[发明专利]复合微纳米半导体粉体结构、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 202211017417.X | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115101636B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王国斌 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合微纳米半导体粉体结构、其制备方法及应用。所述制备方法包括：第一温度和气氛下，对外延层第一刻蚀处理形成第一微纳米粉体结构；第二温度和气氛下，进行第二刻蚀处理形成第二微纳米粉体结构；交替进行氧化处理和氮化处理，获得复合微纳米半导体粉体结构；第二温度低于第一温度，第二气氛中刻蚀性气体的含量低于第一气氛。本发明提供的制备方法利用不同刻蚀条件下形成的多种粉体的活性差异，在进行氧化和氮化处理时使其得到改性，最终形成性能稳定的复合微纳米半导体粉体结构，该结构应用于半导体外延生长时，能够显著提高半导体外延层的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 纳米 半导体 结构 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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