[发明专利]一种基于金刚石的横向HEMT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211231907.X | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115440812A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 马中发 | 申请（专利权）人： | 中科苏州微电子产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/16;H01L23/373;H01L23/367;H01L21/335 |
| 代理公司： | 苏州根号专利代理事务所(普通合伙) 32276 | 代理人： | 仇波 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金刚石的横向HEMT器件及其制造方法，它由下至上依次包括不惨杂绝缘衬底、buffer层、AL‑金刚石层，以及形成于所述AL‑金刚石层上的源极、栅极和漏极，所述不惨杂绝缘衬底和buffer层由金刚石制成的。该器件结构简单，制造工艺简单，成本较低，由于金刚石导热特性好，可以不需额外的散热装置，节省器件及后续工作模块体积，提高功率密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金刚石 横向 hemt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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