[发明专利]基于氮化物单晶衬底的半导体器件结构及其应用在审

专利信息
申请号: 202211036480.8 申请日: 2022-06-13
公开(公告)号: CN115347095A 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 王国斌;闫其昂 申请(专利权)人: 江苏第三代半导体研究院有限公司
主分类号: H01L33/12 分类号: H01L33/12;H01L33/22;H01L33/00
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 215000 江苏省苏州市工业园区*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请公开了一种基于氮化物单晶衬底的半导体器件结构及其应用。所述半导体器件结构的制备方法包括:提供具有相背对的第一面和第二面的氮化物单晶衬底;在该第一面上加工形成粗化结构,该粗化结构包括多个突起或凹下的图形结构;在该粗化结构上形成氮化物材料层,该氮化物材料层能够向该衬底施加一压应力,该压应力用于抵销一生长应力,该生长应力是在该第二面上生长外延结构时产生;在该第二面上生长外延结构。本申请既充分发挥了氮化物同质外延的优势,使半导体器件结构具有低漏电、长寿命的特点,还使半导体器件结构呈现出高出光效率和高发光均匀性等优势,尤其是可以实现高亮度、高效率的光电器件,利于推动其在高端领域广泛应用。
搜索关键词: 基于 氮化物 衬底 半导体器件 结构 及其 应用
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏第三代半导体研究院有限公司,未经江苏第三代半导体研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211036480.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种发光二极管外延片及制备方法-202311188650.9
  • 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-09-15 - 2023-10-27 - H01L33/12
  • 本发明提供一种发光二极管外延片及制备方法,所述发光二极管外延片包括有源层,所述有源层包括多个周期性交替生长的复合量子阱层和量子垒层,所述复合量子阱层包括依次层叠的极化调控层、第一应变补偿层、量子阱层、第二应变补偿层;所述第一应变补偿层为ScAlN层,所述ScAlN层中Sc组分沿其生长方向逐渐下降,所述ScAlN层中In组分沿其生长方向逐渐升高,所述第二应变补偿层为AlInN层,所述AlInN层中Al组分沿其生长方向逐渐升高,所述AlInN层中In组分沿其生长方向逐渐降低,降低量子阱层缺陷密度,提高量子阱层晶体质量,降低有源层极化效应,提高有源层的发光效率。
  • 高光提取效率的LED外延片及其制备方法-202311114188.8
  • 舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-08-31 - 2023-10-27 - H01L33/12
  • 本发明公开了一种高光提取效率的LED外延片及其制备方法、LED,涉及半导体光电器件领域。LED外延片包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;应力缓冲层包括依次层叠于N型GaN层上的第一应力缓冲层、金属反射层和第二应力缓冲层;第一应力缓冲层为Si掺AlaInbGa1‑a‑bN层,其中,0≤a≤0.6,0≤b≤0.2;金属反射层为Al金属层、Ga金属层、In金属层、Mg金属层中的一种或多种形成的叠层结构;第二应力缓冲层为Si掺AlcIndGa1‑c‑dN层,其中,0≤c≤0.6,0≤d≤0.3。实施本发明,可提升发光效率。
  • 一种提高亮度的LED外延片及其制备方法、LED芯片-202310904852.2
  • 刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-07-21 - 2023-10-27 - H01L33/12
  • 本发明提供一种提高亮度的LED外延片及其制备方法、LED芯片,方法包括:获取一衬底;在所述衬底上依次生长AlN层、缓冲层、三维生长的GaN层、不掺杂的GaN层、n型掺杂的GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和p型掺杂的GaN层;其中,所述多量子阱层的生长方法包括:在所述应力释放层上周期性层叠生长InGaN量子阱层和GaN量子垒层以形成所述多量子阱层;其中,所述GaN量子垒层采用TEGa源进行生长且相邻两GaN量子垒层TEGa源的流量梯度递减。本申请通过对GaN量子垒层采用TEGa源进行生长且相邻两GaN量子垒层TEGa源的流量梯度递减的方法制备多量子阱层,提高了晶体质量及发光效率。
  • 发光二极管外延片及其制备方法、LED-202311008965.0
  • 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-08-11 - 2023-10-27 - H01L33/12
  • 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;所述应力释放层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一子层、第二子层和第三子层;所述第一子层为Si掺AlN层;所述第二子层为二元共掺GaN层,其掺杂元素为Cr和Si;所述第三子层为Si掺GaN层和Mg掺InN层交替层叠形成的周期性结构。实施本发明,可提升发光效率。
