为去离子水。该碱性抛光液采用以下制备方法制备得到：取所述过氧化氢氧化剂、氨基多羧酸型螯合剂、BTA抑制剂依次加入去离子水中混合，得到混合液，然后调节混合液的pH为10，即得目的产物。与现有技术相比，本发明抛光液可以调整Cu、Co金属表面电极电位，降低二者之间的电位差，降低Cu/Co电偶腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 铜钴电偶 腐蚀 碱性 抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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