[发明专利]一种基于SiGe-BiCMOS工艺的共源共基放大器在审
| 申请号： | 202210549651.0 | 申请日： | 2022-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN114900138A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 姚静石;刘成鹏;陈阳平;苏黎明;龚海波 | 申请（专利权）人： | 成都明夷电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F1/42;H03F1/02;H03F1/26 |
| 代理公司： | 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 | 代理人： | 尹新路 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种基于SiGe‑BiCMOS工艺的共源共基放大器，包括输入匹配单元、第一级差分共源共基单元、第二级差分共源共基单元、第三级差分共源共基单元、第四级差分共源共基单元、输出阻抗匹配单元；与四级单端结构的低噪声放大器相比，具有更好的抗噪声能力，并且可以在较低的频率下获得更高的增益；与五级差分结构的低噪声放大器相比，具有更强的稳定性。本发明在输入级采用MOS晶体管，相比HBT晶体管，在较高频率下获得了更低的噪声系数；输入级采用复合晶体管结构，提高了电路的功率增益；本发明采用的共源共基结构，减小了器件的密勒效应，有效地扩展了工作频带。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sige bicmos 工艺 共源共基 放大器 | ||
【主权项】：
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