  • 发光二极管及其制备方法-202310958120.1
  • 董雪振;毕京锋;李森林;高默然;丘金金 - 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
  • 2023-08-01 - 2023-10-24 - H01L33/12
  • 本发明提供了一种发光二极管及其制备方法,所述发光二极管从下至上依次包括:衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、第四缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层,其中,第一缓冲层为AlON层和第一AlGaN层交替生长形成的周期性结构,第二缓冲层为第二AlGaN层,第三缓冲层为第三AlGaN层和第四AlGaN层交替生长形成的周期性结构,第四缓冲层为第五AlGaN层和InGaN层交替生长形成的周期性结构。所述第一缓冲层至第四缓冲层可以缓解衬底与外延层的晶格失配、热失配,缓解应力,改善发光二极管的晶体质量和出光方向,进而提高发光二极管的出光效率和发光亮度。
  • 一种LED外延片、制备方法及LED芯片-202310967037.0
  • 印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-08-03 - 2023-10-24 - H01L33/12
  • 本发明提供一种LED外延片、制备方法及LED芯片,LED外延片包括衬底及在所述衬底上依次沉积的有源层,所述有源层包括M个周期结构,所述周期结构包括量子阱层及量子垒层,所述量子阱层包括#imgabs0#前阱层、AlN组合层及#imgabs1#后阱层,所述量子垒层包括BN前垒层、#imgabs2#组合层及BN后垒层。通过复合的量子阱层,可使所述量子阱层内产生应力,以此抵消部分量子阱与量子垒之间的应力差,提高所述有源层内电子与空穴波函数的重叠程度,通过复合的量子垒层,其具有较大的导带偏移和较小的价带偏移特性,可提高空穴的注入效率,有效提高器件的发光效率。
  • 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-202310865038.4
  • 郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-07-14 - 2023-10-20 - H01L33/12
  • 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,涉及半导体光电器件领域。其中,发光二极管外延片包括图形化衬底,依次层叠于图形化衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层;图形化衬底上设有多个阵列分布的凸起图形;缓冲层包括依次层叠的第一子层和第二子层;第二子层包括依次层叠的三维AlN层和二维AlN层;第一子层包括多个MoSe2岛,其分布在相邻凸起图形之间,且MoSe2岛的高度小于凸起图形的高度,MoSe2岛的宽度小于相邻凸起图形之间的距离。实施本发明,可提升发光二极管的发光效率。
  • 发光二极管外延片及其制备方法-202311167465.1
  • 印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-09-12 - 2023-10-20 - H01L33/12
  • 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法,涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、第一应力释放层、第二应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层;第一应力释放层为交替层叠的InxGa1‑xN层和第一Si掺GaN层形成的周期性结构;第二应力释放层为交替层叠的InyGa1‑yN层、GaN层、第二Si掺GaN层和Si掺InzGa1‑zN层形成的周期性结构;多量子阱层为交替层叠的InwGa1‑wN量子阱层、GaN帽层和Si掺GaN量子垒层形成的周期性结构。实施本发明,可提升发光二极管的发光效率和抗静电性能,降低工作电压。
  • 一种具有缓冲层的外延结构及包含该结构的发光二极管-202310036188.4
  • 郭园;王淑姣;吕腾飞;宋长伟;展望;芦玲 - 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
  • 2023-01-10 - 2023-10-20 - H01L33/12
  • 本发明涉及半导体发光二极管技术领域,公开了一种具有缓冲层的外延结构及包含该结构的发光二极管,该外延结构将第二缓冲层分为二段,第二段的Si掺杂浓度低于第一段的Si掺杂浓度,且多量子阱层包括第一多量子阱层及置于其上的第二多量子阱层,所述第一多量子阱层的Si掺杂浓度低于所述第二多量子阱层的Si掺杂浓度且高于所述第二缓冲层的Si掺杂浓度。本发明通过调整N型半导体层至P型半导体层之间Si浓度曲线的变化,既改善LED的电性能又可以减少对MQW晶体质量的影响,从而提升LED发光效率。
  • 倒装发光二极管及其制备方法-202110831415.3
  • 林素慧;黄敏;张中英;彭康伟;江宾;曾明俊;曾炜竣 - 厦门三安光电有限公司
