[发明专利]光敏探测器和制备方法在审
申请号: | 202211193735.1 | 申请日: | 2022-09-28 |
公开(公告)号: | CN115632075A | 公开(公告)日: | 2023-01-20 |
发明(设计)人: | 孙孟娜;张娟;黄清雨;王鹏;康亮亮;闫华杰;焦志强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/18;H10K30/00;H10K30/82;H10K71/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 李红标 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种光敏探测器和制备方法,光敏探测器包括:吸光层,吸光层包括光敏材料,吸光层的一侧表面分布有多个凹槽;第一电极,第一电极设置在吸光层的另一侧,第一电极为透光电极;第二电极,第二电极设置于吸光层的一侧。在本发明的光敏探测器中,吸光层包括光敏材料,吸光层的一侧表面分布有多个凹槽,第一电极设置在吸光层的另一侧,第一电极为透光电极,第二电极设置于吸光层的一侧。通过在吸光层表面设置多个凹槽,可以减少吸光层对光的反射,多次光散射有利于提高光吸收的能力,利于提高光电探测器的检测精确度和灵敏度,该探测器结构简单,检测可靠性高。 | ||
搜索关键词: | 光敏 探测器 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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