[发明专利]一种晶体生长炉和控温方法在审

专利信息
申请号: 202211280195.0 申请日: 2022-10-19
公开(公告)号: CN115637487A 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 曹建伟;朱亮;傅林坚;高宇;叶钢飞 申请(专利权)人: 浙江晶盛机电股份有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 312300 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种晶体生长炉和控温方法,属于晶棒相关技术领域,用于拉制晶棒,包括:导流筒,所述导流筒中间具有一上下贯通的容置空间;水冷热屏,水冷热屏包括:第一水冷组件,所述第一水冷组件设置在导流筒的容置空间中,所述第一水冷组件中间具有一容置晶棒的第一冷却空间;第二水冷组件,所述第二水冷组件设置在导流筒的容置空间中,所述第二水冷组件中间具有一容置晶棒的第二冷却空间;所述第二水冷组件相对于第一水冷组件可运动,且第二水冷组件可置于第一冷却空间中;达到水冷热屏的参数可调的技术效果。
搜索关键词: 一种 晶体生长 方法
【主权项】:
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  • 欧子杨;白枭龙;张昕宇 - 晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
  • 2021-06-04 - 2023-09-26 - C30B15/00
  • 本申请提供了一种单晶硅制备设备及其冷却方法,其中,该设备包括单晶炉和冷却装置,单晶炉内设置有加热装置和第一保温结构,第一保温结构位于加热装置的上方;冷却装置包括顶升机构和出气管,出气管上设有出气孔,出气管可移动地进入或抽离单晶炉;当出气管进入单晶炉时,出气管与第一保温结构相连,出气管通过顶升机构抬升第一保温结构以使第一保温结构与加热装置之间的距离增大,并通过出气孔输出惰性气体以对单晶炉降温。本申请通过设置冷却装置,可以通过出气管带动第一保温结构同步上升,以增大第一保温结构与加热装置之间的距离,使惰性气体能够通过出气管的出气孔吹向至加热装置与第一保温结构之间的区域以及单晶炉的内壁,实现快速降温。
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