  • 2021-07-22 - 2023-10-20 - H01L33/12
  • 本申请公开了一种倒装发光二极管及其制备方法,包括外延主体层、挡墙和保护层;外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层;位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第一间隙;第一间隙的深度大于有源层和第二半导体层的总厚度;保护层至少覆盖外延主体层的第二表面和第一间隙的内表面;保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层,金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。挡墙位于切割处与外延主体层之间,其能够在切割时减小外延主体层侧壁处的保护层所产生的应力,避免外延主体层侧壁处的保护层在应力作用下断裂,提高倒装发光二极管的可靠性。
  • 发光二极管及其制备方法-202310988197.3
  • 文国昇;侯合林;谢志文;张铭信;陈铭胜;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-08-08 - 2023-10-17 - H01L33/12
  • 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法,所述发光二极管包括衬底,所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层,以及设置在所述P型半导体层上的P电极和设置在所述N型半导体层上的N电极;所述N型半导体层包括依次层叠在所述缓冲层上的N型电子层和N型调控层,所述N型电子层包括交替层叠的AlxGa1‑x‑yInyN层和AlαGa1‑α‑βInβN层,所述N型调控层包括交替层叠的AlaGa1‑aN层和AlbIn1‑bN层。本发明提供的发光二极管能够提高N型半导体层内的N型掺杂效率,降低其内部拉应力,提高发光效率。
  • 氮化物LED外延片及其制备方法、LED-202310807430.3
  • 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-07-03 - 2023-10-13 - H01L33/12
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体公开一种氮化物LED外延片及其制备方法、LED,包括衬底及设置于所述衬底上的外延层,所述外延层包括沿外延方向依次设置的N型GaN层、热应力调控层及多量子阱层,其中,所述热应力调控层包括沿外延方向依次层叠的碳掺杂Al1‑xSixN层、超晶格结构层及BzGa1‑zN层,所述超晶格结构层为周期性交替堆叠的碳掺杂Ga1‑ySiyN层及InGaN层。通过热应力调控层的设置,充分释放N型GaN层与多量子阱层之间存在的热失配应力,减少位错缺陷,提升多量子阱层的晶格质量,降低多量子阱层极化效应,提高多量子阱层中电子和空穴的波函数的空间重叠度,提高发光二极管的发光效率。
  • 一种低应力的GaN基LED外延片-202320199897.X
  • 贺卫群;刘恒山;马昆旺;邹声斌;马野 - 福建兆元光电有限公司
  • 2023-02-10 - 2023-10-10 - H01L33/12
  • 本实用新型涉及LED芯片技术领域,具体涉及一种低应力的GaN基LED外延片,包括衬底、应力抵消层和GaN基的外延层;所述应力抵消层设置在衬底的反面,所述外延层设置在衬底的正面;所述应力抵消层的热膨胀系数小于外延层的热膨胀系数;所述应力抵消层的厚度为0.01μm‑0.2μm;所述应力抵消层的导热系数大于80W/m·K。本实用新型的有益效果在于:本实用新型提供的低应力的GaN基LED外延片中,在LED外延片受热膨胀时,外延层对衬底的施加的力与应力抵消层对衬底施加的力相反,故而设置应力抵消层能使LED外延片中的应力互相抵消。
  • GaN基绿光发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-202311117820.4
  • 张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-09-01 - 2023-10-03 - H01L33/12
  • 本发明公开了一种GaN基绿光发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,所述GaN基绿光发光二极管外延片包括衬底,及依次层叠在所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型GaN层、第一多量子阱层、第一插入层、第二多量子阱层、第二插入层、第三多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;所述第一插入层包括依次层叠的第一WSe2层、P型InGaN层和第二WSe2层;所述第二插入层包括依次层叠的第三WSe2层、P型BGaN层和第四WSe2层。实施本发明,能够提高发光二极管的发光效率、抗静电能力和发光波长一致性。
  • 发光二极管外延片及其制备方法、LED-202311127603.3
  • 张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-09-04 - 2023-10-03 - H01L33/12
  • 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED,所述发光二极管外延片包括衬底,所述衬底上依次设有形核层、本征GaN层、N型半导体层、波长均匀性调控层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层;所述波长均匀性调控层包括压应力提供层和张应力提供层,所述压应力提供层包括依次沉积的第一AlN层、AlGaN层、第二AlN层,所述张应力提供层包括依次沉积的第一InGaN层、InN层、第二InGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提高发光二极管的发光波长均匀性。
  • LED结构及LED结构的制备方法-202210278784.9
  • 程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2022-03-21 - 2023-09-29 - H01L33/12
  • 本公开提供了一种LED结构及LED结构的制备方法。LED结构包括:LED发光单元,包括层叠设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层;第一应力层,围绕所述LED发光单元,且覆盖所述第一半导体层的侧壁、所述发光层的侧壁以及所述第二半导体层的侧壁。本公开中第一应力层对LED发光单元侧壁施加应力,调节LED结构波长,改善LED结构波长均匀性,另外,由于LED结构的侧壁收到挤压,有效提高了LED结构的发光效率。
  • 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-202311108420.7
  • 郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-08-31 - 2023-09-29 - H01L33/12
  • 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,涉及半导体光电器件领域。其中,发光二极管外延片包括衬底,依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力调制层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;所述应力调制层包括依次层叠的位错填充层、过渡层和应力缓冲层;位错填充层为三维BN层和二维BGaN层交替层叠形成的周期性结构,过渡层为N型AlGaN层,应力缓冲层为YGaN层和GaN层交替层叠形成的周期性结构。实施本发明,可提升发光二极管外延片的发光效率和波长均匀性。
  • 发光二极管外延片及其制备方法-202311108429.8
  • 郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-08-31 - 2023-09-29 - H01L33/12
  • 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法,涉及半导体光电器件领域。其中,发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、第一应力缓冲层、第二应力缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;第一应力缓冲层为第一势阱层和第一势垒层交替层叠形成的周期性结构;第一势阱层为InxGa1‑xN层,第一势垒层为ByGa1‑yN层和GaN层交替层叠形成的周期性结构;第二应力缓冲层为第二势阱层和第二势垒层交替层叠形成的周期性结构;第二势阱层为InzGa1‑zN层,第二势垒层为BwGa1‑wN层与Si掺GaN层交替层叠形成的周期性结构。实施本发明,可提升发光二极管的发光效率和抗静电性能。
  • LED结构及LED结构的制备方法-202210281749.2
  • 程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2022-03-21 - 2023-09-29 - H01L33/12
  • 本公开提供了一种LED结构及LED结构的制备方法。该LED结构包括:LED发光单元,包括层叠设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层;应力调整结构,围绕所述LED发光单元,且对LED发光单元侧壁施加应力,应力调整结构的材料的晶格常数大于LED发光单元中的材料的晶格常数,调节LED结构波长,改善LED结构波长均匀性,另外,由于LED结构的侧壁收到挤压,有效提高了LED结构的发光效率。
  • 外延结构、其制作方法及深紫外消杀装置-202310867965.X
  • 李利哲;王国斌 - 江苏第三代半导体研究院有限公司
  • 2023-07-14 - 2023-09-22 - H01L33/12
  • 本发明公开了一种外延结构、其制作方法及深紫外消杀装置。所述外延结构包括沿指定方向依次设置的衬底、缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层;所述缓冲层包括沿指定方向依次设置的第一缓冲层和第二缓冲层,所述第一缓冲层、第二缓冲层和N型层均具有孔洞结构,并且第二缓冲层的孔洞密度小于第一缓冲层的孔洞密度。本发明中的双层结构的缓冲层能够提高上层结构的晶体质量,并且双层结构的缓冲层中均具有孔洞结构,一方面孔洞结构可以缓解在制备深紫外半导体发光器件的层结构之间的应力,另一方面也能够实现对深紫外光的散射,提高了光提取效率,出光强度更大。
  • 发光二极管外延片及其制备方法、LED-202311055422.4
  • 舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-08-22 - 2023-09-22 - H01L33/12
  • 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED,所述发光二极管外延片包括衬底,所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、应力释放层、P型半导体层;所述缓冲层包括依次层叠在所述衬底上的Mg掺杂多孔AlN层、AlN/Si掺杂AlN超晶格层和Si掺杂AlGaN层;所述N型半导体层包括依次层叠在所述缓冲层上的Si掺杂多孔GaN层、GaN/Si掺杂GaN超晶格层、AlGaN层、GaN层和Si掺杂GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够减少外延材料在生长过程中缺陷的产生,降低材料的位错密度,改善外延片材料的质量,从而提高发光二极管外延片的良率和亮度等性能。
  • 一种发光二极管-202210146631.9
  • 朱涛;程志青;芦玲 - 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
  • 2022-02-17 - 2023-09-22 - H01L33/12
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种发光二极管。该发光二极管包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层和P型半导体层;应力释放层包括在N型半导体层上至少一个周期层叠设置的第一子层和第二子层;第一子层包括掺杂第一杂质的GaN层、未掺杂的GaN层和InGaN层中的至少两种;第二子层为AlGaN层。本发明通过设置AlGaN层,能提高应力释放层的禁带宽度,提高势垒,极大降低在大电流密度下空穴从V型坑底部穿透到应力释放层的概率;高势垒的存在使得电子进入多量子阱发光层时,电流分布更加均匀;且更高的势垒还增加了对位错屏蔽的效果,降低非辐射复合概率,提高光效。
  • 一种GaN薄膜及其制备方法-202011005050.0
  • 赵桂娟;邢树安;刘贵鹏;汤金金 - 兰州大学
  • 2020-09-23 - 2023-09-22 - H01L33/12
  • 本发明涉及一种GaN薄膜及其制备方法。其中GaN薄膜,包括Si衬底和位于Si衬底上图形化的SiO2掩膜层,所述Si衬底的Si{111}晶面上有Si3N4缓冲层,所述SiO2掩膜层和不参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有溅射SiO2膜;所述参与GaN生长的Si3N4缓冲层上有GaN插入层,所述GaN插入层上生长有GaN薄膜层。本发明的GaN薄膜,通过在Si图形衬底上外延生长非极性GaN薄膜的方法制得,不仅成本低廉,且性能优良能够广泛地用于器件的制作中。
  • 提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法-202111574240.9
  • 王群;龚逸品;陶羽宇;茅艳琳;李鹏;王江波 - 华灿光电(苏州)有限公司
  • 2021-12-21 - 2023-09-19 - H01L33/12
  • 本公开提供了提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法,属于发光二极管制作领域。第一应变调节层包括依次层叠的第一调节子层与第二调节子层,第一调节子层中Al组分由0.7~1降低至0.05~0.2,第二调节子层中Al组分不变,且第二调节子层中Al组分与第一调节子层靠近第二调节子层的表面的Al组分相同,第一调节子层的厚度为第二调节子层的厚度的1~3倍。抵消部分热应力,提供张应力。第二应变调节层上中n型GaN调节子层与n型InGaN过渡到InGaN/GaN多量子阱层,In的分布更均匀,In在不同位置析出的情况也少,可以有效提高最终得到的发光二极管的出光均匀度。
  • 一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-202310604438.X
  • 刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-05-25 - 2023-09-15 - H01L33/12
  • 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,包括衬底,该发光二极管外延片还包括:依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、过渡层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型半导体层;所述P型半导体层包括预设周期交替层叠的P型GaN层和P型AlxInyGa1‑x‑yN层,所述P型GaN层设于所述电子阻挡层上;所述P型GaN层为三维生长的P型掺杂GaN层,所述P型AlxInyGa1‑x‑yN层中x的取值范围为0.4‑0.6,y的取值范围为0.01‑0.2,本发明能够解决现有技术中AlGaN材料作为P型半导体层,空穴不足,导致电子空穴复合效率降低的技术问题。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top